WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     || 2 |
Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 7 Гистерезис магнитосопротивления нейтронно-легированного Ge в области прыжкового транспорта по состоянию кулоновской щели © А.Г. Андреев, С.В. Егоров, А.Г. Забродский, Р.В. Парфеньев, А.В. Черняев Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия (Получена 25 января 2000 г. Принята к печати 27 января 2000 г.) Обнаружено и экспериментально исследовано явление гистерезиса магнитосопротивления нейтроннолегированного Ge : Ga в режиме прыжкового транспорта по состояниям кулоновской щели. Гистерезис сопровождается скачкообразным уменьшением сопротивления в магнитном поле величиной около 800 Э после предварительного намагничивания образца в полях, превосходящих 1 кЭ. Относительная величина скачка сопротивления растет с понижением температуры. Этот эффект наблюдается на изоляторной стороне перехода металл–изолятор, который происходит при концентрации Ga 1.85·1017 см-3. Исследованы основные закономерности и предложены возможные объяснения обнаруженного явления.

1. Введение ции (заполнения акцепторной зоны) этого материала, несколько зависящая от спектра облучающих реакторНейтронно-легированный (НЛ) Ge : Ga является ком- ных нейтронов [6], составляла в нашем случае 35%.

пенсированным полупроводником p-типа, в котором при Диапазон уровней легирования трансмутационной приконцентрации основной трансмутационной примеси Ga, месью Ga (см. таблицу) определялся полученным флюравной 1.85 · 1017 см-3, происходит переход металл– энсом реакторных нейтронов и составлял от 4.5 · 1016 изолятор (МИ) [1]. На изоляторной стороне перехода до 2.3 · 1017 см-3. На рис. 1 приведены кривые МИ при достаточно низких температурах T 1K в температурной зависимости сопротивления исследованнем реализуется режим прыжковой проводимости с переменной длиной прыжка (variable range hopping, VRH) по состояниям кулоновской щели g = g0(E - EF)2 в примесной зоне акцепторных состояний Ga в окрестности энергии Ферми EF [2,3]. Наблюдаемое в этом режиме в умеренных полях квадратичное положительное магнитосопротивление (МС) обусловлено тем, что внешнее магнитное поле сжимает волновую функцию дырки в перпендикулярной ему плоскости и тем самым уменьшает вероятность перескоков [4]. Изучение полевой и температурной зависимости положительного МС в НЛ Ge : Ga позволило в [3] качественно подтвердить концепцию существования кулоновской щели и извлечь величину радиуса локализации дырки a на примеси. Согласно [1], радиус локализации расходится, а кулоновская щель схлопывается точно в критической точке перехода МИ, определяемой по занулению низкотемпературного предела проводимости (0) с металлической стороны перехода. Помимо этого, изучение магнитосопротивления НЛ Ge : Ga в области достаточно слабых полей при сверхнизких температурах выявило неизвестное ранее явление его гистерезиса [5]. Изучению этого эффекта и посвящена данная работа.

Рис. 1. Зависимость удельного сопротивления образцов 2. Методика измерений и образцы НЛ Ge : Ga с вплавными контактами из In от температуры.

NGa, 1017 см-3: 1 — 0.45, 2 — 0.71, 3 – 0.91, 4 — 1.05, Объектом исследования была серия образцов НЛ 5 —1.3, 6 —1.8, 7 — 2.3. Вертикальными штрихами показана Ge : Ga (о технологии изготовления образцов нейтронновысокотемпературная граница режима VRH для тех образцов, легированного германия см. [2]). Степень компенса- где он наблюдается.

Гистерезис магнитосопротивления нейтронно-легированного Ge... Рис. 2. МС образцов 2 (a) и 3 (b) при T = 0.45 K, v = 3.6 кЭ/мин, стрелками показано направление обхода, черные символы — прямой ход и белые — обратный. Удельное сопротивление в нулевом магнитном поле (0) образов 2 и 3 при этой температуре равно соответственно 1090 и 114 Ом · см.

