WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

Суммарная толщина барьеров (d1 + d2) после каждого травления определялась путем подгонки рассчитанных спектров отражения к экспериментальным (см. рис. 2, a). Для первого шага травления получено (d1 + d2) =362 нм. Затем, удерживая суммарную толщину постоянной и перераспределяя ее между верхним и нижним барьерами, нашли наилучшее соответствие Рис. 3. Спектры электроотражения в спектральной области расчетного и экспериментального спектров электроотраосновных переходов в КЯ (номер травления обозначен 1-8).

жения для первого травления в спектральной области от других слоев в структуре, в частности от толщины нижнего барьера. Это связано с интерференцией света и показывает, что все слои и все границы раздела в структуре должны быть учтены при количественном анализе спектров электроотражения. Аналогичный вывод справедлив, конечно же, и для спектров отражения. Однако в этом случае вклад пропорционален толщине слоев. В результате влияние КЯ на спектр отражения оказывается относительно небольшим (см.

рис. 2). Кроме того, поскольку содержание Al в барьерах приблизительно одинаково, на практике лишь суммарная толщина барьеров может быть найдена по спектрам отражения. С другой стороны, как будет показано далее, совместное использование методов отражения и ЭО позволяет определить толщины обоих барьеров и КЯ.

Рис. 4. Спектры электроотражения в области переходов hh1EКоличественный анализ проводился с использованием и lh1E1 после 1-го травления. Сплошной линией обозначен метода матриц переноса для слоистых систем [7] и ДФ эксперимент, пунктирной — расчет.

Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. Электроотражение и отражение структуры GaAs/AlGaAs с одиночной квантовой ямой... Таблица 2. Толщина AlxGa1-x As-барьера на каждом шаге травления Шаг 1 2 3 4 5 6 7 8 травления d1 + d2 (нм) 362.0 342.3 322.7 301.9 279.3 233.9 202.7 181.3 155.d2 (нм) 204.5 184.8 165.2 144.4 121.8 76.4 45.2 23.8 переходов в КЯ. Другими подгоночными параметрами вертикальная пунктирная линия), хорошо ложатся на являлись ширина КЯ, разрыв зон, уширение оптических расчетную кривую. Отклонение двух последних точек переходов и сила осциллятора для перехода hh1E1. Было (7-й и 8-й шаги травления) от расчетной зависимости установлено, что наилучшее соответствие достигается связано с резким уменьшением эффективности модупри толщинах верхнего и нижнего барьеров d2 = 204.5 и ляции электрического поля в КЯ при малой толщине d1 = 157.5 нм, ширине КЯ, равной 9.61 нм, и отношении верхнего барьера. Можно предполагать, что этот эффект разрыва зоны проводимости и валентной зоны, равном обусловлен наличием поверхностного заряда на границе 75/25. Сравнение рассчитанного и экспериментального с электролитом, не учтенным в расчете.

спектров электроотражения в области двух первых переходов в КЯ представлено на рис. 4.

5. Заключение Используя найденную толщину верхнего барьера после 1-го шага травления (d2 = 204.5нм) и суммарную Мы провели исследование структуры GaAs/AlGaAs с толщину барьеров на каждом из шагов травления, одиночной квантовой ямой методами электроотражения полученную из подгонки спектров отражения (вторая и отражения при комнатной температуре. Сравнение строка табл. 2), определили толщину верхнего барьера с расчетом позволило нам провести идентификацию для всех шагов травления. Эти данные приведены в переходов и определить параметры квантовой ямы (шитретьей строке табл. 2. С помощью этих параметров, рину квантовой ямы, значения разрыва зон, содержание были рассчитаны спектры электроотражения для кажалюминия в барьерах), а также толщину каждого из дого шага травления и установлено хорошее согласие барьерных слоев. Данная методика межет быть испольс экспериментом. Отметим, что указанные выше зназована как неразрушающий метод контроля структур с чения параметров КЯ подтверждаются для всех шагов квантовыми ямами.

