WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 |   ...   | 7 | 8 ||

Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 794 В.А. Козлов, В.В. Козловский [63] H.H. Tan, J.S. Williams, C. Jagadish. J. Appl. Phys., 78, 1481 [94] Е.М. Вербицкая, В.К. Еремин, А.М. Иванов, З. Ли, (1995). Б. Шмидт. ФТП, 31, 299 (1997) [E.M. Verbitskaja, V.K. Ere[64] K. Wohlleben, W. Beck. Z. Naturforsh., b. 21a, 1057 (1966). min, A.M. Ivanov, Z. Li, B. Schmidt. Semiconductors, 31, 189 (1997)].

[65] A.G. Foyt, W.T. Kindley, C.M. Wolfe, J.P. Donelly. Sol. St.

[95] Е.М. Вербицкая, В.К. Еремин, А.М. Иванов, Н.Б. Строкан.

Electron., 12, 209 (1969).

З. Ли, Б. Шмидт. ФТП, 27, 1136 (1993) [E.M. Verbitskaja, [66] R.A. Murphy, W.T. Lindley, D.F. Peterson. Proc. Symp. on V.K. Eremin, A.M. Ivanov, N.B. Strokan, Z. Li, B. Schmidt.

GaAs (1972): Gallium Arsenide and Related compounds Semiconductors, 27, 1207 (1993)].

(London–Bristol, 1973) p. 224.

[96] A.O. Evwaraye, B.J. Baliga. J. Electrochem. Soc., 124, [67] J.D. Speight, P. Leigh, N. McIntyre, I.S. Groves, S.O. O’Hara, (1977).

P. Hemment. Electron. Lett., 10, 98 (1974).

[97] R. Laiho, L.S. Vlasenko, M.P. Vlasenko, V.A. Kozlov, [68] B.R. Pruniaux, J.C. North, A.V. Payer. IEEE Trans. Electron.

V.V. Kozlovski. Appl. Phys. Lett., 74, 3948 (1999).

Dev., ED-19, 672 (1972).

[98] Y. Ohmura, Y. Zohta, M. Kanazawa. Sol. St. Commun., 11, [69] В.В. Козловский, И.А. Козловская, Ю.А. Лифшиц, 263 (1972).

В.М. Марахонов. Письма ЖТФ, 20, 5 (1994).

[99] Yu.V. Gorelkinskii, N.N. Nevinnyi. Physica, B170, [70] V.B. Cmill, A.V. Chuntonov, S.S. Khludkov, A.V. Koretsky, (1991).

A.I. Potapov, O.P. Tolbanov, A.P. Vorobiev. J. Phys. D.: Appl.

[100] V.P. Markevich. Mater. Sci. Forum, 196–201, 945 (1995).

Phys., 28, 559 (1995).

[101] B.N. Mukashev, M.F. Tamendarov, S. Zhtakmoldin, [71] S.S. Khludkov, L.S. Okaevitch, A.I. Potapov, O.P. Tolbanov.

V.V. Frolov. Phys. St. Sol. (a), 91, 509 (1985).

Nucl. Instr. Meth. Phys. Res., A395, 132 (1997).

[102] R. Job, J.A. Weima, G. Grabosch, D. Borchert, W.R. Fahrner, [72] S.J. Pearton. Mater. Sci. Rep., 4, 313 (1990).

V. Raiko, A.G. Ulyashin. Sol. St. Phenomena, 69–70, [73] K.T. Short, S.J. Pearton. J. Electrochem. Soc., 135, (1999).

(1988).

[103] J. Reisinger, L. Palmetshofer. Appl. Phys. Lett., 59, [74] В.В. Козловский, И.А. Козловская, С.И. Пономарев. Пись(1991).

ма ЖТФ, 20, 1 (1994).

[104] P. Hazdra, J. Vobecky. Sol. St. Electron., 37, 127 (1994).

[75] R.J. Fu, C.J. Hwang, C.S. Wange. Appl. Phys. Lett., 45, [105] J. Vobecky, P. Hazdra, J. Voves, F. Spurny, J. Homola. Proc.

(1984).

ISPSD-94 (Davos, 1994) p. 265.

[76] J.C. Dyment, L.A. D’Asaro, J.C. North, B. Miller, J.F. Ripper.

[106] В.А. Козлов, И.В. Грехов. Тез. докл. VI Межнац. сов.

Proc. IEEE, 60, 726 (1972).

”Радиационная физика твердого тела” (Севастополь, [77] J.J. Hsieh, J.A. Rossi, J.P. Donnelly. Appl. Phys. Lett., 28, 1996) с. 140.

(1976).

