WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

структур: с традиционными квантовыми ямами InGaAsN в GaAs и структур с активной областью, состоящей из короткопериодной сверхрешетки GaAsN/InGaAsN, в квантовой ямы приводит к сдвигу линии излучения центр которой помещена квантовая яма InGaAsN со до 1.49 мкм без падения интенсивности ФЛ, а добаввставкой InAs субмонослойной толщины. Исследованление одного периода чередующихся слоев окружаюные гетероструктуры демонстрируют излучение в диащей сверхрешетки InGaAsN/GaAsN приводит к дальнейпазоне длин волн от 1.3 до 1.55 мкм при комшему длинноволновому сдвигу. Такая гетероструктура натной температуре. Обнаружено существенное отличие (структура G) излучает на длине волны 1.505 мкм. Для оптических свойств гетероструктур первого и второго всех исследуемых видов гетероструктур продвижение в вида. Для гетероструктур второго вида характерны меньобласть больших длин волн излучения сопровождается шие значения полуширины линии фотолюминесценци падением интегральной интенсивности ФЛ. Однако в и стоксова сдвига между энергией максимума ФЛ и случае структуры G указанное падение существенно энергией максимума спектра возбуждения люминесценниже (в 24 раза по сравнению со структурой A), чем ции, соответствующего основному состоянию КЯ, что в структуре D (в 330 раз по сравнению с A).

свидетельствует об уменьшении локальных флуктуаций На рис. 5, a приведены зависимости положений мак- элементного состава благодаря использованию меньших симумов ФЛ структур E-G от мощности оптической средних концентраций азота и индия, чем в традиционнакачки при 10 K. Видно, что величина коротковолново- ной квантовой яме. Примененный метод выращивания го сдвига максимума ФЛ уменьшается до = 11 МэВ и дизайн структуры позволяют, таким образом, достичь для структуры E по сравнению со структурой B требуемых длин волн с улучшением эффективности лю(16 мэВ) при неизменном составе ямы и уменьшается минесценции. Таким образом, реализация инжекционных до 6 мэВ (структура G) при добавлении InAs-слоя в лазеров, излучающих в области 1.55 мкм с использо7 Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 740 Н.В. Крыжановская, А.Ю. Егоров, В.В. Мамутин, Н.К. Поляков, А.Ф. Цацульников...

ванием гетероструктур второго вида, представляется Optical propertires of heterostructures наиболее перспективным путем и позволяет надеяться with InGaAsN layers on GaAs substrate, на улучшение характеристик лазерных структур для emitting at 1.3-1.55 µm указанного диапазона.

N.V Kryzhanovskaya, A.Yu. Egorov, V.V. Mamutin, Работа была выполнена при поддержке программы N.K. Polyakov, A.F. Tsatsul’nikov, A.R. Kovsh, Министерства науки и технологий РФ „Физика твер N.N. Ledentsov, V.M. Ustinov, D. Bimberg дотельных наноструктур“, проекта РФФИ (№ 02-02Ioffe Physical Technical Institute, 17677), проекта SANDiE (Self-Assembled Semiconductors 194021 St. Petersburg, Russia Nanostructures for New Devices in Electronics) и проекта Institut fr Festkrperphysik, Technische Universitt, INTAS Young Scientist Fellowships № 03-55-882.

D-10623 Berlin, Deutschland Список литературы

Abstract

Investigations of optical properties of two types of heterostructures with quatum-size InGaAsN/GaAs layers grown by [1] J.S. Harris. Semicond. Sci. Technol., 17, 880 (2002).

molecular beam epitaxy are done. The first type of heterostructures [2] B. Borchert, A.Yu. Egorov, S. Illek, M. Komainda, H. Riechert.

consists of a conventional InGaAsN quantum well in GaAs. The Electron. Lett., 35, 2204 (1999).

[3] M.C. Larson, M. Kondow, T. Kitatani, K. Nakahara, K. Tamu- active part of the second type of heterostructures consists of a ra, H. Inoue, H. Oumi. IEEE Photon. Technol. Lett., 10, 188 InGaAsN quantum well with the submonolayer thickness InAs in(1998).

sertion, built in a short period GaAsN/InGaAsN superlattice. The [4] M. Kondow, K. Uomi, K. Hosomi, T. Mozume. Jap. J. Appl.

structures under investigations emit within the wavelength range Phys., 33, L1056 (1994).

1.3-1.55 µm at room temperature. To obtain the emission with [5] M. Fischer, M. Reinhardt, A. Forhel. Electron. Lett., 36, a wavelength larger than 1.5 µm in heterostructures of the second (2000).

types required are less average nitrogen and indium concentrations [6] L.F. Bian, D.S. Jiang, S.L. Lu, J.S. Huang, K. Chang, L.H. Li, than in conventional quantum wells. This allows us to appreciably J.C. Harmand, J. Cryst. Crowth., 250, 339 (2003).

decrease effects associated with the decomposition of an InGaAsN [7] А.Ю. Егоров, В.В. Мамутин, В.М. Устинов. Заявка на solid solution thus improving the radiative efficiency of InGaAsN патент РФ № 2004113171, приоритет от 28.04.2004.

quantum wells.

[8] B.V. Volovik, A.R. Kovsh, W. Passenberg, H. Kuenzel, N. Grote, N.A. Cherkashin, Yu.G. Musikhin, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, V.M. Ustinov. Semicond. Sci. Technol., 16, (2001).

[9] X.P. Xin, C.W. Tu. Appl. Phys. Lett., 72, 2442 (1998).

[10] V.A. Odnoblyudov, A.Yu. Egorov, N.V. Kryzhanovskaya, A.G. Gladyshev, V.V. Mamutin, A.F. Tsatsul’nikov, V.M. Ustinov. Techn. Phys. Lett., 28, 964 (2002).

[11] A. Polimeni, M. Capizzi, M. Geddo, M. Fischer, M. Reingardt, A. Forchel. Appl. Phys. Lett., 77, 2870 (2000).

[12] H.D. Sun, M.D. Dawson, M. Othman, J.C.L. Yong, J.M. Rorison, P. Gilet, L. Grenouillet, A. Million. Appl. Phys. Lett., 82, 376 (2003).

Редактор Т.А. Полянская Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.