WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

обладающие максимальными силами осцилляторов переходов [17,18]. При этом величины вклада высоковозбужденных линий дырки (nh 2; lh = mh = 0) отно4. Сравнение теории с экспериментом сительно вклада линии (nh = 0; lh = mh = 0) являются пренебрежимо малыми ( 9 · 10-2). Следует отметить, В экспериментальной работе [15,16] исследовались что при этом для уровней электронно-дырочной пары th низкотемпературные (T 4.2K) спектры межзонного E1,0,0(S) (3) (где th = 2nh = 0, 2, 4, 6) неравенство (6) поглощения диспергированных в прозрачной диэлектрихорошо выполняется.

ческой матрице силикатного стекла (с ДП 1 = 1.5) Приведем оценки относительного сдвига 0(a) (12) ПМ сульфида кадмия (ДП 2 = 9.3) размером a aex.

порога поглощения света в ПМ с радиусами a aex для В области переходов на нижний уровень (ne = 1, le = 0) тех же условий, в которых были выполнены эксперименразмерного квантования электрона была обнаружена ты [14,15]. Величины относительного сдвига 0(a) (12) структура, состоящая из эквидистантной серии уровней, достигают существенных значений по отношению к расстояние между которыми (т. е. величина расщепле- глубине потенциальной ямы V (S) (6) для электрония) E(a) a-3/2. Указанная структура обусловлена нов в ПМ. С ростом радиуса a ПМ от a = 3нм до a = 5 нм значения относительного сдвига 0(a) (12) квантованием энергетического спектра тяжелой дырки порога поглощения света в ПМ уменьшаются от 232.в адиабатическом потенциале электрона. Эффективные массы электрона и дырки в CdS равнялись me = 0.205m0 до 141.3 мэВ.

Таким образом, в рамках данной модели квазинульи mh = 5m0 (т. е. me/mh 1, m0 — значение массы мерной системы, в области размеров ПМ ah a aex, электрона в вакууме).

когда поляризационное взаимодействие электрона и Действительно, движение тяжелой дырки в электрондырки с поверхностью ПМ играет доминирующую роль, ном потенциале, в области размеров ПМ (5), которая показано, что край поглощения ПМ формируется двумя также включает в себя интервал радиусов ПМ, изусравнимыми по интенсивности переходами с разных ченных в [15,16], приводит к появлению в энергетиуровней размерного квантования дырки на нижний ческом спектре дырки эквидистантной серии уровней, уровень размерного квантования электрона. Установлерасстояние между которыми определялось выражением но, что порог поглощения света в ПМ, претерпевает 0(S, ne = 1) (4) [7,8]. При этом для ПМ с радиубольший сдвиг в коротковолновую сторону ( 200 мэВ) сами a aex значения расщепления 0(S, ne = 1) (4) по сравнению с аналогичным сдвигом, полученным в [3] находятся в хорошем согласии с экспериментальными без учета поляризационного взаимодействия.

данными E(a) [15,16], отличаясь от последних лишь незначительно ( 6%) [7,8].

Список литературы Для тех же условий, в которых были выполнены эксперименты [15,16] с помощью форму[1] А.И. Екимов, А.А. Онущенко. Письма ЖЭТФ, 40 (8), лы (9), получим значения квадратов интеграла пе(1984).

рекрытия (K(S, )/A) (10) для переходов дырки с [2] Ю.В. Вандышев, В.С. Днепровский, В.И. Климов. ЖЭТФ, эквидистантной серии уровней (nh = 0; lh = mh = 0), 101 (1), 270 (1992).

(nh = 1; lh = mh = 0), (nh = 2; lh = mh = 0) и (nh = 3;

[3] Ал.Л. Эфрос, А.Л. Эфрос. ФТП, 16 (7), 1209 (1982).

lh = mh = 0), идущих на нижний уровень размерного [4] A.L. Efros, A.V. Rodina. Phys. Rev. B 47 (10), 10 005 (1993).

Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. Межзонное поглощение света в полупроводниковых наноструктурах [5] M. Nirmal, D. Norris, A.L. Efros. Phys. Rev. Lett., 75 (10), 3728 (1995).

[6] Н.А. Ефремов, С.И. Покутний. ФТТ, 27 (1), 48 (1985);

ФТТ, 32 (6), 1632 (1990).

[7] С.И. Покутний. ФТП, 25 (4), 628 (1991); ФТП, 30 (11), 1952 (1996).

[8] S.I. Pokutnyi. Phys. Lett. A, 168 (5, 6), 433 (1992).

[9] С.И. Покутний. ФТТ, 38 (9), 2667 (1996).

[10] Н.В. Ткач, В.А. Головацкий. ФТТ, 32 (8), 2512 (1990).

[11] Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Квантовая механика (М., Наука, 1974).

[12] В.М. Агранович. Теория экситонов (М., Наука, 1968).

[13] В.Я. Грабовскис, Я.Я. Дзенис, А.И. Екимов. ФТТ, 31 (1), 272 (1989).

[14] Г.Б. Григорян, Э.М. Казарян, Ал.Л. Эфрос. ФТТ, 32 (12), 1772 (1990).

[15] А.И. Екимов, А.А. Онущенко, Ал.Л. Эфрос. Письма ЖЭТФ, 43 (6), 292 (1986).

[16] D. Chepic, A.Efros, A. Ekimov. J. Luminesc., 47 (3), (1990).

[17] С.И. Покутний. ФТТ, 39 (4), 606 (1997).

[18] С.И. Покутний. ФТТ, 39 (4), 720 (1997).

Редактор Л.В. Беляков Inter-band absorption of light in semiconductor nanostructures S.I. Pokutnii Ilyichevsk Educational Research Centre, I.I. Mechnikov Odessa National University 68001 Ilyichevsk, the Ukraine

Abstract

Absorption of light in a small semiconductor microcrystal is theoretically studied in the framework of a dipole approximation. The expression for the coefficient of light absorption is obtained under conditions when the polarization interaction of an electron and a hole with the surface of the microcrystal plays an important role.

Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.