WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № Измерение длины диффузии неосновных носителей заряда... Список литературы [1] В.А. Тягай. ФТТ, 6, 1260 (1964).

[2] Н.Л. Дмитрук, А.К. Терещенко. Электрон. техн., сер. 2, Полупроводниковые приборы, вып. 4, 68 (1972).

[3] О.Ю. Борковская, Н.Л. Дмитрук, М. Дубовински, Р.В. Конакова, О.Н. Мищук, Ю.А. Тхорик, П. Кардош, Ф. Штофаник. Elektrotechn. as., 40, 877 (1989).

[4] Н.Л. Дмитрук, О.Ю. Борковская, О.Н. Мищук, Я. Чарыев.

Электрон. техн., сер. 2, Полупроводниковые приборы, вып. 1, 210 (1991).

[5] J. Callaway. Phys. Rev., 134, A998 (1964).

[6] J. Darantes-Davila, A. Lastras-Martinez, P.M. Raccah. Appl.

Phys. Lett., 38, 442 (1981).

[7] Н.Л. Дмитрук, А.К. Терещенко, О.И. Маева, В.И. Ляшенко, А.М. Раскевич. ФТП, 7, 671 (1973).

[8] N. Nottka, B.O. Seraphin. Phys. Rev. A, 139, A560 (1965).

[9] В.А. Тягай, О.В. Снитко. Электроотражение света в полупроводниках (Киев, Наук. думка, 1980).

[10] О.Ю. Борковская, Н.Л. Дмитрук, А.Н. Зюганов, 4, (1983).

[11] Н.Л. Дмитрук, О.В. Фурсенко, О.Ю. Борковская. ОптоэлекРис. 4. Экспериментальные (точки) и теоретически рассчитантрон. и полупроводн. техн., вып. 27, 115 (1994).

ные спектральные зависимости отношения фототока короткого [12] P.B. Johnson, R.W. Christi. Phys. Rev. B, 6, 4370 (1972).

замыкания к количеству квантов излучения,в прошедшего в [13] D.E. Aspnes, A.A. Studna. Phys. Rev. B, 27, 985 (1983).

GaAs, для структур Au–GaAs с Nd, см-3: 1 — 4.5 · 1016, Редактор В.В. Чалдышев 2 —3.48 · 1017, 3 —1.08·1018. Параметры расчетных кривых, L, мкм: 1 — 0.57, 2 — 0.46, 3 — 0.32; S/Vp: 1 — 0.01, 2 — 0.18, 3 — 0.12; Vn/Dn, см-1: 1 —2 · 106, 2 —7.8 · 106, Measurements of the minority charge 3 —1.3 · 107. На вставке — зависимость длины диффузии carrier diffusion length by using real дырок от концентрации донорной примеси. L определялась по Schottky barriers методам: Ip(1/C) — кружки, Ip(h) — крестики.

N.L. Dmitruk, O.Yu. Borkovskaya, S.V. Mamikin Institute of Semiconductor Physics, же структур, что и на рис. 3. Подгоночные параUkrainian Academy of Sciences, метры приведены в подписи к рисунку, а на врезке 252650 Kiev, the Ukraine представлена зависимость величины L, определенной обоими методами, от концентрации легирующей примеси. Видно, что значения L совпадают с точностью ±10%, причем погрешность второго метода (по спектру Ip) существенно больше, поскольку он требует знания спектральной зависимости оптических параметров (n, k) металла и (n, k, ) полупроводника, которые сами могут зависеть от толщины пленки металла, поверхностной обработки и уровня легирования полупроводника. При расчете использовались данные n, k и (h) для GaAs из [13]. В пределах исследованного диапазона Nd монокристаллического n-GaAs зависимость L(Nd) степенная с показателем степени (-1/3).

Таким образом, известная методика определения диффузионной длины неосновных носителей заряда, усовершенствованная применительно к реальным барьерам Шоттки с учетом корректных граничных условий на интерфейсе и эффекта Франца–Келдыша в ОПЗ, с хорошей степенью точности отражает реальные значения диффузионных длин в полупроводниковых материалах, позволяющие самосогласованно описать спектральные и полевые зависимости фоточувствительных структур с барьером Шоттки.

2 Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, №

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.