ных образцов в характерном для VRH в кулонов- следует закону ской щели температурном масштабе. Из анализа темT0 1/пературной зависимости энергии активации проводи(T ) =0 exp, (1) мости (см. [7]) следует, что этот режим прыжкового T транспорта реализуется при достаточно низких температурах T 1K (граница показана вертикальными где параметр T0 g-1/3a (его значения приведены в штрихами на кривых), когда удельное сопротивление таблице).

Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 798 А.Г. Андреев, С.В. Егоров, А.Г. Забродский, Р.В. Парфеньев, А.В. Черняев 10%. Таким образом, гистерезис возникает именно № Концентрация kT0, Величина HC, с переходом в режим VRH и далее резко возрастает с образца Ga, 1017 см-3 мэВ скачка МС, % Э понижением температуры.

1 0.45 5.16 4.75 Описанное явление гистерезиса наблюдалось нами на 2 0.71 2.95 10 образцах НЛ Ge : Ga только на изоляторной стороне 3 0.91 1.73 6 перехода. На рис. 4 показана зависимость от уровня 4 1.05 1.19 5 легирования величины скачка МС и измеренного по мак5 1.3 0.42 1 6 1.8 0.08 - - симуму производной d/dH критического магнитного 7 2.3 - - - поля HC. Видно, что вначале с ростом концентрации примеси Ga величина скачка возрастает, достигая максимальной величины ( 10%) вобластиNGa = 7·1016 см-3, что составляет примерно 40% от критической конИсследованные образцы были вырезаны в плоскоцентрации NC = 1.85 · 1017 см-3 для перехода МИ.

сти (111). Измерения проводились в интервале темпеПри дальнейшем возрастании легирования скачок МС ратур 0.4-2.2 K, в основном в поперечной геометрии уменьшается и исчезает при NGa = 1.8 · 1017 см-3, (H J), т. е. H [111]. Напряженность магнитного совпадающей с NC. Измеренные значения критического поля изменялась в диапазоне от -10 кЭ до +10 кЭ при скорости развертки v = 1.5-20 кЭ/мин.

3. Гистерезис магнитосопротивления НЛ Ge : Ga На рис. 2 приведены типичные кривые магнитосопротивления образцов 21 и3приT = 0.45 K и скорости развертки 3.6 кЭ/мин. При H 5 кЭ как на прямом (точки 1–2–3–4 на кривой МС), так и на обратном (4–5–6–1) ходах развертки наблюдается отмеченный во введении эффект положительного МС. В меньших полях на прямом и обратном ходах до точек (2, 5) прослеживается слабый эффект отрицательного МС. Кроме того, после изменения ориентации магнитного поля на прямом ходе в интервале (2–3) в поле HC = 600 Э наблюдается неравновесный эффект скачкообразного уменьшения сопротивления на величину, составляющую несколько процентров от сопротивления в нулевом поле с последующей Рис. 3. Зависимость величины скачка МС от температуры релаксацией к равновесному значению при H 5кЭ.

= для образцов 2 (черные символы) и 3 (белые символы) Далее, на обратном ходе в интервале (4–5) втомжеполе (v = 3.6кЭ/мин).

эффект отсутствует, но появляется снова при изменении полярности магнитного поля в интервале (5–6).

Как показали измерения, скачкообразное уменьшение сопротивления происходит только после пребывания в поле, большем 2 кЭ, и последующей смены его знака.

Зависимость вида кривой от ”магнитной” предыстории дает возможность говорить о гистерезисе магнитосопротивления.

Температурная зависимость абсолютной величины скачка магнитосопротивления относительно его значения (0) в нулевом поле при фиксированной скорости развертки продемонстрирована на рис. 3. Видно, что скачок сопротивления исчезает примерно при 0.7 K, т. е. вблизи высокотемпературной границы режима VRH.

