WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

ность уровней энергии в силициде при энергиях выше при Le/d 1) с ростом длины свободного пробега уровня Форми. Энергетический интервал этого ”хвоста” для неупругих столкновений зависимость квантовой эфравен (2 3)kT, и число электронов с данной энергией фективности от энергии фотонов заметно отклоняется падает экспоненциально с ростом энергии. Если считать, от фаулеровской, возрастая в несколько раз в районе что сечение захвата электронами фотонов не зависит от длинноволнового края фоточувствительности. Напротив, энергии электрона, с ростом h будет экспоненциально изменение в широких пределах длины свободного пробеувеличиваться число электронов с энергиями, превышага для упругих столкновений слабо влияет на величину ющими высоту барьера, и, следовательно, быстро возраквантовой эффективности. Поскольку длина остывания стать Yi. Этот рост будет происходить до тех пор, пока определяется в основном электрон-электронными столкэнергии поглощенных фотонов не увеличатся настолько, новениями в слое силицида, для увеличения квантовой чтобы началась генерация горячих электронов с уровня эффективности на длинноволновом краепредпочтительФерми.

нее формировать БШ на основе силицида вырожденного Характер зависимостей, показанных на рис. 3, для полупроводника, чем на основе силицида металла. КоPtSi/Si и Si0.7Ge0.3/Si при малых h - 0 качественно личественное согласие полученных зависимостей внуможно объяснить вторым механизмом инжекции через БШ. Однако данные по CoSi2 не объясняются с этих тренней квантовой эффективности от разности между позиций. энергией фотона и высотой БШ (h - 0) наблюдается Как отмечалось выше, в случае не слишком тонкого для эксперментальных БШ из PtSi, CoSi2 и GeSi при слоя силицида, при h - 0 > kT. При h - 0 kT с ростом h экспериментальные результаты показывают быстрое (в (LpLe/3)1/2 < d 1/, (13) ряде случаев близкое к экспоненциальному) возрастание квантовой эффективности, не следующее непосредственна зависимости (Yih)1/2 = f (h - 0) существует область линейности, где Yi LeYF/d. В этой обла- но из рассмотренной модели и связанное, возможно, с сти, зная d, можно оценить величину Le — основно- необходимостью учета теплового разброса концентрации го параметра, обеспечивающего увеличение квантовой электронов вблизи уровня Ферми в слое силицида.

Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № Квантовая эффективность фотодиодов с барьером Шоттки вблизи длинноволновой границы Список литературы [1] J. Cohen, J. Vilms, R.J. Archer. Hewlett-Packards labs, Palo Alto, CA, Final Rep. AFCRL-69-0287, June 1969.

[2] R.J. Acher, J. Cohen. Device Res. Conf. (Rochester, N.Y., 1969).

[3] H. Elabd, W. Kosonoky. RCA Rev., 43, 569 (1982).

[4] R.H. Fowler. Phys. Rev., 38, 45 (1931).

[5] E.O. Kane. Phys. Rev., 147, 335 (1966).

[6] V.L. Dalal. J. Appl. Phys., 42, 2227 (1971).

[7] V.E. Vichers. Appl. Opt., 10, 2190 (1971).

[8] J.M. Mooney, J. Silverman. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-32, 33 (1985).

[9] В.Г. Иванов, С.А. Кассиров, В.И. Панасенков, В.С. Трояновский. Тез. докл. 4-й конф. по приборам с зарядовой связью и системам на их основе ”ПЗС-92” (М., 1992) с. 24.

[10] В.И. Смирнов. Курс высшей математики (М., Гостехиздат, 1951) т. 4.

[11] D.E. Mercer, C.R. Helms. J. Appl. Phys., 65, 5035 (1989).

[12] J. Kuriansky, Y. Vermairen, C. Claeys, W. Stessens, K. Maex, R. De Keersmaecker. SPIE Infr. Techn., 1157, 145 (1989).

[13] T.-L. Lin, J.-S. Park, T. George, E.W. Jones, R.W. Fathauer, J. Maserjian. Appl. Phys. Lett., 62, 3318 (1993).

[14] T.-L. Lin, J.-S. Park, S.D. Ganapala, E.W. Jones, H.M. Del Castillo. Opt. Eng., 33, 716 (1994).

[15] J.M. Mooney, J. Silverman, M.M. Weeks. SPIE Infrared Sensors and Sensor Fusion, 782, 99 (1987).

Редактор Л.В. Шаронова Quantum efficiency of Schottky photodiode in the vicinity of long-wave edge V.G. Ivanov, V.I. Panasenkov, G.V. Ivanov ”Elektron”, Scientific-Research Institute, 194233 St.Petersburg, Russia A.F.Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, 194021 St.Petersburg. Russia 7 Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, №

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.