WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. Исследование электрофизических свойств Cdx Hg1-xTe составу вглубь от поверхности. Оценка, например, для отжига, и образец еще дважды подвергался отжигу образца A1 дала величину сдвига co = 0.5мкм, что (в табл. 1 приведены параметры образца n-типа проводисоответствует изменению ширины запрещенной зоны мости после таких отжигов). Оценка глубины залегания Eg 6 мэВ и, следовательно, x 0.003. Учитывая, „примесной“ зоны по спектрам фотопроводимости дает что травлением снимался слой, составляющий примерно энергию Ec - Et 24 мэВ, что согласуется с данными четвертую часть общей толщины образца, и полагая, табл. 2, полученными на других образцах.

что неоднородность линейна по его толщине, получим Приведенные данные позволяют сделать предположеобщее изменение содержания Cd по толщине исходние, что низкая концентрация электронов в образце Dного образца x ±0.006. Для сравнения: величина n-типа проводимости изначально была достигнута за x ±0.003 считается показателем хорошей гомогенсчет высокой степени компенсации вследствие введения ности образца [24]. Разброс co по всей исходной большого числа акцепторов — вакансий ртути, обрапластине размером 20 мм — например, для пластизующих в CdHgTe мелкие акцепторные однозарядные ны A — составил тоже величину co 0.5мкм (рис. 7).

уровни с Et - Ev 8 мэВ и глубокие двухзарядные с При такой величине co на одной и той же пластине Et - Ev 36 мэВ [25,26].

величина R0A при ограничении диффузионным током Итак, по температурным и полевым зависимоможет изменяться от фотодиода к фотодиоду примерно стям RH выявлено, что образцы n-CdxHg1-xTe с низв 3 раза только за счет разброса по x.

кой концентрацией электронов, как правило, являютВремя жизни носителей заряда n в образцах n-типа ся компенсированными, и степень компенсации нарупроводимости было, как правило, на порядок больше, шается при термоконверсии проводимости образца в чем p в образцах p-типа (табл. 1). В образце B3, в p-тип. В образцах CdxHg1-x Te n-типа по зависимостям котором, как исключение, изменилось всего только (T ) определена энергия активации донорного уровня:

в 2 раза при термоконверсии образца, было обнаруEc - Et = 24-32 мэВ. В этих же образцах, но после тержено наличие двух постоянных времени релаксации моконверсии проводимости в p-тип, определена энергия фотосигнала, 1 и 2 (рис. 8), которые, однако, проактивации акцепторов, связанных с двукратно заряженявлялись только при высоком уровне оптического воз++ ными вакансиями VHg : Et выше Ev на 32 и 48 мэВ.

буждения (P 103 Вт / см2). Для полноты информации Кроме того, впервые был обнаружен глубокий уровень с относительно на рис. 8 приводятся также данные Et - Ev 0.7Eg, обусловленный неизвестной примесью, для фотодиода 12, изготовленного из образца B3. Для имеющей амфотерный характер.

образцов CdHgTe — это усредненная по большой площади образца величина, измеряемая при зондировании широким пучком излучения лазера. В фотодиСписок литературы одах величина определяется свойствами p-области вблизи n+-p-перехода в слое (20-50) мкм. Значе[1] D.L. Spears. SPIE, 227, 108 (1980).

ния для фотодиодов могут отличаться в несколько [2] J.E. Shanley, C.T. Flanagan, M.B. Reine. SPIE, 227, раз от для образцов CdHgTe, и для расчета, на- (1980).

[3] J.E. Shanley, C.T. Flanagan. SPIE, 227, 123 (1980).

пример, квантовой эффективности фотодиода следует [4] D.L. Spears. SPIE, 300, 174 (1981).

пользоваться значением, измеренным на этом же [5] В.И. Туринов. Электрон. техн., сер. 1, СВЧ электроника, фотодиоде. Можно предположить, что наблюдаемые две 1, 30 (1991).

постоянные времени 1 и 2 связаны с рекомбинацией [6] A.J. Syllaios, M.J. Williams. J. Vac. Sci. Technol., 21, через два глубоких уровня, поскольку на фотодиодах, (1982).

изготовленных из этого образца, при измерении тун[7] R.A. Reinolds, M.J. Brau, H. Kraus, R.T. Bate. J. Phys. Chem.

