WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

гой причиной уменьшения P( ) может быть появление макроскопических неоднородностей при малых значениях проводимости. В этом случае эффективная площадь ки T. Этот метод широко используется для определения образца становится меньше (вся мощность рассеиваетзависимости P(T, Te) (см., например, [6]).

ся на участках с максимальным сопротивлением), что Зависимости мощности P, необходимой для разогрева и приводит к видимому уменьшению P( ). Отсутствие носителей до температуры Te при температуре решет- зависимости P от при уменьшении (1.5K) до ки T = 1.5 K, приведены на рис. 5. Видно, что при малых величины 0.3G0 наблюдалось и в работе [6]. Однако мощностях P величина Te практически не зависит от авторы полагали, что переход к прыжковой проводиприложенной мощности, а затем выходит на степенную мости происходит при (1.5K) < (2-3)G0, поэтому зависимость. В структурах на основе полупроводников для объяснения постоянства P в диффузионной и прыжAIIIBV, при низких температурах (T, Te < 20 K) основ- ковой областях предполагали, что в исследованных ным механизмом релаксации энергии электронов явля- структурах реализуется не обычный фононный механизм ется взаимодействие с пьезоэлектрическим потенциалом прыжковой проводимости, а electron-electron interaction акустических фононов. Для этого механизма теория assistant hopping conductivity [6,7].

предсказывает следующую зависимость: P A(Te -T ), На наш взгляд, отсутствие зависимости P( ) где A — коэффициент, зависящий от параметров ма- при (1.5K) > 0.1G0 и резкое падение P( ) при Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 734 А.А. Шерстобитов, Г.М. Миньков, О.Э. Рут, А.В. Германенко, Б.Н. Звонков, Е.А. Ускова, А.А. Бирюков < 0.01G0 однозначно показывают, что проводимость [7] S. Marnieros, L. Berg, A. Juillard, L. Dumoulin. Phys. Rev.

Lett., 84, 2469 (2000).

остается диффузионной даже при значениях низкотем[8] P.J. Price. J. Appl. Phys., 53, 6863 (1982).

пературной проводимости порядка 0.1G0. Этот вывод [9] E. Chow et al., Phys. Rev. Lett., 77, 1143 (1996);

согласуется и с результатами, приведенными на вставке D.V. Khveshchenko, M. Reizer. Phys. Rev. B, 56, 15 к рис. 6 — отклонение значения коэффициента K (1997).

в выражении (1) от величины 1.5, соответствующей [10] И.Г. Савельев, Т.А. Полянская, Ю.В. Шмарцев. ФТП, 21, вкладу квантовых поправок, наблюдается также при 2096 (1987).

значении (1.5K)/G0 < 0.01. Отметим, что возрастание Редактор Т.А. Полянская величины 0 (2) при уменьшении, что соответствует обычному механизму прыжковой проводимости, происNonohmic conductivity under transition ходит при еще более низких значениях (1.5K)/G0, как видно из данных, представленных на вставке к рис. 6.

from weak to strong localization Таким образом, проведенные исследования зависимоin GaAs / InGaAs heterostructure стей проводимости от температуры и напряженности with two-dimensional electron gas электрического поля в широком диапазоне значений A.A. Sherstobitov, G.M. Minkov, O.E. Rut, проводимости показывают следующее. Температурная A.V. Germanenko, B.N. Zvonkov, E.A. Uskova, зависимость омической проводимости не является достаA.A. Birukov точным критерием для определения механизма проводимости; исследования неомической проводимости дают Institute of Physics and Applied Mathematics, возможность определить диапазон значений низкотемUral State University, пературной проводимости, когда диффузионный меха620083 Ekaterinburg, Russia низм проводимости сменяется прыжковым. Показано, Physical-Technical Research Institute, что в структурах GaAs / InGaAs / GaAs с двумерным University of Nizhni Novgorod, электронным газом при увеличении беспорядка про603600 Nizhni Novgorod, Russia водимость остается диффузионной вплоть до значений низкотемпературной проводимости, много меньшей, чем

Abstract

Transport measurements on GaAs / InGaAs / GaAs значение e2/.

structures with two-dimensional electron gas at different temperature and electric field in wide conductivity range (from Работа поддержана грантами РФФИ № 0-02 e2/ to e2/ ) are curried out. It is shown that 16215, № 01-02-06471, № 01-02-17003, программаtemperature dependence of ohmic conductivity is not a sufficient ми „Физика твердотельных наноструктур“, „Универcriterion for determining the conductivity mechanism. Study of ситеты России — фундаментальные исследования“ the nonohmic conductivity makes it possible to find the range (грант УР.06.01.002) и грантом REC-005 Американского of low-temperature conductivity, where diffusion mechanism is фонда поддержки и развития гражданских исследований changed by the hopping one. It is shown that in structures независимых государств бывшего Советского Союза investigated the conductivity mechanism remains diffusive down (CRDF).

to low-temperature conductivity values significantly less than e2/.

Список литературы [1] Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979).

[2] G.M. Minkov, O.E. Rut, A.V. Germanenko, A.A. Sherstobitov, B.N. Zvonkov, E.A. Uskova, A.A. Birukov. Phys. Rev. B, 65, 235 322 (2002).

[3] D. Vollhardt, P. Woelfle. Phys. Rev. Lett., 45, 842 (1980);

Phys. Rev. B, 22, 4666 (1980).

[4] B.L. Altshuler, A.G. Aronov. In: Electron-electron Interactions in Disordered Systems (Elsevier Science Publishers B.V., 1985) p. 1.

[5] H.W. Jiang, C.E. Jonson, K.L. Wang. Phys. Rev. B, 46, 12 (1992); T. Wang, K.P. Clark, G.F. Spenser, A.M. Mack, W.P. Kirk. Phys. Rev. Lett., 72, 709 (1994); C.H. Lee, Y.H. Chang, Y.W. Suen, H.H. Lin. Phys. Rev. B, 58, 10 (1998); F.V. Van Keuls, X.L. Hu, H.W. Jiang, A.J. Dahm. Phys.

Rev. B, 56, 1161 (1997); H.W. Jiang, C.E. Jonson, K.L. Wang, S.T. Hannahs. Phys. Rev. Lett., 71, (1993).

[6] M.E. Gershenson, Yu.B. Khavin, D. Reuter, P. Schafmeister, A.D. Wieck. Phys. Rev. Lett., 85, 1718 (2000).

Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.