WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     || 2 |
Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 6 Спектроскопия экситонных состояний квантовых молекул InAs + =¶ + = = =• © В.Г. Талалаев, J.W. Tomm, N.D. Zakharov, P. Werner, Б.В. Новиков, Г.Э. Цырлин, • =• • • Ю.Б. Самсоненко, А.А. Тонких, В.А. Егоров, Н.К. Поляков, В.М. Устинов Институт физики им. В.А. Фока, Санкт-Петербургский государственный университет, 198504 Петродворец, Россия + Max-Born-Institut fr Nichtlineare Optik und Kurzzeitspektroskopie, 12489 Berlin, Germany = Max-Planck-Institut fr Mikrostrukturphysik, 06120 Halle (Saale), Germany Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия • Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, 198103 Санкт-Петербург, Россия (Получена 27 октября 2003 г. Принята к печати 4 ноября 2003 г.) Методом молекулярно-пучковой эпитаксии синтезированы туннельно-связанные пары квантовых точек (квантовые молекулы) InAs в матрице GaAs. Проведено исследование структурных и оптических свойств полученных квантовых молекул. Обнаружены четыре экситонных состояния молекул, формирующих спектр фотолюминесценции. Времена спада фотолюминесценции указывают на вероятность межуровневой излучательной рекомбинации со второго возбужденного состояния, что особенно важно при конструировании приборов, работающих в среднем инфракрасном диапазоне.

1. Введение Вместе в тем создание системы симметричных КМ из двух туннельно-связанных слоев КТ до сих пор являВ последнее время неуклонно растет интерес к по- ется нетривиальной технологической задачей, поскольлупроводниковым структурам с пониженной размерно- ку требует выполнения, как минимум, двух условий:

стью, предельным случаем которых являются квантовые КТ в составе молекулы должны быть одинаковыми, а точки (КТ) [1]. КТ имеют дискретный набор уровней, спейсер между ними должен обеспечивать необходимую что соответствует электронному спектру одиночного величину расщепления. Кроме того, экспериментально атома. На их основе создаются новые полупроводни- не решен вопрос о возможности излучательных перековые приборы: вертикально излучающие и каскадные ходов между соседними расщепленными состояниями, лазеры [2,3], фотодетекторы и излучатели для среднего что является принципиально важным для практического и дальнего ИК диапазона [4,5]. Одним из наиболее использования КМ.

интересных эффектов, наблюдаемых при росте несколь- В данной работе исследуются особенности молекуких слоев КТ, является их вертикальная корреляция, лярно-пучковой эпитаксии (МПЭ) симметричных КМ в установленная ранее для различных гетероэпитаксиаль- системе InAs/GaAs. Структурные свойства характеризуных систем [6,7]. При этом происходит также пла- ются с помощью просвечивающей электронной микронарное упорядочение наноостровков [8,9]. На основе скопии (ПЭМ). Методами стационарной фотолюминесэтих эффектов активно развивающимся направленем ценции (ФЛ) и ФЛ с временным разрешением (ФЛВР) является создание так называемых „квантовых моле- исследуются энергетический спектр и механизмы релаккул“ (КМ) [10]. КМ представляет собой две туннельно- сации носителей в КМ.

связанные КТ, близкие по геометрическим размерам и соответственно по электронной структуре. Образование 2. Эксперимент КМ приводит к расщеплению энергетического уровня одиночнoй КТ на симметричное и антисимметричное Ростовые эксперименты проводились на установке состояния в зависимости от суперпозиции волновых МПЭ ЭП1203. Использовались полуизолирующие подфункций электрона и дырки в КМ. В этом случае велиложки GaAs(100). В процессе отработки технологии чина расщепления становится зависимой от расстояния проводился подбор параметров роста, влияющих на между КТ и может контролироваться в ростовом экспеобразование КМ. В соответствии с требованиями к рименте. Такие объекты представляют не только фундасимметрии КМ и расстоянию между КТ исследовалось ментальный интерес, но и могут быть использованы для влияние количества осаждаемого InAs и толщины спейприборных приложений, в частности в альтернативных сера GaAs. Эффективная толщина осаждаемого InAs приемо-передающих элементах, работающих в мега- и была 2 и 4 монослоя (МС), толщина GaAs — гигагерцовом диапазонах [11,12], а также в приборах с и 10 нм. В данной работе приведены результаты для двух переключением, таких как квантовые компьютеры [13].

