WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

германия с искусственно измененным изотопным соста- В заключение обсудим ближайшие перспективы работ вом. Основная идея состоит в получении НТЛ-Ge разного в этом направлении, которые, как нам представляется, типа проводимости и с разной степенью компенсации связаны с созданием многослойных структур, основанпри сохранении однородного распределения примесей. ных на чередовании изотопов Ge70 и Ge74 в гетероОсобенно это важно для случая полной компенсации, переходах Si/Si1-xGex или трех изотопов Ge70, Geкоторая в предположении случайного пространственного и Ge74 в чисто германиевой структуре [26] с последураспределения примесей должна приводить к сильным ющим проведением НТЛ. Это приведет к получению флуктуациям электростатического потенциала. Полу- p-i-n-сверхрешеток, причем основной особенностью чить такую систему при ”металлургическом” легирова- является то, что в этом методе разделены процессы роста нии практически невозможно: в расплаве противополож- сверхрешетки и ее легирование. В обычных эпитаксино заряженные примесные ионы являются подвижными, альных методах эти процессы совмещены, что приводит что приводит к их коррелированному распределению — к взаимному негативному влиянию: размытию границы образованию донорно-акцепторных пар. В отличие от перехода из-за ”всплывания” примесей, в процессе роста этого процесс НТЛ проходит при низкой (комнатной) слоя и росту числа дефектов в растущем слое из-за температуре. Даже неизбежный отжиг РД проводится влияния находящихся в нем примесей. В изотопном при температуре существенно ниже температуры пла- методе слои выращиваются без примесей и должны вления, когда примеси мало подвижны. Это позволя- иметь совершенную структуру, поскольку изотопы Ge ет надеяться на получение сильно компенсированных являются идентичными в химическом отношении. Пообразцов со случайным распределением примесей.

следующее легирование методом НТЛ и отжиг дефектов Первые измерения изотопно обогащенного Ge74, ле- будут проводиться при сравнительно низкой температугированного методом НТЛ, были проведены в 1983 году ре, что как ожидается, не приведет к размытию границы в ФТИ [22]. В результате НТЛ была получена серия перехода и ухудшению структуры слоев.

образцов n-типа проводимости с малой компенсацией Этот доклад посвящен памяти академика В.М. ТучK = 0.026-0.056 в зависимости от степени обогащекевича, который внес большой вклад в организацию ния изотопом Ge74 и остаточных следов изотопа Ge70, промышленного производства НТЛ-Si и развитие работ дающего в результате НТЛ акцепторную примесь галв этом направлении в ФТИ. Хочу выразить особую блалия Ga71. Высокая стоимость и малые количества годарность А.Н. Ионову за многолетнее сотрудничество.

изотопно обогащенной двуокиси германия, предостаНа разных этапах этой работы активное участие в ней вленной Изотопным Фондом института атомной энергии принимали М.Л. Кожух, А.Г. Забродский, М.Д. Любалин, им. И.В. Курчатова, обусловили необходимость разраИ.М. Лазебник, Р. Ренч. Всем им автор выражает искренботки технологии выращивания и очистки миниатюрных нюю признательность.

кристаллов Ge массой в несколько граммов, что потребовало преодоления серьезных технических трудностей. В дальнейшем, смешивание изотопно обогащенного Ge74 с Список литературы естественным германием позволило получить и исследо[1] K. Lark-Horovitz. In: Proceedings of the Conference on Semiвать серии образцов n-типа с величинами компенсации Conducting Materials / Ed. by H.K. Henish. Butterworth, K = 0.12, 0.38 и 0.54 [23]. Получены также серии с London (1951). P. 47; [Полупроводниковые материалы / K > 0.8-0.9.

Под ред. В.М. Тучкевича. ИЛ, М. (1954). С. 62].

Другим центром, где проводятся аналогичные работы, [2] Neutron transmutation doping in semiconductors / Ed. by является Лаборатория Лоуренса Беркли в Калифорнии.