При T 0.6 K скачок уже четко фиксируется и при T = 0.4 K достигает в образце 2 в отдельных случаях Образцы с концентрацией, соответствующей номеру 2, были двух Рис. 4. Относительная величина скачка (белые круги), крититипов: с золотыми и индиевыми контактами. Везде, где не оговорено ческое поле HC (черные круги) и удельное количество тепла специально, приводятся данные, полученные на образце с золотыми контактами. (Q/m), выделенное в образце (черные треугольники).

Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. Гистерезис магнитосопротивления нейтронно-легированного Ge... Рис. 5. Влияние скорости развертки магнитного поля v на кривую гистерезиса образца 2; v, кЭ/мин: 1 —3.6 (0.43 K), 2 — 10.(0.43 K), 3 —27 (0.475 K).

поля HC при v = 3.6 кЭ/мин и диапазоне изменения поля такты. Сравнение поведения магнитосопротивления при от -10 кЭ до +10 кЭ приведены на рис. 4 и в таблице. переходе от образцов со сверхпроводящими (In) к образВидно, что величина HC слабо увеличивается с ростом цу с несверхпроводящими (Au) контактами (рис. 7) концентрации Ga.

показывает, что картина качественно не изменяется. Это На рис. 5 показаны кривые МС, снятые при разподтверждает сформулированный выше вывод о неприных скоростях развертки поля. Видно, что увеличение частности разрушения сверхпроводимости In-контактов скорости приводит к размытию отрицательного скачка к объяснению обнаруженного эффекта гистерезиса МС.

магнитосопротивления и следующего за ним минимума кривой МС, а также к затягиванию релаксационного процесса в область сильных полей. На рис. 6 приводятся зависимости величины скачка и величины критического магнитного поля от скорости развертки поля v. В поведении обеих величин наблюдается минимум при одной и той же скорости развертки 10 кЭ/мин.

Исследования показали, что описанный выше эффект гистерезиса МС с характерным минимумом заметным образом не зависит от величины измерительного тока и ориентации H (поперечная/продольная) относительно направления тока.

Зондовые и токовые контакты к исследуемым образцам НЛ Ge : Ga изготавливались, как правило, вплавлением In, который при T 3.4 K находится в сверхпроводящем состоянии. При температуре 0.4 K сверхпроводимость In разрушается полем HC = 290 Э и потому не Рис. 6. Влияние скорости развертки магнитного поля на может объяснить скачок МС при существенно более выотносительную величину скачка сопротивления (/(0)) соких полях. Чтобы удостовериться в этом, к одному из и критическое поле HC скачка МС образца 2. (Диапазон образцов были изготовлены также нормальные (Au) кон- изменения H от -10 кЭ до +10 кЭ).

Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 800 А.Г. Андреев, С.В. Егоров, А.Г. Забродский, Р.В. Парфеньев, А.В. Черняев Рис. 7. Магнитосопротивление образцов НЛ Ge : Ga (NGa = 7.1 · 1016 см-3) с Au-контактами (0.45 K, (0) = 1090 Ом · см), приготовленными методом термокомпрессии (a), и вплавными индиевыми контактами (b) (0.43 K, (0) = 1640 Ом· см), v = 3.6 кЭ/мин; направление изменения магнитного поля указано стрелками и цифрами.

4. Обсуждение в образце, по формуле Q/m = cT, (2) Наблюдаемое скачкообразное уменьшение сопротивгде c — удельная теплоемкость Ge при 0.45 K ления образца НЛ p-Ge при его перемагничивании мо(5.47 · 10-5 Дж/(кг · K), m — масса образца.

жет быть вызвано выделением тепла в критическом поле Рассчитанная по (2) величина Q/m приведена на HC ансамблем локализованных магнитоупорядоченных рис. 4 в зависимости от концентрации примеси Ga.

носителей (в нашем случае дырок в примесной зоне).

Видно, что максимум этой величины примерно совпадает При этом каждой локализованной дырке приписывается с максимумом регистрируемого скачка сопротивления.

