WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

рошо интерпретируются в рамках модели, учитывающей Однако для CdxHg1-xTe узкозонных составов эти эффотопроводимость в приповерхностной ОПЗ и рекомбифекты могут преобладать при низких температурах. На нации в ней. Для некомпенсированных и слабо компенрис. 4 приведены зависимости фототока короткого замысированных образцов с v =(0.3 1.0) · 10-6 с после кания от напряжения смещения в структурах. Можно винанесения тонкого слоя алюминия изгиб поверхностдеть, что при обратном напряжении смещения фототок в ных зон увеличивается, что, вследствие малой скорости структуре на основе сильно компенсированного образца поверхностной рекомбинации (S 100 см/с), ведет с Nd 1013 см-3 уменьшается. Подобный спад фототока к увеличению s и повышению фоточувствительности наблюдался в МДП структуре на основе p-Cd0.2Hg0.8Te в коротковолновой области спектра. Для сильно комс Na = 3 · 1015 см-3 в работе [9], и объяснялось пенсированных образцов с v > 10-5 с увеличения это туннелированием носителей заряда через примесные s не наблюдается, что связано с существенными тунцентры в ОПЗ. Как показывает анализ, для концентраций нельными и туннельно-рекомбинационными процессами Nd 1013 см-3 этот механизм неприемлем. К тому же в ОПЗ. В условиях локализации фотопроводимости в для образца p-CdxHg1-xTe с Na = 5·1015 см-3 в пределах приповерхностной ОПЗ из комбинированных измерений указанных на рис. 4 напряжений смещения спад фототока фотопроводимости и барьерной фотоэдс для обоих тине наблюдается. пов образцов CdxHg1-xTe найдены значения скорости Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 744 Э.Ю. Салаев, Э.К. Гусейнов, Атеш Тезер, Н.Д. Исмайлов поверхностной рекомбинации и поверхностной подвижности носителей заряда. Показано, что меньшие значения поверхностной подвижности по сравнению с объемной могут приводить к сильному (до 20 раз) понижению фоточувствительности в коротковолновой области спектра.

Список литературы [1] Н.Р. Ангин, В.В. Антонов, А.В. Войцеховский, М.Р. Пашковский. Зарубежн. электрон. техн., 5, 49 (1984).

[2] Е.П. Мацасс, А.И. Власенко, Е.А. Сальков, О.В. Снитко, А.В. Любченко, УФЖ, 26, 670 (1981).

[3] А.Я. Вуль, К.В. Санин, В.И. Федоров, Р.Ю. Хансеваров, Ю.В. Шмарцев. Письма ЖТФ, 5, 932 (1979).

[4] E.K. Guseinov, N.D. Ismailov. Turkish J. Phys., 18, 660 (1994).

[5] Э.К. Гусейнов, Н.Д. Исмайлов. ФТП, 29, 1790 (1995).

[6] D.J. Peterman, D.J. Friedman, Appl. Phys. Lett., 42, (1980).

[7] В.А. Зуев, А.В. Саченко, К.В. Толпыго. Неравновесные приповерхностные процессы в полупроводниках и полупроводниковых приборах (М., Радио и связь, 1977).

[8] А.Я. Вуль, К.В. Санин, А.Т. Дидейкин, Ю.С. Зинченко, А.В. Саченко. ФТП, 17, 1471 (1983).

[9] В.В. Антонов, А.В. Войцеховский, А.В. Криулин, Д.А. Марцулов, М.С. Никитин, А.Ю. Никофоров, А.С. Петров, А.А. Умеренко. Микроэлектроника, 16, 407 (1987).

[10] М.Е. Райх, И.М. Рузин. ФТП, 21, 456 (1987).

Редактор В.В.Чалдышев Peculiarities of photoconductivity of CdxHg1-xTe (x = 0.2-0.3) single crystals with thin aluminium film coatings E.Yu. Salayev, E.K. Guseinov, Atesh Tezer, N.D. Ismailov Institute of Photoelectronics of Azerbaijan Academy of Sciences, 370141 Baku, Azerbaijan TUBITAK, Marmara Research Center, 41470 Gebze, Kocaeli-Turkey

Abstract

Results of an experimental study of photoconductivity of p- and n-CdxHg1-xTe (x = 0.2-0.3) under surface coating with the thin aluminium film are presented. Analysis of the results has been carried out with taking into account the influence of the subsurface range of a space charge on the photoelectric properties of Al-CdxHg1-xTe. Due to measurements of the photoconductivity and barrier photocurrent, the values of the surface recombination rate and the surface mobility of the charge carriers have been determined.

Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, №

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.