нельной составляющей тока были отмечены также два Sol., 32, Suppl. 1, 1511 (1971).

уровня — с Et - Ev = 72 мэВ и уровни с энергией зале[8] H.R. Vydyanath. J. Electrochem. Soc.: Sol.-St. Sci. Technol., гания 36 мэВ. Косвенно это подтверждают измерения 128, 2609 (1981).

времени жизни на компенсированном примесном [9] H.F. Schaake, J.H. Tregilgas, J.D. Beck, M.A. Kinch, образце n-InSb (рис. 8) как эталонном с известным уров- B.E. Gnade. J. Vac. Sci. Technol. A, 3, 143 (1985).

[10] W. Scott. J. Appl. Phys., 43, 1055 (1972).

нем, у которого наряду с межзонной рекомбинацией с [11] J.J. Dubowski, T. Dietl, W. Szymanska, R.R. Galazka. J. Phys.

1 = 2.4 · 10-6 с происходил и более медленный процесс Chem. Sol., 42, 351 (1981).

рекомбинации с 2 через примесные уровни. На образ[12] D.A. Nelson, W.W. Higgins, R.A. Lancaster, R. Roy, це D2 с p(78 K) =1.7 · 1016 см-3 также были отмечены H.R. Vydyanath. Extended Abstracts U.S. Workshop on the две постоянные времени, 1 и 2, отличающиеся незнаPhysics and Chemistry of Mercury Cadmium Telluride чительно друг от друга, хотя и хорошо разрешаемые (Minneapolis, 1981) p. 175.

(рис. 8). На этом образце до отжига (n-тип) в спектрах [13] R.F. Brebrick, J.P. Schwartz. J. Electron. Mater., 9, 485 (1980).

фотопроводимости наблюдался затянутый длинноволно[14] G.L. Hansen, J.L. Schmidt, T.N. Casselman. J. Appl. Phys., 53, вой край, характерный для фотопроводимости с участи7099 (1982).

ем „примесной“ зоны. Кроме того, тип проводимости [15] Л.А. Бовина, Ю.Н. Савченко, В.И. Стафеев. ФТП, 9, этого образца не инвертировался при обычном режиме (1975).

Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 790 П.В. Бирюлин, В.И. Кошелева, В.И. Туринов [16] Д.В. Соболев, В.П. Пономаренко, Л.А. Бовина, В.И. Стафеев, К.Р. Курбанов. ФТП, 15, 1293 (1981).

[17] Л.А. Карачевцева, А.В. Любченко, Э.А. Маловичко. ФТП, 26, 535 (1992).

[18] Л.А. Бовина, Ю.Н. Савченко, В.И. Стафеев. ФТП, 9, (1975).

[19] А.И. Елизаров, В.И. Иванов-Омский, А.А. Корнияш, В.А. Петряков. ФТП, 18, 201 (1984).

[20] А.И. Власенко, Ю.Н. Гаврилюк, А.В. Любченко, Е.А. Сальков. ФТП, 13, 2180 (1979).

[21] J. Steininger. J. Cryst. Growth, 37, 107 (1977).

[22] Ю.С. Гальперин, А.Л. Эфрос. ФТП, 6, 1081 (1972).

[23] H.F. Schaake, J.H. Tregilgas, A.J. Lewis, P.M. Everett. J. Vac.

Sci. Technol. A, 1, 1625 (1983).

[24] K.-P. Mollmann, H. Bittner, H. Heukenkamp, B. Schubert.

Infr. Phys., 31, 493 (1991).

[25] M.A. Kinch, M.J. Brau, A. Simmons. J. Appl. Phys., 44, (1973).

[26] M.A. Kinch. J. Vac. Sci. Technol., 21, 215 (1982).

Редактор Л.В. Шаронова Investigation of CdHgTe electric physical properties P.V. Birulin, V.I. Kosheleva, V.I. Turinov State Research & Production Corporation Istok“, ” 141190 Fryazino, Russia

Abstract

According to temperature and field dependences of the Hall coefficient RH, it has been found that n-Cdx Hg1-xTe samples having a low electron density are, as a rule, compensated ones, the level of compensation being broken only if the sample undergoes the thermal convertion into p-type. Besides, a deep level of an unknown impurity having amphoteric properties with Et - Ev 0.7Eg was found out.

Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.