WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

Rev. Lett., 60, 848 (1988).

[5] L.P. Kouwenhoven, B.J. van Weels, C.J.P.M. Harmans, J.G. Williamson, H. van Houten, C.W.J. Beenakker, C.T. Foxon, J.J. Harris. Phys. Rev. B, 39, 8040 (1989).

[6] А.И. Ансельм. Введение в теорию полупроводников (М., Наука, 1978).

[7] N.T. Bagraev, E.I. Chaikina, L.E. Klyachkin, I.I. Markov, W. Gehlhoff. Superlatt. Microstr., 23, 337 (1998).

[8] N.T. Bagraev, L.E. Klyachkin, A.M. Malyarenko, W. Gehlhoff.

Superlatt. Microstr., 23, 1333 (1998).

[9] Н.Т. Баграев, В. Гельхофф, В.К. Иванов, Л.Е. Клячкин, А.М. Маляренко, И.А. Шелых. ФТП, 34, 97 (2000).

[10] W. Gehlhoff, N.T. Bagraev, L.E. Klyachkin. Sol. St.

Phenomena, 47–48, 389 (1996).

[11] C.-T. Liang, M.Y. Simmons, C.G. Smith, G.H. Kim, D.A. Ritchie, M. Pepper. Phys. Rev. Lett., 81, 3507 (1998).

[12] Y. Nakajima, Y. Takahashi, S. Horiguchi et al. Extend. Abstr.

IC SSDM (Yokohama, Japan, 1994) p. 538.

Редактор Л.В. Шаронова Conductance of ballistic quantum wires at non-zero temperatures N.T. Bagraev, V.K. Ivanov, L.E. Klyachkin, A.M. Malyarenko, I.A. Shelykh Ioffe Physicotechnical Institute, 194021 St. Petersburg, Russia St. Petersburg State Technical University, 195251 St. Petersburg, Russia

Abstract

Temperature dependent conductance of ballistic quantum wire has been calculated for kT Ej - µ, the filling of quantum subbands being taken into account; here µ(T ) is the chemical potential, and Ej corresponds to the top of the quantum subband. The contribution of the filled in subbands to the ballistic conductance is described by the Landauer–Buttiker formula, whereas the conductance decreases when the subband is partly filled in, which results in disappearance of the quantum steps in case kT coincides with the quantum subband gap. This temperature quenching of the quantum steps under the gate voltage is demonstrated when studying quantum wires prepared inside the ultra-shallow boron diffusion profile in a Si (100) wafer.

Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.