[107] A.F. Kardo-Sysoev, V.I. Brylevsky, Y.S. Lelikov, I.A. Smir[78] V.O. Naidenov. In: Int. School of Physics ”Enrico Fermi”, ed.

nova, S.V. Zazulin, I.G. Tchashnicov, V.I. Scherbak, by E. Bussoletti, G. Strazzula (North–Holland, Amsterdam, B.I. Sukhovetsky. Abstracts UWB’99 Conf. (Washington DC, 1991) p. 371.

1999) p. 4.

[79] B. Zhang, M. Yi, J. Song, D. Gao, N. Zhu, R. Wu, W. Wang.

[108] И.В. Грехов, В.А. Козлов, С.В. Шендерей. А. с.

Japan. J. Appl. Phys., 38, pt 1, 6729 (1999).

№ 95109009/20 (1997).

[80] Б.Н. Мукашев, Х.А. Абдуллин, Ю.В. Горелкинский. УФН, [109] J. Bartko, K.N. Sun. US Patent 4056408 (1977).

170, 143 (2000).

[110] В.М. Волле, В.Б. Воронков, И.В. Грехов, Г.М. Гусинский, [81] L. Palmetshofer, J. Reisinger. J. Appl. Phys., 72, 2167 (1992).

В.А. Козлов, В.О. Найденов. ЖТФ, 57, 1925 (1987).

[82] A. Hallen, N. Keskitalo, F. Masszi, V. Nagl. J. Appl. Phys., [111] В.М. Волле, В.Б. Воронков, И.В. Грехов, Г.М. Гу79, 3906 (1996).

синский, Е.М. Гейфман, В.А. Козлов, В.О. Найденов.

[83] K. Irmscher, H. Klose, L. Maass. J. Phys. C, 17, 6317 (1984).

А. с. № 1533569 (1988).

[84] A. Hallen, B.U.R. Sundgvist, Z. Paska, B.G. Svensson, [112] I.V. Grekhov, V.A. Kozlov, S.V. Korotkov, A.G. Andreev, M. Rosling, J. Tiren. J. Appl. Phys., 67, 1266 (1990).

I.V. Eremin, V.V. Chibirkin. Abstracts 12th Int. Conf.

[85] W. Wondrak, K. Bethge, D. Silber. J. Appl. Phys., 62, ”Beams’98” (Haifa, 1998) p. 443.

(1987).

[113] И.В. Грехов, В.А. Козлов, С.В. Коротков, Л.С. Костина, [86] W. Wondrak, D. Silber. Physica, BC129, 322 (1985).

И.В. Еремин, А.Г. Андреев. Изв. РАН. Энергетика, № 4, [87] P. Hazdra, J. Vobecky. Sol. St. Phenomena, 69–70, 106 (1996).

(1999).

[114] B. Thomas, D. Silber, H. Berg, M. Tscharn. Proc. Industry [88] P.V. Kuchinskii, V.M. Lomako. Sol. St. Electron., 29, Applications Soc. Ann. Meeting. IEEE-IAS-1985 (1985) (1986).

p. 882.

[89] А.М. Иванов, Н.Б. Строкан, В.Б. Шуман. ФТП, 32, [115] A. Hallen, M. Bakowski. Sol. St. Electron., 32, 1033 (1989).

(1998).

[116] В.М. Волле, В.Б. Воронков, И.В. Грехов, В.А. Козлов, [90] H. Kauppinen, C. Corbel, K. Skog, K. Saarinen, T. Laine, Э.И. Куузик, В.М. Рухамкин, А.В. Свирин. ЭлектротехP. Hautojarvi, P. Desgardin, E. Ntsoenzok. Phys. Rev. B, 55, ника, N 6, 58 (1991).

9598 (1997).

[117] V.A. Kozlov, I.V. Grekhov, I.V. Eremin, S.V. Shenderey.

[91] V. Eremin, A. Ivanov, E. Verbitskaya, Z. Li, S.U. Pundey.

Abstracts 12th Int. Conf. ”Beams’98” (Haifa, 1998) p. 398.

Nucl. Instr. Meth., A426, 120 (1999).

[118] J. Li, K.W. Jones, J.H. Coleman, J. Yi, R. Wallace, W.A. An[92] А.С. Зубрилов, С.В. Ковешников. Препринт N 1342 ФТИ derson. Mater Res. Soc. Proc., 396, 745 (1996).

им. А.Ф. Иоффе РАН (Л., 1989). [119] A.M. Strelchuk, A.A. Lebedev, V.V. Kozlovskii, N.S. Savkina, [93] J. Lutz, W. Sudkamp, W. Gerlach. Sol. St. Electron., 42, 931 D.V. Davydov, V.V. Soloviev, M.G. Rastegaeva. Nucl. Instr.

