WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

Список литературы Рис. 5. Модель перестройки примесной зоны интерметал[1] K.H.J. Buschow, D.B. Mooij, T.T.M. Palstra, G.J. Nieuлического полупроводника n-TiCo1-xNix Sb при легировании wenhuys, J.A. Mydosh. Phil. J. Res., 40, 313 (1985).

донорной примесью Ni различной концентрации.

[2] M. Terada, K. Endo, Y. Fujita, R. Kimura. J. Phys. Soc. Japan, 32 (1), 91 (1972).

[3] J. Pierre, R.V. Skolozdra, J. Tobola, S. Kaprzuk, C. Hordequm, полупроводника в этом концентрационном интервале M.A. Kouacou, I. Karla, R. Currat, E. Lelievre-Berna. J. Alloys увеличивается на 3 порядка. При ND > 9.5 · 1020 см-3 Comp., 262–263, 101 (1997).

[4] K. Kaczmarska, J. Pierre, J. Beille, J. Tobola, R.V. Skolozdra, (x > 0.06) наблюдаемый рост зависимостей (x) и (x), G.A. Melnik. J. Magn. Magn. Mater., 187, 210 (1998).

а также одновременное уменьшение по абсолютной [5] J. Tobola, J. Pierre, S. Kaprzuk, R.V. Skolozdra, величине коэффициента Зеебека при изменении состава M.A. Kouacou. J. Phys. B: Condens. Matter., 10, 1013 (1998).

полупроводникового твердого раствора n-TiCo1-xNix Sb [6] H. Kleinke. Z. Anorg. Allgm. Chem., 624, 1272 (1998).

связаны с появлением и увеличением концентрации [7] J. Tobola, J. Pierre. J. Alloys Comp., 296, 243 (2000).

свободных электронов и ростом плотности состояний на [8] D. Jung. H.-J. Koo, M.-H. Whangbo. J. Molecul. Struct., 527, уровне Ферми в зоне проводимости (выше EC). Это со113 (2000).

гласуется и с результатами расчетов электронной струк[9] Y. Xia, V. Ponnambalam, A.L. Pope, S.J. Poon, T.M. Tritt.

туры. Проводимость интерметаллического полупроводJ. Appl. Phys., 88 (4), 1952 (2000).

ника n-TiCo1-xNix Sb носит металлический характер.

[10] Yu. Stadnyk, Yu. Gorelenko, A. Tkachuk, A. Goryn, V. DavyПо аналогии с теорией легирования интерметалличе- dov, O. Bodak. J. Alloys Comp., 329, 37 (2001).

ских полупроводников MNiSn (M — металл) акцептор- [11] Y. Xia, V. Ponnambalam, A.L. Pope, S.J. Poon, T.M. Tritt.

J. Phys. B: Condens. Matter., 13, 77 (2001).

ными примесями [25] предлагаем модель перестройки [12] A.N. Caruso, C.N. Borca, D. Ristoiu, J.P. Nozieres, примесной зоны TiCoSb при легировании донорными P.A. Dowben. Surf. Sci. Lett., 525, L109 (2003).

примесями различных концентраций (рис. 5).

[13] О.И. Бодак, В.А. Ромака, Ю.В. Стаднык, М.Г. Шеляпина, Известно, что, когда состав твердых растворов расД. Фрушарт, Л.П. Ромака, В.Ф. Чекурин, Ю.К. Гореленко.

сматриваемого типа изменяется таким образом, что Укр. физ. журн. (2005) в печати.

EC - EF изменяет знак, имеет место переход Андерсо[14] L. Romaka, Yu. Stadnyk, M.G. Shelyapina, V.S. Kasperovich, на [15]. Из приведенного следует:

D. Fruchart, A. Horyn. J. Alloys Comp., 396, 64 (2005).

а) p-TiCoSb является компенсированным полупровод[15] Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некриником, уровень Ферми фиксируется акцепторной зосталлических веществах (М., Мир, 1982) [Пер. с англ.:

ной, проводимость носит активационный характер и N.F. Mott, E.A. Davis. Electron processes in non-crystalline materials (Oxford, Clarendon Press, 1979)].

