WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     || 2 |
Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 6 Тонкая структура краевой ультрафиолетовой люминесценции активированных в плазме азота пленок GaN : Mg и электролюминесцентные гетероструктуры ZnO–GaN : Mg на их основе © А.Н. Георгобиани, А.Н. Грузинцев¶, М.О. Воробьев, У. Кайзер†, В. Рихтер†, И.И. Ходос Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, 117333 Москва, Россия Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, 142432 Черноголовка, Россия † Научно-исследовательский институт твердого тела, 01171 Дрезден, Германия (Получена 10 ноября 2000 г. Принята к печати 21 ноября 2000 г.) Проведены исследования влияния отжига в плазме азота легированных магнием пленок нитрида галлия на спектры их фотолюминесценции, фотопроводимости и тип проводимости. Обнаружен ряд узких полос свечения с максимумами 3.06, 3.17 и 3.27 эВ в ультрафиолетовой области спектра GaN : Mg после низкотемпературного отжига в плазме азота. Получены электролюминесцентные гетероструктуры ZnO–GaN : Mg с максимумами свечения в ультрафиолетовой экситонной области нитрида галлия — при энергии 3.44 эВ и краевой области нитрида галлия — при энергии 3.26 эВ.

1. Введение свечение, но и повлиять на проводимость пленки. Дело в том, что легирование нитрида галлия в процессе роста Получение качественных пленок нитрида галлия n- акцепторными примесями (Mg или Zn) из-за эффекта их и p-типа проводимости позволило создать эффективные компенсации приводит к формированию высокоомного светодиоды и полупроводниковые лазеры для голубой материала. Лишь использование облучения электронным области спектра [1–3]. Следует отметить, что в данном пучком после роста пленок GaN : Mg позволило автослучае основным каналом излучательной рекомбинации рам [4] получить низкоомный материал p-типа проводиявляются собственные точечные дефекты нитрида гал- мости. Они обнаружили, что отжиг изначально изолирулия, формирующие глубокие энергетические уровни в ющих пленок GaN : Mg при температуре Ta = 700C в запрещенной зоне материала [4,5]. Повышение стехио- атмосфере азота также ведет к образованию дырочной метрии и кристаллического качества пленок GaN позво- проводимости. Авторы объясняют данный эффект развалит не только сдвинуть максимум свечения в область лом образующихся при росте пленки (метод MOCVD) ультрафиолетовой экситонной люминесценции нитрида электрически неактивных комплексов магний–водород с галлия, но и существенно увеличить эффективность элек- образованием изолированных акцепторных центров магтролюминесцентных структур. Наши предыдущие ис- ния, дающих эффективную дырочную проводимость, необходимую для создания полупроводниковых структур.

следования [6] показали донорно-акцепторную природу Интересно проследить влияние процессов активации голубого свечения с максимумом при энергии фотона акцепторной примеси на люминесцентные свойства пле2.8 эВ, при этом донором является вакансия азота в нок. Из-за меньшей подвижности дырок излучательная одном из своих зарядовых состояний. Следовательно, для повышения стехиометрии нитрида галлия требует- рекомбинация носителей в светодиодной структуре происходит в p-области. В связи с этим именно свечение леся отжиг в азотной атмосфере. Можно отметить, что гированной акцепторами пленки определяет спектралькратковременный высокотемпературный отжиг (КВТО) ные характеристики приборов. Так, авторы [9] наблюдали в атмосфере азота не приводит к желаемому результату увеличение интенсивности синей полосы излучения плеиз-за разрушения поверхности пленки и улетучивания нок GaN : Mg после кратковременного высокотемпераазота из нитрида галлия [7,8]. Требуется увеличение турного отжига. В другой работе [7] аналогичный отжиг эффективного давления атомарного азота над пленкой в атмосфере азота нелегированных пленок приводил GaN при одновременном снижении температуры отжига к падению интенсивности примесной люминесценции для уменьшения испарения материала. Это возможно и росту экситонной. Это, по мнению авторов, свидепри отжиге пленок в плазме азота, где доля атомарного тельствовало о повышении степени кристалличности и азота существенно выше (на 4–5 порядков), чем при улучшении морфологии пленок в процессе отжига при отжиге в атмосфере азота в тех же условиях.

одновременном изменении их стехиометрии. В работе [8] Отжиг такого рода позволил бы не только уменьшить отжиг в тех же условиях, напротив, ухудшал морфолочисло собственных донорных дефектов, дающих голубое гию пленок и приводил к возрастанию интенсивности ¶ E-mail: gran@ipmt-hpm.ac.ru всех полос свечения.

726 А.Н. Георгобиани, А.Н. Грузинцев, М.О. Воробьев, У. Кайзер, В. Рихтер, И.И. Ходос В данной работе нас интересовало влияние отжига при При исследованиях влияния отжигов на кристалличразных температурах в плазме азота на активацию p-типа ность и морфологию поверхности пленок GaN : Mg испроводимости и спектры свечения (а также фотопроводи- пользовался электронный просвечивающий микроскоп мости) легированных пленок GaN : Mg. Использование Джеол-2000.

