WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 784 Д.А. Балаев, С.И. Попков, К.А. Шайхутдинов, М.И. Петров изменяется профиль координатной функции потенциала пиннинга, уменьшается сила пиннинга как градиент потенциала. Это приводит к тому, что в больших полях остаются только самые глубокие центры пиннинга.

Следовательно, в больших полях (> 103 Oe) cоздаются условия, близкие к модели крипа потока. В диапазоне полей 102-103 Oe, видимо, имеет место сосуществование обоих механизмов или происходит кроссовер от поведения, описываемого в рамках модели АГ, к режиму крипа потока.

-Из наклонов графиков lg R(T ) (рис. 1, b и 2, b) определяется энергия пиннинга джозефсоновских вихрей в межгранульном пространстве U(H). В то же время на основании результатов наилучшей подгонки экспериментальных зависимостей R(T ) в рамках теории АГ (значений C(H)) можно получить среднюю энергию Рис. 5. Зависимости от магнитного поля эффективной джозефджозефсоновских связей в сети переходов EJ(H, 0K).

соновской энергии связи EJ(H, 0K), вычисленные при условиИз (4) следует EJ(H, 0K) =kBC(H). Величины ях наилучшей подгонки в рамках модели АГ (см. рис. 3, 4) из EJ(H, 0K) и U(H) приведены для композитов в двойной C(H) (выражение (4)), и энергии пиннинга вихрей U(H), полулогарифмической шкале на рис. 5. Точки для режимов ченные из наклонов графиков lg R(T-1) (см. рис. 1, 2) по выраАГ и крипа потока ложатся на прямые. Это указывает жению (5), для композитов YBCO + 15CuO и YBCO + 30CuO.

на степенной закон зависимостей U(H) и EJ(H) H-n.

Для области полей 10-2 · 102 Oe EJ(H) =H-0.для образца YBCO + 30CuO и EJ(H) =H-0.для образца YBCO + 15CuO. В диапазоне полей 103-6 · 104 Oe U(H) =H-0.2 для YBCO + 30CuO.

Для образца YBCO + 15CuO в диапазоне полей 0.4 · 103-5 · 103 Oe U(H) =H-0.25. Показатели степени для режима АГ близки к значениям, найденным при подобной обработке R(T ) в рамках модели АГ для поликристаллов YBa2Cu3O7 [25,26] (n = 0.3-0.5) и Bi1.7Pb0.2Sb0.1Sr2Ca2Cu3O10 [23] (n = 0.33) (также в слабых полях до 200 Oe), причем в [23] полученный показатель степени объясняется на основании усреднения фраунгофферовской зависимости JC(H) джозефсоновских переходов при учете разброса физических параметров межкристаллитных границ в ВТСПполикристалле [32]. Смена показателя степени n для разРис. 6. Температурная зависимость электросопротивления личных режимов, обнаруженная в данной работе, также композита YBCO + 45CuO при H = 0, j = 0.003 mA/cm2 (точсвидетельствует в пользу того, что в переходной области ки). Сплошная линия — наилучшая подгонка в рамках модели 102-103 Oe происходит смена механизма диссипации.

АГ (выражение (3)) при значении C = 280 с использованием Некоторые авторы для процедуры подгонки экспеJC(T ) из модели АБ.

риментальных зависимостей R(T ) с помощью модели АГ использовали феноменологическую зависимость EJ(T ) =(1 - T /TCJ), а следовательно, и JC(T ) [8,21–23,25,26]. Мы получали согласие экспери- АБ (рис. 6). Значит, несогласие эксперимента и теории в области низких температур (0.1T /TCJ T 0.5T /TCJ) мента и теории, несколько худшее, чем на рис. 3, 4, для полей более 150 Oe не является следствием того, при = 0.65-0.75, т. е. в том случае, когда функция что в этой области JC(T ) подчиняется другому закону.

a(1 - T /TCJ) (где a —константа) в области высоких температур 0.7T /TCJ T 1T /TCJ может аппроксими- Использование зависимости JC(T ) из модели АБ для описания резистивного перехода сети джозефсоновских ровать зависимость АБ (непосредственно вблизи TCJ, т. е. при 0.93 T /TCJ T 1T /TCJ, зависимость АБ ли- контактов туннельного типа в рамках модели АГ представляется авторам логичным.

нейна, = 1 [30]). Однако для образца YBCO + 45CuO даже при H = 0 сопротивление появляется уже при Таким образом, в настоящей работе на основа 12 K 0.13T /TCJ, и температурный „хвост“ R(T ) нии измерений зависимостей R(T ) как в слабых удовлетворительно описывается в рамках модели АГ (H 0-200 Oe), так и в сильных магнитных полях именно с использованием зависимости JC(T ) из модели (H 10-60 kOe) сделан вывод о смене механизмов Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. Механизмы диссипации в джосефсоновской среде на основе ВТСП под действием магнитного поля диссипации в сети джозефсоновских переходов с уве- [23] A.C. Wright, K. Zhang, A. Erbil. Phys. Rev. B 44, 863 (1991).

