WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

моделирования лазерных гетероструктур GaInAs / [13] А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, С.О. СлипченGaInAsP / AlGaAs, излучающих в диапазоне длин волн ко, З.Н. Соколова, Н.В. Фетисова, Е.Г. Голикова, Ю.А. Ря930-1080 нм и не содержащих алюминия в активной боштан, И.С. Тарасов. ФТП, 36, 1393 (2002).

области и в волноводе. Определен критерий выбора Редактор Л.В. Беляков состава твердого раствора волновода, обеспечивающий хорошие выходные оптические характеристики лазера.

High power laser diodes Состав твердого раствора волновода определяется энергией выброса электронов из активной области в ( = 940-980 nm) based on asymmetric волновод (Eesc), которая должна составлять величину не separate confinement менее 3 kT. На основании данного критерия был выбран GaInAs / GaInAsP / AlGaAs heterostructure состав четверного твердого раствора в волноводе Ga0.74In0.26As0.47P0.53. D.A. Vinokurov, A.L. Stankevich, V.V. Shamakhov, Методом МОС-гидридной эпитаксии выращены асим- V.A. Kapitonov, A.Yu. Leshko, A.V. Lyutetskiy, метричные раздельного ограничения квантово-размер- D.N. Nikolaev, N.A. Pikhtin, N.A. Rudova, ные лазерные гетероструктуры в системе твердых расZ.N. Sokolova, S.O. Slipchenko, M.A. Khomylev, творов GaInAs / GaInAsP / AlGaAs с толщиной волновоI.S. Tarasov да 1.7 мкм, излучающие на длинах волн 940 и 980 нм.

Ioffe Physicotechnical Institute, В лазерах на основе асимметричных гетероструктур Russian Academy of Sciences, GaInAs / GaInAsP / AlGaAs была получена максимальная 194021 St. Petersburg, Russia выходная мощность 12 Вт в непрерывном режиме генерации при внутренних оптических потерях 0.6 и 0.3 см-для длин волн 940 и 980 нм соответственно.

Abstract

Asymmetric GaInAs / GaInAsP / AlGaAs laser heterostructures (940 and 980 nm emitting wavelengths) have been Работа частично поддержана грантом Санкт-Петерgrown by metal organic chemical vapour deposition epitaxy.

бурга в сфере научной и научно-технической деятельGa0.74In0.26As0.47P0.53 solid solution composition of the waveguide ности.

was selected as a result of a calculation of the escape energy of electrons from the quantum well of an active region to the Список литературы waveguide. 100 µm aperture semiconductor lasers were fabricated from the obtained heterostructures. 12 W continuous-wave room [1] Д.А. Винокуров, С.А. Зорина, В.А. Капитонов, А.В. Муtemperature maximum output optical power was attained. Internal рашова, Д.Н. Николаев, А.Л. Станкевич, М.А. Хомылев, optical loss are 0.6 cm-1 and 0.3 cm-1 for 940 nm and 980 nm В.В. Шамахов, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Т.А. Налет, wavelengths, respectively.

Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, Н.В. Фетисова, И.С. Тарасов. ФТП, 39, 388 (2005).

Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.