WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

логии с диффузионными барьерами на основе фаз вне- [2] В.Г. Божков, В.А. Генненберг, К.И. Куркан, О.Ю. Малаховский, В.Н. Романовская, А.Д. Фригер. Электронная дрения, показали, что энергия активации, рассчитанная промышленность, № 3, 88 (1993).

по времени медианных отказов, составляет 2.03 эВ, что [3] В.Г. Божков, В.С. Лукаш. Вестн. Томск. гос. ун-та. Сер.

в 2 раза больше, чем в IMPATT-диодах с омическими физика, № 285, 129 (2005).

контактами на основе Pd и Pt [29]. Время безотказной [4] И.И. Еру. Успехи соврем. радиоэлектрон., № 3, 51 (1997).

работы IMPATT-диодов с наноструктурными диффузион[5] H. Eisele, G.I. Haddad. IEEE Trans. MTT, 46 (6), 739 (1998).

ными барьерами на основе аморфных фаз внедрения при [6] Р.П. Быстров, С.И. Самойлов, А.В. Соколов. Зарубеж.

рабочей температуре 200C составило 2.4 · 107 ч. При радиоэлектрон., № 10, 60 (1999).

этом на 1.5-2 порядка повысилась надежность IMPATT[7] С.П. Ракитин, Н.Ф. Карушкин, Ю.А. Цвирко, Л.В. Кадиодов по сравнению с IMPATT-диодами, омические консаткин, Н.С. Болтовец, В.Н. Иванов, С.В. Хоменко. Тр.

такты к которым не содержали диффузионных барьеров 10 Межд. Крымской конф. „СВЧ техника и телекоммуна основе аморфных фаз нитридов или боридов титана никационные технологии“ „Крымико-2000“ (11-15 сени циркония. Выходные параметры IMPATT-диодов в тября, Украина, Севастополь: Вебер, 2000) с. 33.

частотном диапазоне 90-350 ГГц оказались на уровне [8] А.Б. Борзов, Р.П. Быстров, В.Г. Дмитриев, Э.А. Засовин, современных разработок, обобщенных в обзоре [10] и А.А. Потапов, А.В. Соколов, И.В. Чусов. Зарубеж. радиоприведенных на рис. 3,b. Заметим, что рассмотренные электрон., № 4, 18 (2001).

в [10] IMPATT-диоды были изготовлены на алмазных [9] P.N. Siegel. Terahertz Technology. IEEE Trans. MTT, 50 (3), теплоотводах, тогда как IMPATT-диоды, представленные 910 (2002).

в работах [27,28], изготовлены на медных теплоотво[10] G.I. Haddad, R.J. Trew. IEEE Trans. MTT, 50 (3), 760 (2002).

дах, теплопроводность которых в 4 раза хуже, чем [11] N.S. Boltovets, V.N. Ivanov, A.E. Belyaev, R.V. Konakova, алмазных. Этот факт свидетельствует о высоком уровне V.V. Milenin, D.I. Voitsikhovski, I.N. Arsentev, A.V. Bobyl, разработанной в [7,27–29] технологии кремниевых миS.G. Konikov, P.S. Kop’ev, M.E. Levinshtein, M.V. Shishkov, кроволновых диодов. Отметим при этом, что эта техноR.A. Suris, I.S. Tarasov. Proc. 5 ISTC SAC Seminar логия унифицирована и по ней изготавливается широкая Nanotechnologies in the area of physics, chemistry and номенклатура кремниевых микроволновых диодов на biotechnology (St. Petersburg, Ioffe Institute, Russia. May частотный диапазон 26.5-300 ГГц [7]. 27-29, 2002) p. 359.

Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. Контакты с дифузионными барьерами на основе фаз внедрения TiN, Ti(Zr)Bx в СВЧ диодах... [12] Р.В. Конакова, И.Н. Арсентьев, М.В. Байдакова, А.Е. Беля- [29] N.S. Boltovets, V.V. Basanets, A.V. Tsvir, A.M. Kurakin, ев, А.В. Бобыль, В.Н. Иванов, М.Е. Левинштейн, В.В. Ми- E.F. Venger, R.V. Konakova, V.V. Milenin, V.F. Mitin, E.A. Soленин, С.Г. Конников, П.С. Копьев, А.А. Ситникова, loviev. Proc. 10th Int. Crimean conf. „Microwave & Tele communication Technologies“ CriMiCo’2000 (11-15 SepР.А. Сурис. Тез. докл. VI Росс. конф. по физике полупроtember, Ukraine, Sevastopol: Veber, 2000) p. 139.

водников (27-31 октября, 2003, Санкт-Петербург, ФТИ им. А.Ф. Иоффе, Россия, 2003) с. 182.