комбинаций этих параметров. Образцы A-типа имели по ¶ E-mail: talalaev@mpi-halle.mpg.de 2 MC InAs в каждом из двух слоев с КТ и размеры 6 724 В.Г. Талалаев, J.W. Tomm, N.D. Zakharov, P. Werner, Б.В. Новиков, Г.Э. Цырлин, Ю.Б. Самсоненко...

спейсера 10 нм. Образцы B-типа — 4 MC в нижнем 3. Результаты и обсуждение слое КТ, 2 МС в верхнем слое КТ и спейсер толщиной Проблема получения туннельно-связанных в направ5 нм. Температура подложки при осаждении слоев InAs составляла 510C, скорость роста InAs — 0.06 МС/с. По- лении роста КТ с максимально близкими геометрическими характеристиками связана с тем, что размеры сле каждого слоя КТ применялось прерывание роста — КТ в верхнем слое зависят от толщины спейсера и образец выдерживался при той же температуре в потоке размеров КТ в нижнем слое. На рис. 1 приведено мышьяка в течение 60 с. Далее массив КТ заращивался поперечное ПЭМ изображение образца A-типа, содерслоем GaAs со скоростью 0.7 МС/с, после чего следовал жащего 2 МС InAs в каждом слое КТ. Видно, что при подъем температуры подложки до 610C и выдержка равной толщине осажденного InAs, размеры островков при этой температуре в течение 60 с (высокотемперав верхнем и нижнем слоях существенно отличаются:

турный отжиг — ВТО). Для предотвращения транспорта параметр (высота) (основание) h[нм] B[нм] для верхнеравновесных носителей к поверхности и в подложку ней КТ|1 и нижней КТ|0 равен 7 28 и 4 22 нмактивная область ограничивалась с обеих сторон косоответственно. Наличие вертикальной корреляции КТ роткопериодными сверхрешетками Al0.25Ga0.75As/GaAs обусловлено полями упругих напряжений, создаваемых (10 пар, 2.5 нм/2.5 нм) и помещалась в центр 50 нм КТ нижнего слоя. Увеличение размеров КТ и уменьслоя GaAs. Состояние поверхности контролировалось шение эффективной критической толщины перехода от с помощью картин дифракции быстрых электронов на двух- к трехмерному росту, наблюдаемое по ДБЭО, отражение (ДБЭО) [14]. Появление объемных рефлексов объясняется эффектом накопления упругой энергии в при осаждении первого (нижнего) слоя InAs, свидевышележащем слое [9]. Уменьшение толщины спейсера тельствующих об образовании трехмерных наноостровGaAs между слоями КТ приводит к еще большему ков, наблюдалось после напыления 1.7 МС InAs. При различию в размерах островков при прочих равных осаждении второго (верхнего) слоя InAs появление условиях. Таким образом, основными ростовыми параобъемных дифракционных рефлексов происходило при метрами, отвечающими за формирование КМ и требуюменьших эффективных толщинах InAs. Процедуры прещими оптимизации, яляются эффективная толщина InAs, рывания роста и ВТО были использованы специальсоотношение этих толщин для нижнего и верхнего слоев но для улучшения однородности размеров в массиве и размеры спейсера. Оптимизация этих параметров позКТ InAs, а также для уменьшения соотношения выволила определить структуру, по своим характеристисота/основание и придания островкам дискообразной кам отвечающую необходимым условиям формирования формы.

КМ (образец B-типа). ПЭМ снимок такой структуры Структурные исследования образцов выполнялись с приведен на рис. 2, a. Электронно-микроскопическое помощью дифракционной и высокоразрешающей элекизображение высокого разрешения для отдельной КМ тронной микроскопии на микроскопах JEM 4010 и представлено на рис. 2, b, профиль состава по индию в Philips CM20 при ускоряющих напряжениях 400 и направлении роста — на рис. 2, c. В отличие от образца 200 кВ соответственно. Количественные измерения соA-типа как состав, так и размеры островков, образующих става КМ проводились на ПЭМ изображениях, снятых с молекулу, в структуре B-типа весьма близки и составляатомным разрешением.

