WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

по результатам численных расчетов [11], резко падала [11] В.П. Воронков, Г.А. Гурченок. ФТП, 24, 1831 (1990).

[12] В.И. Фистуль, А.М. Павлов. ФТП, 17, 854 (1983).

по мере удаления от области максимального градиента [13] С.С. Стрельченко, В.В. Лебедев. Соединения A3B5. Спратемпературы. Таким образом, полученные нами эксперивочник (М., Металлургия, 1984).

ментальные значения V хорошо укладываются в модель [14] А.Л. Захаров, Е.И. Асвадурова. Расчет тепловых паратермоупругого взаимодействия примесей с решеткой метров полупроводниковых приборов (М., Радио и связь, полупроводника.

1983).

Перемещение границы p-n-перехода в глубь Редактор Л.В. Шаронова n-GaAs1-xPx наблюдалось в работе [3] после облучения прямозонных структур потоком быстрых нейтронов, пронизывающих полупроводниковый материал Laser–induced shift of a p-n junction практически без ослаблений. Однако физические boundary in direct-gap GaAsP structures механизмы перемещений p-n-переходов в этих двух G.A. Sukach случаях различны. При нейтронном облучении основной причиной перемещения p-n-перехода является Institute of Semiconductor Physics, равномерная генерация вакансий галлия по всему Ukrainian Academy of Sciences, объему полупроводниковой структуры. Такая ситуация 252028 Kiev, the Ukraine способствует перемещению ионов Zn- под действием Ga градиента концентрации и потоков ионов, связанных

Abstract

The p-n junction boundary shift has been found с внутренним встроенным электрическим полем. В experimentally in the direct-gap GaAsP srtuctures treated by a случае лазерного облучения сильно поглощаемым strongly absorbed laser radiation. It is shown that this phenomen светом имеет место экспоненциальное уменьшение is caused primarily by the diffusion fluxes of Zn ions from the p интенсивности проникающего в образец излучения, to n region, which manifest themselves in the fields of thermoа значит, и создаваемых им вакансий, в частности, elastic stresses induced by significant temperature gradients. The галлия. Следовательно, вклад механизма, связанного dependence of the p-n junction shift on the laser parameters has с генерацией вакансий галлия, по мере приближения been established.

к геометрической границе между p- и n-областями ослабевает (на глубине w0 = 2.25 мкм приблизительно в 1010 раз).

Таким образом, на основании выполненных исследований можно сделать вывод о том, что основной механизм перемещения p-n-перехода при облучении его сильно поглощаемым светом связан с термоупругими напряжениями, обеспечивающими аномально ускоренную диффузию ионов цинка в процессе пластической деформации.

Обнаруженные явления показали возможность получения p-n-переходов с рядом заданных свойств.

Список литературы [1] Э.Л. Савин, Б.И. Болтакс. ФТП, 5, 1331 (1971).

[2] Б.И. Болтакс, С.М. Городецкий, Т.Д. Джафаров, Г.С. Куликов, Р.Ш. Малкович. ФТТ. 13, 3420 (1971).

[3] Г.А. Сукач. ФТП, 27, 697 (1993).

[4] А.В. Двуреченский, Г.А. Качурин, Е.В. Нидаев, Л.С. Смирнов. Импульсный отжиг полупроводниковых материалов (М., Наука, 1982).

Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, №

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.