магнитный дипольный момент, который взаимодействуТаким образом, физические процессы, обусловливающие ет с окружающими носителями и внешним магнитным выделение энергии и соответственно гистерезис МС, инполем. Электросопротивление материала, которое экспотенсивней идут в области концентраций от NC/4до NC/ненциально зависит от температуры, скачком уменьшагде скачок сопротивления максимален.

ется при HC и затем медленно релаксирует к равноДополнительно с целью экспериментальной проверки весным значениям (H). Имея в распоряжении темгипотезы о тепловой природе эффекта были проведены пературные кривые удельного сопротивления образцов, измерения магнитосопротивления образца, теплообмен их геометрические размеры и массу, можно рассчитать которого с термостатом был уменьшен за счет стеарисоответствующее данному изменению температуры ко- нового покрытия. Ожидалось, что скорость теплоотвода личество энергии на единицу массы Q/m, выделяемое от образца уменьшится и релаксация к равновесному Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. Гистерезис магнитосопротивления нейтронно-легированного Ge... Рис. 8. МС образцов Ge : Ga с концентрацией Ga = 7.1 · 1016 см-3 открытого (T = 0.43 K, (0) =1640 Ом · см) (a) и покрытого стеарином (T = 0.45 K, (0) =1167 Ом · см) (b), v = 10.8кЭ/мин.

состоянию после скачка замедлится из-за появления до- Данные магнитные моменты — это магнитные диполнительной тепловой массы при охлаждении. Из рис. 8 польные моменты дырок на нейтральных донорах. Такая видно, что минимум кривой МС термоизолированного зарядовая конфигурация акцептора A0 подразумевает образца действительно оказывается более размытым, и существование одной дырки на акцепторе. В намагнивеличина скачка МС оказывается меньше. чивающем поле диполи в этой системе приобретают преобладающую ориентацию и, как следствие, образец Отметим, что эффект не наблюдается на свободных дырках (вблизи перехода МИ и в металлическом со- в среднем становится намагниченным. Возникшая конфигурация сохраняется при снятии магнитного поля стоянии (рис. 4)). С другой стороны, он ослабевает за счет существенного взаимодействия дырок друг с в случае перехода к сильно разреженному ансамблю локализованных дырок вдали от перехода МИ. Первое другом. Далее, поле уменьшается до нуля, изменяет знак.

Существующая конфигурация теперь уже соответствует обстоятельство может говорить в пользу того, что для наблюдения эффекта носители должны быть локализова- инверсной заселенности магнитных уровней и является ны. Второе же указывает на необходимость достаточной неравновесной. В конце концов, в критическом поле концентрации локализованых магнитных диполей, т. е., происходит переход к равновесной конфигурации, сопровозможно, некоторого порогового взаимодействия. вождающийся переориентацией диполей и выделением тепла.

Возникает вопрос о природе вышеупомянутых магнитных моментов и причинах выделения тепла в их Вторая гипотеза не связана с переориентацией ансамансамбле. Мы предполагаем несколько вероятных схем. бля локализованных носителей. Известно, что в p-Ge 3 Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 802 А.Г. Андреев, С.В. Егоров, А.Г. Забродский, Р.В. Парфеньев, А.В. Черняев локализованные дырки в состоянии равновесия распре- [5] А.Г. Андреев, С.В. Егоров, А.Г. Забродский, Р.В. Парфеньев, А.В. Черняев. Тез. докл. XXXI совещ. по физике низких делены по двум зарядовым состояниям акцепторов: A+, температур (М., 1998) с. 44.

когда на одном акцепторе находятся две дырки, и A0 — [6] А.Г. Забродский, М.В. Алексеенко. ФТП, 28, 168 (1994).

одна дырка. Известно также, что энергия связи состо[7] А.Г. Забродский, К.Н. Зиновьева. ЖЭТФ, 86, 727 (1984).

яния A0 меньше энергии связи состояния A+ (центры с [8] M. Shimizu. Proc. Phys. Soc., 84, 397 (1963); 86, 147 (1965).

Pages:     || 2 |



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.