WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

IP-F ln = f (U1/4) (CFU1/4 - 1) 6. Заключение в область больших смещений. На рис. 3 кривая 2 соотИсследованы вольт-амперные и вольт-фарадные харакветствует температурной зависимости 2, полученной с теристики контактов Au/Ti–n-GaAs, изготовленных по учетом вклада токов IP-F. Наклон этой прямой достаточдвум технологическим маршрутам (ТМ № 1 и ТМ № 2).

но близок к ожидаемому из теоретических расчетов [4] Из полученных результатов можно сделать следующие (рис. 3, прямая 3).

выводы.

Аналогичные данные получены для других исследо1. Прямые ветви вольт-амперных характеристик в обванных образцов. Подводя итог, приходим к выводу, что параметры исследованных диодов зависят от техноло- ласти малых смещений хорошо описываются в рамках диодной теории для реальных контактов металл– гического маршрута и качества эпитаксиальных слоев n-GaAs. Диоды, изготовленные на подложках без пред- полупроводник. Коэффициент идеальности составляет b = 1.01-1.42. Высота потенциального барьера лежит варительно нанесенного диэлектрика, имели меньший в интервале 0.76-0.87 эВ.

коэффициент идеальности и критическое напряжение выше 200 В (табл. 1, блоки измерений 4–6). 2. Рост обратного тока с повышением напряИз сравнения данных табл. 1 (блоки 1 и 3) следует, жения объясняется эффектами Пула–Френкеля при что диоды, изготовленные на эпитаксиальных структу- 20 U 60 В, а также туннелированием электронов, рах II, при прочих равных условиях имеют меньшую вы- облегченным фононами, в области более высоких напрясоту барьера, меньший коэффициент идеальности, кроме жений.

Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 752 Д.Н. Захаров, В.М. Калыгина, А.В. Нетудыхатко, А.В. Панин 3. Для получения диодов с меньшим разбросом значений высоты потенциальных барьеров и коэффициента b идеальности b, а также с более высокими значениями обратного напряжения Ucr, соответствующего току -5 мкА, целесообразно использовать эпитаксиальные структуры без предварительно нанесенного диэлектрика (маршрут ТМ № 2).

Авторы выражают благодарность О.Ю. Малаховскому за предоставленные образцы и полезное обсуждение результатов эксперимента.

Список литературы [1] В.И. Гаман. Физика полупроводниковых приборов (Томск, НЛТ, 2000) гл. 1.

[2] С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 1, с. 109.

[3] R. Brazis, P. Pipinys, A. Rimeika, L. Gegznaite. Sol. St.

Commun., 55 (1), 25 (1985).

[4] В. Карпус, В.И. Перель. ЖЭТФ, 91, 6 (12), 2319 (1986).

[5] П.А. Пипинис, А.К. Римейка, В.А. Лапейка, А.В. Пипинене.

ФТП, 32, 882 (1998).

[6] С.Д. Ганичев, И.Н. Яссивич, В. Преттл. ФТТ, 39 (11), 1905 (1997).

[7] С.В. Булярский, А.В. Жуков. ФТП, 35 (5), 560 (2001).

[8] А.В. Панин, А.Р. Шугуров, В.М. Калыгина. ФТП, 36 (1), 78 (2001).

[9] Т.В. Львова, В.Л. Берковиц, М.С. Дунаевский. ФТП, 37 (8), 955 (2003).

Редактор Т.А. Полянская Influence of design and technology factors on electrical characteristics of Au/Ti–n-GaAs Shottky diodes D.N. Zacharov, V.M. Kalygina, A.V. Netudychatko, A.V. Panin+ V.D. Kuznetsov Physico-Technical Institute at Tomsk State University, 634050 Tomsk, Russia Institute of Semiconductor Devices, 634050 Tomsk, Russia + Institute of Strength Physics and Materials Science, Siberian Branch of Russian Academy of Science, 634021 Tomsk, Russia

Abstract

The electrical properties of Au/Ti–n-GaAs Shottky diodes are investigated depending on technology of production. In weak fields the forward and reverse voltage-current characteristics of diodes are analyzed on base of mechanism of thermal emission of electrons over metal–semiconductor barrier. It is assumed that increasing of reverse currents at 20-60 V interval can be explained as Poole–Frenkel effect. At voltages above 60 V, the excess reverse currents are defined by phonon-assisted tunneling of electrons through deep states in the depletion region of semiconductor.

Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.