травления, а рассчитанные спектры электроотражения обнаруживают осциллирующее поведение в зависимости В заключение авторы выражают благодарность от толщины верхнего барьера. На рис. 5 показано это M. Henini и M. Chamberlain за предоставление образцов поведение для энергии фотона 1.465 эВ. Видно, что экс- для измерений, D. Johnston, B. Feldmann и N. Stein периментальные точки, считанные с экспериментальных за участие в экспериментах, V. Nakov за помощь в спектров при этой же энергии фотона (см. рис. 3, проведении расчетов и R. Goldhahn за многократные обсуждения.

Список литературы [1] A.J. Shields, P.C. Klipstein. Phys. Rev. B, 43, 9118 (1991).

[2] A.F. Terzis, X.C. Liu, A. Petrou, B.D. McCombe, M. Dutta, H. Shen, Doran D. Smith, M.W. Cole, M. Taysing-Lara, P.G. Newman. J. Appl. Phys., 67, 2501 (1990).

[3] R. Ferrini, M. Geddo, G. Guizzetti, M. Patrini, S. Franchi, C. Bocchi. Phys. Rev. B, 59, 15 395 (1999).

[4] D.Y. Li, S.H. Liang, Y.S. Huang, K.K. Tiong, Fred H. Pollak, K.R. Evans. J. Appl. Phys., 85, (1999).

[5] Y. Fu, M. Willander, Z.L. Miao, W. Li. J. Appl. Phys., 89, (2001).

[6] A. Herasimovich, S. Shokhovets, R. Goldhahn, G. Gobsch.

Thin Sol. Films, 450 (1), 199 (2004).

[7] М. Борн, Э. Вольф. Основы оптики (М., Наука, 1970) с. 77.

[8] G. Bastard. Phys. Rev. B, 24, 5693 (1981).

Рис. 5. Расчетная (сплошная линия) и экспериментальная [9] M.G. Burt. Appl. Phys. Lett., 65, 717 (1994).

(точки) зависимости амплитуды сигнала электроотражения на [10] M. Altarelli, U. Ekenberg, A. Fasolino. Phys. Rev. B, 32, энергии фотона 1.465 эВ от толщины верхнего барьера. (1985).

Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 734 А.А. Герасимович, С.В. Жоховец, Г. Гобш, Д.С. Доманевский [11] D.A. Broido, L.J. Sham. Phys. Rev. B, 34, 3917 (1986).

[12] A. Twardowski, C. Hermann. Phys. Rev. B, 35, 8144 (1987).

[13] D. Ahn, S.-L. Chuang. IEEE J. Quant. Electron., 26, 13 (1990).

[14] I. Vurgaftman, J.R. Meyer, L.R. Ram-Mohan. J. Appl. Phys., 89, 5815 (2001).

[15] D.S. Chemla, D.A.B. Miller, P.W. Smith, A.C. Gossard, W. Wiegmann. IEEE J. Quant. Electron., 20, 265 ( 1986).

[16] E.H. Li, B.L. Weiss, K.S. Chan. IEEE J. Quant. Electron., 32, 1399 (1996).

[17] S.L. Chuang. Physics of Optoelectronic Devices (N. Y.– Chichester–Brisbane–Toronto–Singapore, John Wiley & Sons, Inc., 1995) p. 385.

[18] D. Ahn, T.-K. Yoo. IEEE J. Quant. Electron., 29, 2864 (1993).

[19] C.C. Kim, J.W. Garland, P.M. Raccah. Phys. Rev. B, 47, (1993).

Редактор Л.В. Беляков Room-temperature electroreflectance and reflectance of a GaAs/AlGaAs single quantum well structure A.A. Herasimovich+, S.V. Shokhovets+, G. Gobsch+, D.S. Domanevsky Belarussian National Technical University, 220100 Minsk, Belarus + Institute of Physics, Ilmenau Technical University, 98684 Ilmenau, Germany

Abstract

Electroreflectance and reflectance of a GaAs/AlGaAs single quantum well structure at room temperature were studied.

We observed an oscillatury behavior of the electroreflectance signal in dependence on the thickness of AlGaAs top barrier layer.

Experimental data are analyzed using the dielectric function of the quantum well and the transfer matrix method for multilayer systems which allows us to determine parameters of the quantum well and barrier layers.

Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.