личением магнитного поля. Ранее при подобных ис- [24] A.C. Wright, T.K. Xia, A. Erbil. Phys. Rev. B 45, 5607 (1992).

[25] C. Caffney, H. Petersen, R. Bednar. Phys. Rev. B 48, следованиях резистивного состояния джозефсоновских (1993).

сред в магнитных полях (видимо, из-за использования [26] H.S. Gamchi, G.J. Russel, K.N. R. Taylor. Phys. Rev. B 50, меньших интервалов магнитных полей) авторы ограни12 950 (1994).

чивались рассмотрением только одного механизма дис[27] E. Babic, I. Kusevic, S.X. Dou, H.K. Liu, O.Y. Hu. Phys.

сипации [8,11,12,23–25,27]. Результаты обработки экспеRev. B 49, 15 312 (1994).

риментальных зависимостей в рамках R(T ) моделей АГ [28] М.И. Петров, Д.А. Балаев, К.А. Шайхутдинов, К.С. Алеки крипа потока указывают на то, что в диапазоне посандров. ФТТ 41, 969 (1999).

лей 0.5 · 10-1-102 Oe диссипация происходит по ме[29] М.И. Петров, Д.А. Балаев, К.А. Шайхутдинов. С.И. Попханизму АГ, в интервале 102-103 Oe имеет место смена ков. Письма в ЖЭТФ 75, 166 (2002).

механизмов диссипации, а в сильных магнитных полях [30] V. Ambegaokar, A. Baratoff. Phys. Rev. Lett. 10, 486 (1963);

11, 104 (1963).

( 103-6 · 104 Oe) электросопротивление обусловлено [31] K.Y. Chen, Y.J. Quian. Physica C 159, 131 (1989).

крипом магнитного потока.

[32] R.L. Peterson, J.W. Ekin. Phys. Rev. B 37, 9848 (1988).

Авторы благодарят А.В. Митина за полезные дискуссии. Один из авторов (Д.А. Б.) признателен Л. Ичкитидзе за обсуждение результатов.

Список литературы [1] M.A. Dubson, S.T. Herbet, J.J. Calabrese, D.C. Harris, B.R. Patton, J.C. Garland. Phys. Rev. Lett. 60, 1061 (1988).

[2] T.T.M. Palstra, B. Batlogg, R.B. van Dover, L.F. Schneemeyer, J.V. Waszczak. Appl. Phys. Lett. 54, 763 (1989).

[3] M. Tinkham. Phys. Rev. Lett. 61, 1658 (1988).

[4] J.D. Hettinger, A.G. Swanson, J.S. Brooks, Y.Z. Huang, L.Q. Chen, Zhong-Xian Zhao. Supercond. Sci. Technol. 1, (1989).

[5] Б.А. Аронзон, Ю.В. Гершанов, Е.З. Мейлихов, В.Г. Шапиро. СФХТ 2, 83 (1989).

[6] С.И. Волков, Ю.Е. Григорашвили, Л.П. Ичкитидзе. Изв.

вузов. Электроника 4–5, 128 (2000).

[7] Н.Д. Кузьмичев. ФТТ 43, 11, 1934 (2001).

[8] H. Shakeripour, M. Akhavan. Supercond. Sci. Technol. 14, 234 (2001).

[9] D. Daghero, P. Mazzetti, A. Stepanescu, P. Tura. Phys.

Rev. B 66, 184 514 (2002).

[10] L. Burlachkov, E. Mogilko, Y. Schlessinger, Y.M. Strelniker, S. Havlin. Phys. Rev. B 67, 104 509 (2003).

[11] M.R. Mohammadizadeh, M. Akhavan. Supercond. Sci.

Technol. 16, 234 (2003).

[12] H. Khosroabadi, V. Daadmehr, M. Akhavan. Physica C 384, 169 (2003).

[13] В.В. Деревянко, Т.В. Сухарева, В.А. Финкель. ФТТ 46, (2004).

[14] А.А. Суханов, В.И. Омельченко. ФНТ 30, 604 (2004).

[15] P. Mune, F.C. Fonesca, R. Muccillo, R.F. Jardim. Physica C 390, 363 (2003).

[16] R.J. Soulen, Jr., T.L. Francavilla, W.W. Fuller-Mora, M.M. Miller. Phys. Rev. B 50, 478 (1994).

[17] А.В. Митин. СФХТ 7, 62 (1994).

[18] Э.Б. Сонин. Письма в ЖЭТФ 47, 415 (1988).

[19] V. Ambegaokar, B.I. Halperin. Phys. Rev. Lett. 22, (1969).

[20] P.W. Anderson. Phys. Rev. Lett. 9, 309 (1962).

[21] R. Gross, P. Chaudhari, D. Dimos, A. Gupta, G. Koren. Phys.

Rev. Lett. 64, 228 (1990).

[22] J. Gao, Yu.M. Boguslavskij, B.B.G. Klopman. J. Appl. Phys.

72, 575 (1992).

2 Физика твердого тела, 2006, том 48, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.