плазмы азота дает возможность максимально изменять стехиометрию пленки в сторону избытка азота и улуч3. Результаты эксперимента шать ее кристаллическую структуру при сравнительно небольших температурах отжига. На основе отожженных На рис. 1 представлены спектры ФЛ пленок GaN : Mg пленок GaN : Mg p-типа проводимости были получедо и после отжига в атмосфере неактивированного и ны диодные гетероструктуры ZnO–GaN : Mg. Близкая активированного азота при различных температурах.

кристаллическая и зонная структура этих двух матеСледует отметить хорошую начальную стехиометрию риалов гексагональной симметрии позволяет надеяться наших пленок, о чем свидетельствует практически отсутна перспективность структур такого типа в создании ствие голубой полосы с максимумом 2.88 эВ (рис. 1, a, электролюминесцентных приборов.

кривая 1), связанной с вакансиями азота в нитриде галлия. В спектре свечения неотожженных пленок имеется широкая краевая полоса с максимумом 3.23 эВ и узкий 2. Методика эксперимента В нашей работе исследовались пленки GaN : Mg p-типа проводимости с концентрацией дырок p = 5 · 1015 см-3, удельным сопротивлением = 5.6 · 104 Ом · см и толщиной 0.1 мкм. Холловские измерения показали, что в неотожженных пленках подвижность носителей составляет 100–150 см2/В · с. Данные пленки были выращены методом молекулярно-лучевой эпитаксии (MBE) на сапфировых подложках ориентации (0001). Слои оксида цинка получались окислением пленок цинка толщиной 0.5 мкм на поверхности нитрида галлия при 550C в атмосфере кислорода. Отжиг пленок GaN : Mg в течение 2 ч при температурах в интервале Ta = 300-700C в плазме азота осуществлялся в установке радикалолучевой эпитаксии, подробно описанной в работе [10].

Полученная здесь за счет высокочастотного поля плазма азота проходила через сильное постоянное магнитное поле для удаления ионной компоненты плазмы. Таким образом, отжиг производился в атмосфере нейтральных атомов (радикалов) азота. Концентрация нейтральных атомов азота в данном методе на 4–5 порядков превышала их концентрацию в неактивированной атмосфере при тех же давлении и температуре отжига.

Для возбуждения фотолюминесценции (ФЛ) использовался импульсный азотный лазер ИЛГИ-503 с длиной волны излучения 337.1 нм и длительностью импульса 10 нс (средняя мощность излучения сославляла 10 кВт). Спектры анализировались с помощью двойного монохроматора МДР-6, управляемого компьютером, что давало при используемых щелях спектральное разрешение не хуже 1 мэВ. При измерениях фотопроводимости (ФП) на пленку наносились планарные контакты из платины. Омичность контактов проверялась по измерениям прямой и обратной ветвей вольт-амперной характеристики. ФП возбуждалась светом галогеновой Рис. 1. Спектры фотолюминесценции (PL) пленок GaN : Mg лампы мощностью 100 Вт, модулированным абтюратопри температуре 80 K. a — исходные образцы (1), отожженные ром и пропущенным через светосильный монохроматор в атмосфере азота (2) и в плазме азота (3) при температуре МДР-12. Образцы находились в оптическом криостате Ta = 700C. b — образцы, отожженные в плазме азота при при температуре жидкого азота. температурах Ta = 400 (1), 500 (2) и 600C (3).

Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. Тонкая структура краевой ультрафиолетовой люминесценции активированных в плазме азота... Зависимость удельного сопротивления пленок GaN : Mg от Как уже говорилось, отжиг приводит к увеличению температуры отжига в плазме азота дырочной проводимости пленок GaN : Mg. Преобладание ультрафиолетовых полос люминесценции в пленках №образца Ta, C, 104 Ом · см данного типа позволяет надеяться на возможность со1 (Исходный) 5.6 здания на их основе светоизлучающих диодных структур 2 300 5.ультрафиолетового свечения. В качестве слоя n-типа 3 400 проводимости мы использовали низкоомные слои окиси 4 500 2.цинка толщиной 0.5 мкм, полученные окислением цинка, 5 600 1.нанесенного на поверхность пленок GaN : Mg. Оксидные 6 700 0.слои имели высокое кристаллическое совершенство и содержали в спектре свечения лишь узкие линии связанных экситонов. При приложении со стороны нитрида галлия положительного, а со стороны окиси цинка — отрицапик связанных экситонов с максимумом 3.44 эВ. Можно тельного постоянного напряжения возникала электроотметить наличие в краевом свечении в длинноволновой люминесценция диодной структуры. На рис. 3 показан области неявной струкуры в виде нескольких плеч. Это спектр электролюминесценции данных структур, измесвидетельствует о присутствии в этой области свечения ренный при напряжении 10 В и температуре жидкого нескольких перекрывающихся элементарных полос, связанных с различными акцепторными центрами.

