WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

цепторных центров, но оно заметно только в областях с Наблюдаемый эффект усиливается с увеличением дозы относительно низкой концентрацией термодоноров (ТД), облучения. Неоднородность распределения ТА и ТД например, из-за низкой концентрации кислорода или коррелирует с изменением содержания кислорода в из-за замедления кинетики формирования ТД на накремнии. При увеличении времени отжига начинают чальных этапах. В остальных случаях термоакцепторы доминировать термодоноры. Механизм образования ТА (ТА) не проявляются или их формирование подавляется и ТД, наиболее вероятно, обусловлен участием вакансивведением ТД.

онных дефектов в процессе формирования этих центров.

Возможность введения центров акцепторного типа в кислородсодержащем кремнии после термообработки при температурах формирования термодоноров обычно Список литературы даже не рассматривалась. В то же время, как следует [1] Г.Я. Красников. Конструктивно-технологические осоиз результатов работ других авторов, исследовавших бенности субмикронных МОП транзисторов (М., Техвоздействие электронного облучения на формирование носфера, 2002) ч. 1.

термодоноров, количество ТД в таких образцах либо [2] A. Borhgesi, B. Pivac, A. Sassella, A. Stella. J. App. Phys., 77, практически не отличалось от концентрации ТД в ис4169 (1995).

ходных образцах [11,12], либо было меньше [13,14].

[3] В.Н. Мордкович. ФТП, 6, 847 (1964).

Наблюдаемые разногласия в результатах прекрасно объ[4] В.Ф. Стась, И.В. Антонова, Е.П. Неустроев, В.П. Попов, ясняются в рамках одновременного формирования ТД Л.С. Смирнов. ФТП, 34, 162 (2000).

и ТА. Так, в зависимости от дефектного и примесного [5] P. Deak, L.C. Snyder, J.W. Corbett. Phys. Rev., 45, состава исходного материала, температуры отжига или 11 612 (1992).

дозы облучения, суммарная концентрация носителей [6] Е.П. Неустроев, И.В. Антонова, В.П. Попов, Д.В. Киланов, А. Мисюк. ФТП, 33, 1153 (1999).

заряда, равная n0 + NTD - NTA (или p0 - NTD + NTA), [7] E.P. Neustroev, I.V. Antonova, V.P. Popov, V.F. Stas, V.I. Obodмогла изменяться сложным образом, что и выглядело nikov. Physica B, 270, 1 (1999).

часто как неизменность или замедление кинетики фор[8] С.А. Смагулова, И.В. Антонова, Е.П. Неустроев, В.А. Скумирования ТД (n0 и p0 — исходные концентрации).

ратов. ФТП, 37, 552 (2003).

По мере повышения температуры отжига (500C и [9] T. Hallberg, J.L. Lingstrom. J. Appl. Phys., 72, 5130 (1992).

выше) как ТД, так и ТА практически не вводятся [10] C.A. Londos, I.V. Antonova, M. Potsidou, A. Misiuk, J. Bak(рис. 2). Температура существования ТД, как известно, Misiuk, A.K. Gutacovskii. J. Appl. Phys., 91, 1198 (2002).

ограничена 520C, но при температурах 600-700C [11] A. Henry, K. Saminadayar, J.L. Pantrat, N.H. Magnea. Phys.

могли формироваться новые термодоноры. Однако при St. Sol. (a), 107 (1), 101 (1988).

использованных режимах отжига их введения не наблю- [12] В.В. Литвинов, Г.В. Пальчик, В.И. Уренев. ФТП, 24, дается. 376 (1990).

Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. Формирование электрически активных центров в кремнии, облученном электронами, в интервале... [13] В.П. Маркевич, Л.И. Мурин. ФТП, 22, 1324 (1988).

[14] П.Ф. Лугаков, В.В. Лукьяница. ФТП, 24, 1721 (1990).

Редактор Т.А. Полянская Electrical active center formation in the electron irradiated silicon annealed in the temperature range of 400-700C E.P. Neustroev, S.A. Stagulova, I.V. Antonova, L.N. Safronov Yakutsk State University, 677897 Yakutsk, Russia Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch of Russian Academy of Sciences, 630090 Novosibirsk, Russia

Abstract

Effect of the electron irradiation on thermal donor formation in silicon has been studied. Annealing at 450Cresulted in the formation of areas with p- and n-types of conductivity. An increase in the electron dose and in the annealing time leads to an increment in electron and hole concentrations.

Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.