WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

При совместном легировании теллурида кадмия при[19] P. Christman, J. Kreissl, D.M. Hofmann, B.K. Meyer, месями ванадия и германия получается компенсированR. Schwarz, K.W. Benz. Cryst. Growth, 161, 259 (1996).

ный материал теллурида кадмия p-типа проводимости.

[20] Yu.P. Gnatenko, I.O. Faryna, P.M. Bakivskij, O.A. Shigiltchoff, Электрические и оптические характеристики образцов, R.V. Gamernyk, S.Yu. Paranchych, L.D. Paranchych. J. Phys.:

взятых с различных участков кристалла, свидетельству- Condens. Matter., 14, 7027 (2002).

[21] Ю.П. Гнатенко, Р.В. Гамерник, И.А. Фарина, В.С. Блашкив, ют о хорошей однородности материала, за исключением А.С. Крочук. ФТП, 30 (11), 1975 (1996).

самой верхней части.

В спектрах низкотемпературного поглощения в об- Редактор Л.В. Беляков ласти малых энергий наблюдаются примесные уровни, обусловленные ионами ванадия и германия в различных Physical properties of CdTe co-doped зарядовых состояниях.

with V and Ge При отжиге кристаллов CdTe : V : Ge (NV = S.Yu. Paranchych, L.D. Paranchych, V.N. Makogonenko, = 1 · 1019 см-3, NGe = 5 · 1018; 1 · 1019 см-3) в парах кадYu.V. Tanasyuk, M.D. Andriychuk, V.R. Romanyuk мия с последующим резким охлаждением осуществляChernovtsy National University, ется изменение дефектной подсистемы таким образом, 58012 Chernovtsy, Ukraine что различного рода комплексы, образованные в процессе кристаллического роста, распадаются, что

Abstract

Single crystals of cadmium telluride co-doped with приводит к росту электропроводности и концентрации vanadium and germanium in concentrations of NV = 1·1019 cm-3, носителей заряда.

NGe = 5 · 1018; 1 · 1019 cm-3 in melt have been obtained by Bridgman method. Their electrical and galvano-magnetic properties Список литературы studied within the 300-400 K temparature range are shown to be determined by deep levels ( E = 0.75-0.95 eV) located almost [1] D.D. Nolte. Photorefractive effects and materials (Bosin the middle of the band gap. The low temperature optical ton-Dordercht-London, Kluwer Academic Publishers, absorption spectra testify that within the range of low energies 1995).

the impurity levels of vanagium and germanium ions belong to [2] C. Gu, Y. Xu, Y. Liu, J.J. Pan, F. Zhou, H. He. Opt. Mater., different charge states. Thermal treatment in cadmium vapor 23, 219 (2003).

followed by fast cooling leads to the decomposition of different [3] Kreissl, H.-J. Schulz. Cryst. Growth, 161, 239 (1996).

complexes that have been formed during the growth process, and [4] H.-J. Schulz. Mater. Chem. Phys., 15 (5-6), 373 (1987).

increases electroconductivity and the charge carrier concentrations [5] M. Gauneau, R. Volle, G. Martel, J.Y. Moisan. Opt. Mater., 7, 21 (1997). as well.

Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.