J. Meese. Plenum Press, N. Y.–London (1979); [Нейтронное В работах этой группы сообщается о выращивании минитрансмутационное легирование полупроводников. Мир, атюрных кристаллов из обогащенных Ge70 и Ge74 (полуМ. (1982)]; Легирование полупроводников методом ядерченных из того же Изотопного Фонда ИАЭ им. И.В. Курных реакций / Под ред. Л.С. Смирнова. Наука, Новосичатова) и смеси этих изотопов, что позволило получить бирск (1981).

серии образцов НТЛ-Ge p-типа со значениями K, лежа- [3] M.S. Schnoller. IEEE Trans. Electron. Devices ED-21, щими в области 0-0.76 [24,25]. (1974).

Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 798 И.С. Шлимак [4] И.Н. Воронов, А.Н. Ерыкалов, Е.И. Игнатенко, М.Л. Кожух, М.А. Лютов, Ю.В. Петров, В.М. Тучкевич, И.С. Шлимак. А. с. СССР № 1063872 (1982).

[5] H. Fritzsche, M. Cuevas. Phys. Rev. 119, 1238 (1960).

[6] Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников. Наука, М. (1979).

[7] N.F. Mott. Metal-Insulator Transition. Taylor & Francis, London (1990). 2nd ed.

[8] И.С. Шлимак. А. с. СССР № 437931 (1972).

[9] E.E. Haller. Infrared Phys. Technol. 35, 127 (1994).

[10] Low Temperature Detectors for Neutrinos and Dark Matter IV/ Ed. byN.E. BothandG.L. Salmon. Oxford(1991).

[11] T. Shutt et al. Phys. Rev. Lett. 69, 3531 (1992).

[12] А.Г. Забродский. Письма в ЖЭТФ 33, 258 (1981).

[13] E.E. Haller et al. In: Neutron Transmutation Doping of Semiconductor Materials Ed. by R.D. Larrbee. Plenum, N. Y.

(1984). P. 21.

[14] А.Н. Ионов, М.Н. Матвеев, Д.В. Шмикк. ЖТФ 59, (1989).

[15] В.А. Харченко, С.П. Соловьев. ФТП 5, 1641 (1971).

[16] I. Shlimak, A.N. Ionov, R. Rentzsch, J.M. Lazebnik. Semicond.

Sci. Technol. 11, 1826 (1996).

[17] J.W. Coebett, G.D. Watkins. Radiation Effects in Semiconductors. Plenum, N. Y. (1971).

[18] М.Л. Кожух, И.С. Шлимак, В.В. Федоров, Е.С. Юрова.

Письма в ЖТФ 11, 129 (1985).

[19] В.М. Волле, В.Б..Воронков, И.В..Грехов, А.Н. Ерыкалов, М.Л. Кожух, В.А. Козлов, Ю.В. Петров, Н.А. Соболев, В.М. Тучкевич, В.Е. Челноков, И.С. Шлимак. Электротехника 3, 34 (1984).

[20] И.С. Шлимак, В.В. Емцев. Письма в ЖЭТФ 13, 153 (1971).

[21] Ю.А. Осипян, В.М. Прокопенко, В.И. Тальянский. ЖЭТФ 60, 156 (1984).

[22] И.С. Шлимак, Л.И. Зарубин, А.Н. Ионов, Ф.М. Воробкало, А.Г. Забродский, И.Ю. Немиш. Письма в ЖТФ 9, (1983).

[23] R. Rentzsch, A.N. Ionov, Ch. Reich, M. Mller, B. Sandow, P. Fozooni, M.J. Lea, V. Ginodman, I. Shlimak. Phys. Stat. Sol (b) 205, 269 (1998).

[24] K.V. Itoh, E.E. Haller, W.L. Hansen, J.W. Beeman, A. Rudnev, A. Tiknomirov, V.I. Ozhogin. Appl. Phys. Lett. 64, (1994).

[25] E.E. Haller. J. Appl. Phys. 77, 2857 (1995).

[26] E.E. Haller. Semicond. Sci. Technol. 5, 319 (1990).

Физика твердого тела, 1999, том 41, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.