Отжиг в азотной атмосфере приводит к существенному сужению краевой люминесценции за счет уменьшения интенсивности ее длинноволновых составляющих (рис. 1, b). При этом интенсивность экситонного свечения увеличивается, что говорит об улучшении кристаллической структуры материала в процессе отжига. После отжига в краевой области спектра ФЛ пленок GaN : Mg становятся явно выраженными три пика с максимумами при 3.06, 3.17 и 3.27 эВ. С увеличением температуры отжига в плазме азота (рис. 1, b) интенсивность первых двух полос люминесценции увеличивается, в то время как интенсивность полосы с максимумом 3.06 эВ остается практически неизменной. Интенсивность экситонного пика также остается практически неизменной.

Используемый нами отжиг в плазме азота сдвигает стехиометрию нитрида галлия в сторону избытка азота, т. е. преобладающими становятся дефекты акцепторного типа. Поэтому следует ожидать увеличения p-типа проводимости исследуемых пленок GaN : Mg после проведенного отжига. В таблице приведены удельные сопротивления пленок до и после отжига в плазме при различных температурах. Видно, что после высокотемпературного отжига происходит увеличение проводимости материала почти на порядок величины. Интересно посмотреть влияние отжига на фотопроводимость пленок GaN : Mg. На рис. 2 показаны спектры ФП исходных и отожженных пленок. В исходном материале можно выделить широкую полосу фотопроводимости в примесной области спектра с максимумом 1.55–2.07 эВ. Низкотемпературный отжиг (рис. 2, a) при Ta = 400C обусловливает появление интенсивного узкого пика с максимумом 3.53 эВ, связанного с межзонными переходами носителей в нитриде галлия. С увеличением температуры отжига Рис. 2. Спектры фотопроводимости пленок GaN : Mg при (рис. 2, b) этот пик пропадает, что может быть обуслотемпературе T = 300 K. a — исходные образцы (1) и влено ухудшением морфологии поверхности пленок [11].

отожженные в плазме азота при температурах Ta = 400 (2) При этом происходит увеличение фоточувствительности и 500C (3). b — образцы, отожженные в плазме азота при температурах Ta = 600 (1) и 700C (2).

пленок GaN : Mg в красной области спектра 1.38–1.46 эВ.

Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 728 А.Н. Георгобиани, А.Н. Грузинцев, М.О. Воробьев, У. Кайзер, В. Рихтер, И.И. Ходос азота. Такое свечение, по мнению авторов, обусловлено рекомбинацией носителей из зоны проводимости на акцепторный уровень марганца. Однако краевое свечение имеет широкую полосу с явно выраженной структурой, что говорит о наличии нескольких акцепторных центров в GaN : Mg. Ширина линии и положение максимума, как правило, зависят от условий роста пленок, а в наших исследованиях (рис. 1) — от температуры отжига, так как от этого зависит состав точечных дефектов полупроводника.

При росте температуры отжига происходит увеличение концентрации акцепторных центров и увеличение интенсивности связанных с ними полос люминесценции (рис. 1). Учитывая, что плазма азота дает максимальное из всех возможных парциальное давление атомарного азота на поверхности пленки, вакансии азота при выходе на поверхность заполняются атомами азота. Практически только при отжиге в этих условиях стехиометрия нитриРис. 3. Спектр электролюминесценции (EL) диодных гетеда галлия может смещаться в сторону избытка азота. Чироструктур ZnO–GaN : Mg при температуре T = 80 (1) и сло собственных акцепторов — вакансий галлия начина300 K (2). На вставке — схематическое изображение диодной ет расти. В краевой области ультрафиолетовое свечение структуры.

имеет три явно выраженных максимума — 3.06, 3.17 и 3.27 эВ (рис. 1, b). В формировании соответствующих центров свечения, очевидно, может участвовать примесь магния и вакансия галлия в двух различных зарядовых азота. Видны характерные для пленок GaN : Mg полосы состояниях.

ультрафиолетового свечения — экситонного с максимуИзолированный дефект — магний на месте галлия, мом 3.44 эВ и краевого с максимумами 3.17 и 3.27 эВ.

MgGa — дает акцепторный уровень, расположенный Это говорит о том, что излучательная рекомбинация вблизи валентной зоны. Поэтому ультрафиолетовая краеносителей происходит в основном в области дырочной вая полоса люминесценции с максимумом 3.27 эВ может проводимости нитрида галлия, хотя незначительный по быть обусловлена переходами электронов из зоны проинтенсивности пик зеленого свечения с максимумом водимости на акцепторный уровень магния. При этом по 2.30 эВ исследуемых структур может быть связан с люаналогии с широкозонным соединением CdS, имеющим минесценцией оптически возбужденных ультрафиолетотакже гексагональную кристаллическую решетку, околовым излучением слоев окиси цинка.

зонная краевая люминесценция может быть обусловлена Изучение вольт-амперных характеристик полученных не только изолированными акцепторами, но их комдиодных структур говорит о наличии барьера Шоттки в плексами с собственными дефектами, когда последние области p-n-перехода, что объясняет довольно высокие расположены в соседних узлах кристалла [12]. Однако (-10 В) рабочие напряжения полученных электролюакцепторный уровень определяет положение максимума минесцентных источников ультрафиолетового свечения.

Pages:     || 2 |



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.