Редактор Т.А. Полянская [13] I.N. Arsentev, A.V. Bobyl, S.G. Konnikov, I.S. Tarasov, A.E. Belyaev, R.V. Konakova, V.V. Milenin, N.S. Boltovets, Diffusion barrier contacts based on TiN, V.N. Ivanov. Proc. 5th Int. Kharkov Symp. „Physics and engineering of microwaves millimeter and submillimeter Ti(Zr)Bx interstitial phases in the UHF waves“ (June 21-26, 2004, Ukraine, Kharkov) v. 2, p. 572.

diodes for the range of 200-350 GHz [14] Г.Ф. Терещенко, И.Н. Арсентьев, А.В. Бобыль, С.Г. КонниN.S. Boltovets, V.N. Ivanov, A.E. Belyaev, ков, В.В. Устинов, А.Е. Беляев, Р.В. Конакова, В.В. Миленин, Н.С. Болтовец, В.Н. Иванов, А.П. Шпак, Э.М. Руден- R.V. Konakova, Ya.Ya. Kudrik, V.V. Milenin, ко. Тез. докл. конф. „Нанорозмiрнi системи. Електрон- I.N. Arsentyev+, A.V. Bobyl+, P.N. Brunkov+, на, атомна будова i властивостi“ (НАНСИС 2004) I.S. Tarasov+, A.A. Tonkikh+, V.P. Ulin+, V.M. Ustinov+, (12-14 августа, 2004, Украина, Киев, IМФ НАНУ, 2004) G.E. Cirlin+ с. 20.

State Enterprise SRI Orion“, [15] A.E. Belyaev, N.S. Boltovets, A.V. Bobyl, I.N. Arsentev, ” 03057 Kiev, Ukraine V.N. Ivanov, R.V. Konakova, S.G. Konnikov, Ya.Ya. Kudryk, V.E. Lashkariev Institute of Semiconductors Physics, V.V. Milenin, V.V. Ustinov, V.P. Ilin, I.S. Tarasov, National Academy of Sciences of Ukraine, G.F. Tereshchenko. Abstracts 1st Ukraine–Korea Seminar on Nanophotonics and Nanophysics (Kiev, Ukraine, 03028 Kiev, Ukraine + 21-23 June, 2005) p. 11.

Ioffe Physicotechnical Institute, [16] В.Ф. Олейник, В.Л. Булгач, В.В. Валяев, А.В. Зоренко, Russian Academy of Sciences, Д.В. Миронов, В.Е. Чайка. Электронные приборы милли194021 St. Petersburg, Russia метрового и субмиллиметрового диапазонов на основе нанотехнологий (Киев, ГУИКТ, 2004).

Abstract

New technology of temperature stabilized ohmic [17] Е.В. Бузанева. Микроструктуры интегральной элекcontacts with diffusion barriers based on the TiN, Ni(Zr)Bx троники (М., Радио и связь, 1990).

amorphous interstitial phases is used to develop GaAs, InP and Si [18] В.Ф. Дорфман. Микрометаллургия в микроэлектронике.

UHF diodes for the millimeter range frequencies (higher than Принципы технологии в полупроводниковом приборо100 GHz). Epitaxial layers grown on the porous III-V substrates строении (М., Металлургия, 1978).

by gas–phase, molecular beam and liquid phase epitaxy techniques [19] Н.Н. Бакин. Электронная промышленность, № 9, lead to the increasing of the reliability of GaAs and InP Gann (1993).

[20] А.С. Комаров, Л.Н. Кравченко, А.М. Кречмер, Л.Г. Шапо- diodes operating at the frequency of 200 GHz. The technology of вал. Электронная промышленность, № 9, 25 (1993).

the active element formation on the silicon metallized membrane [21] Л.Г. Лаврентьева, М.Д. Вилисова, И.В. Ивонин. Вестн.

is used for a first time to increase Si avalanche diode operating Томск. гос. ун-та. Сер. физика, № 285, 74 (2005).

range up to 350 GHz.

[22] А.А. Ситникова, А.В. Бобыль, С.Г. Конников, В.П. Улин.

ФТП, 39 (5), 552 (2005).

[23] Ф.Ю. Солдатенков, В.П. Улин, А.А. Яковенко, О.М. Федорова, С.Г. Конников, В.И. Корольков. Письма ЖТФ.

25 (21), 15 (1999).

[24] В.В. Мамутин, В.П. Улин, В.В. Третьяков, С.В. Иванов, С.Г. Конников, П.С. Копьев. Письма ЖТФ, 25 (1), 3 (1999).

[25] Ю.Н. Бузыкин, С.А. Гусев, В.М. Данильцев, М.Н. Дроздов, Ю.Н. Дроздов, А.В. Мурель, О.И. Хрыкин, В.И. Шашкин.

Письма ЖТФ, 26 (7), 64 (2000).

[26] И.Н. Арсентьев, М.В. Байдакова, А.В. Бобыль, Л.С. Вавилова, С.Г. Конников, В.П. Улин, Н.С. Болтовец, Р.В. Конакова, В.В. Миленин, Д.И. Войциховский. Письма ЖТФ, 28 (17), 57 (2002).

[27] N.S. Boltovets, V.V. Basanets, V.N. Ivanov, V.A. Krivutsa, A.E. Belyaev, R.V. Konakova, V.G. Lyapin, V.V. Milenin, E.A. Soloviev, E.F. Venger, D.I. Voitsikhovskyi, V.V. Kholevchuk, V.F. Mitin. Semicond. Phys., Quant. Electron & Optoelectron., 3 (3), 359 (2000).

[28] N.S. Boltovets, V.N. Ivanov, R.V. Konakova, A.M. Kurakin, V.V. Milenin, E.A. Soloviev, G.M. Veremeychenko. Semicond.

Phys. Quant. Electron. & Optoelectron., 4 (1), 93 (2001).

Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.