WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. Дальнее инфракрасное стимулированное и спонтанное излучение... [4] A.V. Germanenko, G.M. Minkov. Phys. St. Sol. (b), 184, (1994).

[5] Е.В. Баханова, Ф.Т. Васько. ФТТ, 32, 86 (1990).

[6] Ф.Т. Васько, С.Г. Гасан-заде, В.А. Ромака, Г.А. Шепельский.

Письма ЖЭТФ, 41, 100 (1985).

[7] А.В. Германенко, Г.М. Миньков, Е.Л. Румянцев, О.Э. Рут.

ЖЭТФ, 94, 242 (1988).

[8] E.V. Bahanova, M.V. Strikha, F.T. Vasko. Phys. St. Sol. (b), 164, 157 (1991).

[9] Е.В. Баханова, Ф.Т. Васько. Письма ЖТФ, 13, 1520 (1987).

[10] Ф.Т. Васько, М.В. Стриха. ФТП, 24, 1227 (1990).

Редактор В.В. Чалдышев Far infra-red stimulated and spontaneous emission from uniaxially strained gapless Hg1-xCdxTe E.F. Venger, S.G. Gasan-zade, M.V. Strikha, S.V. Staryi, G.A. Shepelskii Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, 03028 Kiev, Ukraine

Abstract

The stimulated emission of far infra-red radiation in 100 µm region from a uniaxially strained gapless semiconductor Hg1-xCdxTe has been observed. A dramatic increase in the radiation intensity occurred for the threshold compression P and pulse electrical field E. The intensities of the spontaneous and stimulated emissions as well as the current density were measured as functions of P and E. The mechanism of effect is proposed with the allowance of both the strain-induced transformation of energy spectrum and the impurity acceptor level in the gapless semiconductors.

Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.