(1998). Meth. Phys. Res. B, 147, 74 (1999).

Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. Легирование полупроводников радиационными дефектами при облучении протонами и -частицами [120] A.A. Lebedev, A.I. Veinger, D.V. Davydov, V.V. Kozlovski, The semiconductor doping N.S. Savkina, A.M. Strelchuk. J. Appl. Phys., 88, 6265 (2000).

with radiation induced defects [121] Н.Б. Строкан, А.М. Иванов, А.А. Лебедев, Д.В. Давыдов, via proton and -particle irradiation В.В. Козловский. ФТП, 34, 1443 (2000).

[122] К.А. Валиев. Тез. докл. Всеросс. научно-техн. конф.

V.A. Kozlov, V.V. Kozlovski ”Микро- и наноэлектроника-98” (Звенигород, 1998) Ioffe Physicotechnical Institute, т. 1, с. Л1-1.

Russian Academy of Sciences, [123] К.А. Валиев, А.А. Орликовский. Электроника: наука, технология, бизнес, N 5–6, 3 (1996); Электроника: наука, 194021 St. Petersburg, Russia технология, бизнес, N 1, 3 (1997).

St. Petersburg State Technical University, [124] В.В. Козловский, В.А. Козлов. Тез. докл. Всеросс. научн.195251 St. Petersburg, Russia техн. конф. ”Микро- и наноэлектроника-98” (Звенигород, 1998) т. 1, с. 01-4.

Abstract

An analysis is given of the modern semiconductor [125] K.D. Hobart, F.J. Kub, G.G. Jernigan, M.E. Twing, modification technique — the radiation defect doping of semiP.E. Thompson. Electron. Lett., 34, 1265 (1998).

conductor materials via light-ion beam processing. This method [126] V.V. Kozlovskii, V.A. Kozlov. Conf. Abstr. of NATO of modification (the radiation induced defect doping) has been Advanced Research Workshop on SOI (Kyev, 1998) p. 94.

shown to have a high potential in monitoring the properties of [127] V.K. Smirnov, A.B. Danilin. In: Perspectives, Science and semiconductor materials and in this way to be more promising Technologies for Novel Silicon on Insulator Devices, ed.

by P.L.F. Hemment, V.S. Lysenko and A.N. Nazarov [NATO in designing and suggesting technologies of micro-, nano- and Science Ser. 3. High Technology (1998) v. 73, p. 315].

optoelectronic devices than conventional doping techniques such [128] Y. Omura. In: Perspectives, Science and Technologies for as thermal diffusion, epitaxy and ion implantation.

Novel Silicon on Insulator Devices, ed. by P.L.F. Hemment, V.S. Lysenko and A.N. Nazarov [NATO Science Ser. 3. High Technology (1998) v. 73, p. 257].

[129] J. Weber. In: Proc. 24 Int. Conf. ”The Physics of Semiconductors” (Jerusalem, 1998) p. 209.

[130] T. Sadox, K. Tsukamoto, A. Baba, D. Bai, A. Kenjo, T. Tsirushima, H. Mori, H. Nakashima. J. Appl. Phys., 82, 3828 (1997).

[131] Y. Kamiura, M. Hayashi, Y. Nishiyama, S. Ohyama, Y. Yamashita. Japan. J. Appl. Phys., 36, 6579 (1997).

[132] I.P. Ipatova, O.P. Chikalova-Luzina, K. Hess. J. Appl. Phys., 83, 814 (1998).

[133] I.P. Ipatova, O.P. Chikalova-Luzina, K. Hess. Superlatt.

Microstruct., 27, 437 (2000).

[134] N. Achtziger, J. Crillenberger, W. Witthuhn, M.K. Linnarson, M. Janson, B.G. Swensson. Appl. Phys. Lett., 73, 945 (1998).

[135] П.А. Иванов, О.И. Коньков, В.Н. Пантелеев, Т.П. Самсонова. ФТП, 31, 1404 (1997) [P.A. Ivanov, O.I. Kon’kov, V.N. Panteleev, T.P. Samsonova. Semiconductors, 31, (1997)].

[136] P. Gluche, A. Aleksov, A. Vescan, W. Ebert, E. Kohn. IEEE Electron. Dev. Lett., 18, 547 (1997).

[137] V.A. Kagadei, D.I. Proskurovsky. J. Vac. Sci. Technol. A, 16, 2556 (1998).

[138] В.Г. Божков, В.А. Кагадей, Н.А. Торхов. Тез. докл. Всеросс. научн.-техн. конф. ”Микро- и наноэлектроника-98” (Звенигород, 1998) т. 1, с. Р1-49.

Редактор Л.В. Шаронова Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып.

Pages:     | 1 |   ...   | 7 | 8 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.