WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

Рис. 2. Спектр ЭПР для одного из квазикубических положений Работа была частично поддержана РФФИ (грант № 98ионов Cr3+ в 6H-SiC, зарегистрированный на частоте 9.5 GHz при 4.5 K в ориентации магнитного поля, параллельной гексаго- 02-18241).

нальной оси кристалла. Внизу показан симулированный спектр, в котором для расчетов использовались следующие параметры (в MHz): константа сверхтонкого взаимодействия с Cr равная Список литературы 26.5, константа суперсверхтонкого взаимодействия с шестью эквивалентными ионами Si второй координационной сферы [1] H.H. Woodbury, G.W. Ludwig. Phys. Rev. 124, 1083 (1961).

равная 8.4 и константа суперсверхтонкого взаимодействия с [2] А.Г. Зубатов, И.М. Зарицкий, С.Н. Лукин, Е.Н. Мохов, тремя эквивалентными ионами Si второй координационной В.Г. Степанов. ФТТ 27, 2, 322 (1985).

сферы равная 14.56.

[3] Н.П. Баран, В.Я. Братусь, А.А. Бугай, В.С. Вихнин, А.А. Климов, В.М. Максименко, Т.Л. Петренко, В.В. Романенко. ФТТ 35, 3135 (1993) и ссылки в ней.

[4] K.M. Lee, Le Si Dang, G.D. Watkins, W.J. Choyke. Phys. Rev.

сферы. Такая ситуация возникает при сдвиге иона хрома Lett. 45, 390 (1980).

вдоль оси c [21]. Для ионов Cr2+ (которые наблюдались [5] П.Г. Баранов, В.А. Ветров, Н.Г. Романов и В.И. Соконами только в кристаллах 6H-SiC, выращенных на Cлов. ФТТ 27, 3459 (1985); P.G. Baranov, N.G. Romanov.

стороне) константа сверхтонкого взаимодействия равна Applied Magnetic Resonance 2, 361 (1991); P.G. Baranov, N.G. Romanov. Materials Science Forum 83–87, 1207 (1992).

15.8 G, т. е. в 1.7 раза больше по сравнению с Cr3+, не[6] J. Reinke, S. Greulich-Weber, J.-M. Spaeth. Solid State центральность не была обнаружена. Нецентральность не Commun 96, 835 (1996).

наблюдалась и для других ионов переходных элементов.

[7] T. Matsumoto, O.G. Poluektov, J. Schmidt, E.N. Mokhov, В частности для ионов Mo4+ может быть выделена тольP.G. Baranov. Phys. Rev. B55, 2219 (1997–II).

ко одна константа суперсверхтонкого взаимодействия с [8] Т.Л. Петренко, В.В. Тесленко, Е.Н. Мохов. ФТП 26, 9, 12 эквивалентными атомами Si второй координацион(1992).

ной сферы равная 8.2 G (23 MHz).

[9] R. Mueller, M. Feege, S. Greulich-Weber, J.-M. Spaeth.

К опубликованным нами ранее результатам следует Semicond. Sci. Technol. 8, 1377 (1993).

добавить, что наряду с ионами хрома в SiC, находя- [10] T.L. Petrenko, A.A. Bugai, V.G. Baryakhtar, V.V. Teslenko, V.D. Khavryutchenko. Semicond. Sci. Technol. 9, 1849 (1994).

щимися в регулярном окружении, наблюдались спектры [11] P.G. Baranov. Defect and Diffusion Forum. Journal of the ЭПР комплексов со спином S = 3/2, в состав которых, Defect Solid State. Scitec Publication Ltd, Trans Tech Group по-видимому, входит хром с локальными осями, напраof Publishers, 148–149, p. 129–160. (1997), and references вленными вдоль связей Si-C. Обнаружены также спектры therein.

ЭПР, которые могут быть приписаны ионам Ta3+, с [12] P.G. Baranov, E.N. Mokhov. Semicond. Sci. Technol. 11, константой сверхтонкой структуры порядка 150 G, при (1996).

этом со спектрами ЭПР коррелируют 5 линий люминес[13] P.G. Baranov, I.V. Ilyin, E.N. Mokhov. Solid State Commun.

ценции в инфракрасной области с длинами волн при 5 K 100, 371 (1996).

(в eV) 1.074, 1.049, 1.031, 1.011, 0.999 (6H-SiC). Более [14] A.v. Duijn-Arnold, T. Ikoma, O.G. Poluektov, P.G. Baranov, детальная информация об исследованиях в этой области E.N. Mokhov, J. Schmidt. Phys. Rev. B57, 1607 (1998–I).

изложена в нашем докладе [25]. [15] П.Г. Баранов, Е.Н. Мохов. ФТТ 38, 5, 147 (1996).

Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. Радиоспектроскопия широкозонных полупроводников: SiC и GaN [16] A. Hofstaetter, B.K. Meyer, A. Scharmann, P.G. Baranov, I.V. Ilyin, E.N. Mokhov. Materials Science Forum 264–268, 595 (1998).

[17] П.Г. Баранов, И.В. Ильин, Е.Н. Мохов, А.Д. Роенков, В.А. Храмцов. ФТТ 39, 1, 52 (1997).

[18] K.M. Lee, Le Si Dang, G.D. Watkins, W.J. Choyke. Phys. Rev.

B32, 2273 (1985).

[19] K. Maier, H.D. Mueller, J. Schneider. Materials Science Forum 83–87, 1183 (1992).

[20] K. Maier, M. Kunzer, U. Kaufmann, J. Schneider, B. Monemar, I. Akasaki, H. Amano. Mat. Sci. Forum 143–147, 93 (1994).

[21] P.G. Baranov, V.A. Khramtsov, E.N. Mokhov. Semicond. Sci.

Technol. 9, 1340 (1994).

[22] K.F. Dombrowski, M. Kunzer, U. Kaufmann, J. Schneider, P.G. Baranov, E.N. Mokhov. Phys. Rev. B54, 7323 (1996-II).

[23] J. Baur, M. Kunzer, K.F. Dombrowski, U. Kaufmann, J. Schneider, P.G. Baranov, E.N. Mokhov. Inst. Phys. Conf.

Ser. 155, 12, 933 (1997).

[24] P.G. Baranov, I.V. Ilyin, E.N. Mokhov. Solid State Commun.

101, 611 (1997).

[25] П.Г. Баранов, И.В. Ильин, Е.Н. Мохов, В.А. Храмцов. ФТТ 41, 5, (1999).

[26] P.G. Baranov, I.V. Ilyin, E.N. Mokhov. Solid State Commun.

103, 291 (1997).

Физика твердого тела, 1999, том 41, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.