WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

На рис. 2–4 и в таблице приведены примеры результатов расчетов на начальной и промежуточной стадиях роста для ростовой ячейки радиусом R = 1.5см и исходном расстоянии от поверхности засыпки до затравки H = 3 см при давлении аргона PAr = 0.5атм. Число Рэлея составляет Ra = 92 и Ra = 8 для начальной и промежуточной стадий роста соответственно, число Рис. 2. Распределение температуры в газовом объеме ячейки Прандтля в процессе роста изменяется незначительно и роста на начальной (слева) и промежуточной (справа) стадиях составляет Pr = 0.93.

роста. Шаг между изотермами 8.3 K.

Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 798 Б.А. Кириллов, А.С. Бакин, С.Н. Солнышкин, Ю.М. Таиров Рис. 3. Распределение основных газовых компонентов в ростовой ячейке на начальной (слева) и промежуточной (справа) стадиях роста. В таблице приведены значения мольных концентраций C для каждого компонента на обеих стадиях роста, а также шаг между изоконцентрационными линиями C.

na (Oxford–N.Y.–Toronto–Sydney–Paris–Frankfurt, Pergamon Press, 1983) v. 7. p. 111.

[3] Yu.M. Tairov, V.F. Tsvetkov. In: Growth and Defect Structures (в сер.: Crystals. Growth, Properties, and Applications) ed. by H.C. Freyhardt (Berlin–Heidelberg–N.Y.–Tokio, Springer Verlag, 1984). v. 10. p. 1.

[4] D. Hofmann, M. Heinze, A. Winnacker, F. Durst, L. Kadinski et al. J. Cryst. Growth, 146, 214 (1995).

[5] Ф. Райхель, Ю.М. Таиров, М.Г. Траваджян, В.Ф. Цветков.

Изв. АН СССР. Неорг. матер., 16, 1011 (1980).

Рис. 4. Радиальный профиль скорости роста Vgrowth монокри[6] J. Drowart, G. De Maria. Silicon Carbige — a High сталла SiC на начальной (1) и промежуточной (2) стадиях Temperature Semiconductor (N.Y., Pergamon Press, 1960) роста.

p. 16.

[7] Ю.М. Таиров, В.Ф. Цветков. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 13, 1606 (1976).

[8] Б.П. Герасимов, А.В. Лесуновский, В.В. Митин, Т.А. БориИзменение распределение компонентов в газовой фазе сова, Д.Я. Ровенский. В. сб.: Численные методы, под ред.

приводит к изменению условий испарения–конденсации, А.А. Самарского (М., Наука, 1989) с. 112.

изменению равновесных концентраций и к различию [9] Ю.М. Таиров, В.А. Таранец, В.Ф. Цветков. Изв. АН СССР.

собственных точечных дефектов (вследствие различия Неорг. матер., 15, 9 (1979).

в отклонениях от стехиометрического состава), распо[10] S.K. Lilov, Yu.M. Tairov, V.F. Tsvetkov. J. Cryst. Growth, 46, ложенных по длине и по радиусу кристалла, а также к 269 (1979).

возникновению механических напряжений в кристалли[11] Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Теоретическая физика. Гической решетке. Эти процессы на практике усугубляются дродинамика (М., Наука, 1988) т. VI.

флуктуациями технологических условий. К сожалению, [12] Gas Encyclopaedia (Elsevier, 1976).

в настоящее время отсутствуют результаты исследоваРедактор Т.А. Полянская ний получаемых монокристаллов SiC по распределению собственных точечных дефектов и корреляция их с условиями роста.

Несмотря на указанные выше упрощения, используемые в расчетах, полученные результаты удовлетворительно совпадают с экспериментальными. В настоящее время на основе этих результатов проводятся расчеты для усложненной конфигурации ростовой ячейки, а также моделирование механических напряжений в объеме кристалла.

Список литературы [1] Yu.M. Tairov, V.F. Tsvetkov. J. Cryst. Growth, 52, 146 (1981).

[2] Yu.M. Tairov, V.F. Tsvetkov. In: Crystal Growth and Characterization of Polytype Structures, ed. by P. KrishФизика и техника полупроводников, 1997, том 31, № Моделирование тепло- и массопереноса в процессе роста монокристаллов карбида кремния Heat and mass transfer simulation during silicon carbide single-crystal growth B.A. Kirillov, A.S. Bakin, S.N. Solnyshin, Yu.M. Tairov.

Microelectronics Dept., Higher Mathematics Dept.

St.-Petersburg State Electrotechnical University 197376 St.-Petersburg, Russia

Abstract

Silicon carbide currently attracts a growing interest as a semiconductor material for devices operating in severe environments. At present the main problem is a large scale production of silicon carbide single-crystals with low defect concentration and high homogeneity of properties. Numerical simulation of heat and mass transfer during silicon carbide single-crystals growth by sublimation method is described in this paper. The results obtained show the influence of the growth conditions on thermal field and main components distribution in vapour phase as well as radial growth rate profile for different stages of the growth process.

Fax: (812) 234-31-64 (A.S. Bakin) E-mail: root@me.etu.spb.ru (A.S. Bakin) Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, №

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.