EC - EF > 0;

[16] Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства б) проводимость n-TiCo1-xNixSb при x > 0.06 носит легированных полупроводников (М., Наука, 1979).

металлический характер и определяется свободными [17] Ф.Г. Алиев, Н.Б. Брандт, В.В. Козырьков, В.В. Мощалков, электронами, уровень Ферми находится в зоне провоР.В. Сколоздра, Ю.В. Стаднык. Письма ЖЭТФ, 45, димости и EC - EF < 0.

(1987).

[18] Yu.V. Stadnyk, V.A. Romaka, Yu.K. Gorelenko, L.P. Romaka, D. Fruchart, V.F. Chekurin. J. Alloys Comp., (2005) to be 5. Заключение published.

[19] R.V. Skolozdra, Yu.V. Stadnyk, L.P. Romaka, F.G. Aliev.

Представленные результаты свидетельствуют о том, J. Termoelectricity, 3, 29 (1994).

что наблюдаемый переход проводимости диэлектрик– [20] R.V. Skolozdra. J. Termoelectricity, 2, 55 (1997).

металл в интерметаллическом полупроводниковом твер[21] Ю.В. Стаднык, А.М. Горынь, Л.П. Ромака, Ю.К. Гореленко, дом растворе TiCo1-xNixSb является переходом АндерР.В. Сколоздра. Патент Украины, № 25472 A (1998).

сона и связан с перестройкой примесной зоны легиро[22] M. Schroter, P.H. Ebert, H. Akai, P. Entel, E. Hoffmann, ванного и компенсированного полупроводника. СовпадеG.G. Reddy. Phys. Rev. B, 52, 188 (1995).

ние выводов теоретических расчетов с эксперименталь[23] L.G. Akselrud, Yu.N. Grin, P.Yu. Zavalii, V.K. Pecharsky, ными результатами о наличии перехода проводимости V.S. Fundamenskii. Proc. 12th Eur. Crystallofraphic Meeting диэлектрик–металл при легировании TiCoSb донорными (M., Наука, 1989) p. 155.

Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. Роль примесной зоны при переходе диэлектрик–металл при изменении состава... [24] K. Durcewski, M. Ausloos. J. Magn. Magn. Mater., 51 (1–3), 230 (1985).

[25] В.А. Ромака, Ю.В. Стаднык, М.Г. Шеляпина, Д. Фрушарт, В.Ф. Чекурин, Л.П. Ромака, Ю.К. Гореленко. ФТП, 40 (6), 665 (2005).

[26] F.G. Aliev, V.V. Kozyrkov, V.V. Moshchalkov, R.V. Skolozdra, K. Durczewski. J. Phys. B: Condens. Matter, 80, 353 (1990).

Редактор Т.А. Полянская The role of the impurity band in insulator–metal transition due to composition change in highly doped and compensated semiconducting TiCo1-xNixSb solid solution. Donor impurities V.A. Romaka,†, M.G. Shelyapina, Yu.V. Stadnyk•, D. Fruchart, L.P. Romaka•, V.F. Chekurin Ya. Pidstryhach Institute for Applied Problems of Mechanics and Mathematics, National Academy of Sciences of Ukraine, 79053 Lviv, Ukraine † National University Lvivska Politekhnika“, ” 79013 Lviv, Ukraine I.V. Fock Institute of Physics St. Petersburg State University, 198504 St. Petersburg, Russia • Ivan Franko Lviv National University, 79005 Lviv, Ukraine Laboratoire de Cristallographie, CNRS, BP 166, 38042 Grenoble Cedex 9, France

Abstract

The role of the impurity donor band in the conductivity of dopped and compensated intermetallic semiconductors TiCoSb was investigated. A simulation of the electronic structure for TiCo1-x NixSb semiconducting solid solution was carried out. A scheme of the impurity band transformation in TiCoSb semiconductor due to donor impurities doping was advanced. A transition of conductivity from activated to metallic type while TiCo1-x NixSb solid solution composition changes was observed.

We relate this transition with Anderson-type transition.

3 Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.