ют h B 4 18 нм2. Общее уменьшение размеров КТ Стационарная ФЛ возбуждалась излучением непрерывного Ar+-лазера с длиной волны 488 нм (2.54 эВ).

В измерениях зависимости ФЛ от интенсивности возбуждения лазерный луч фокусировался на образце, а плотность мощности варьировалась в пределах 0.2-300 Вт/см2 нейтральными фильтрами. Детектирование сигнала ФЛ осуществлялось с помощью охлаждаемого Ge-фотодетектора (Edinburgh Instruments) на выходе из 50-сантиметрового монохроматора. Для исследования ФЛВР применялось возбуждение импульсами длительностью 100 фс от титан-сапфирового лазера Tsunami с длиной волны 790 нм (1.57 эВ) и частотой следования импульсов 82 МГц. Сигнал ФЛ диспергировался 25-сантиметровым монохроматором, согласованным со стрик-камерой Hamamatsu-C1587, и регистрировался CCD-камерой. Инструментальное разрешение системы составляло 15 пс. Во всех случаях образцы помещались в криостаты, позволяющие изменять и стабилизировать температуру в интервале 5–300 K. Рис. 1. Темнопольное ПЭМ изображение структуры A-типа.

Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. Спектроскопия экситонных состояний квантовых молекул InAs размеров КТ за счет испарения „высоких“ островков.

С учетом этого при оптимизации структур с КМ были получены следующие параметры: эффективная толщина InAs в нижнем слое — 4 МС, эффективная толщина InAs в верхнем слое — 2 MC, размер спейсера — 5 нм. По данным ПЭМ, величина спейсера строго соответствовала расстоянию между смачивающими слоями: 10 нм для структур A-типа и 5 нм для структур B-типа (рис. 1 и 2).

Непосредственно между соседними КТ вертикальный зазор составлял 7 нм (A-тип) и 3 нм (B-тип).

Для исследования энергетической структуры и взаимодействия экситонных уровней в КМ измерялись спектры ФЛ и ФЛВР. На рис. 3 спектр ФЛ образца A-типа имеет асимметричную форму, которая не зависит ни от плотности возбуждения, ни от температуры измерений.

Разложение на гауссианы показывает, что спектр состоит из двух полос с максимумами на 1.115 и 1.165 эВ. Такое поведение несвойственно переходам с участием возбужденных состояний, зато типично для двух несвязанных друг с другом групп КТ. В данном случае очевидно, что это КТ|0 нижнего и КТ|1 верхнего слоев, размеры которых по данным ПЭМ заметно отличаются (рис. 1).

Отсутствие ФЛ-активных возбужденных состояний в спектре КТ A-типа подтверждается измерениями ФЛВР, показывающими только одно время спада ФЛ в измеренной полосе 650 пс (вставка на рис. 3). Сигнал в высокоэнергетической части спектра ФЛВР у структуры A-типа также отсутствовал.

Принципиально иной спектр низкотемпературной ФЛ наблюдался у структуры B-типа (рис. 4). При малых Рис. 2. Результаты структурного исследования образца B-типа. a — темнопольное ПЭМ изображение; b — ПЭМ изображение, полученное с высоким разрешением после фурье-фильтрации (для формирования изображения использовались прошедший и четыре отраженных пучка, чувствительных к содержанию индия); c — распределение содержания индия вдоль направления роста X для связанной пары КТ (концентрация измерялась в выделенной прямоугольником области изображения b). 0 —КТ|0, 1 —КТ|1. Стрелкой (b) указано направление роста.

и симметризация КМ достигнуты в результате ВТО в сочетании с тонким спейсером GaAs. В работе [11] показано, что ВТО удаляет с поверхности остаточный слой индия, упрощая контроль эффективной толщины последующего слоя. Во-вторых, применение ВТО к массиву Рис. 3. Спектр ФЛ структуры A-типа при температуре 10 K островков InAs, покрытых слоем GaAs малой толщины и плотности возбуждения 2 Вт/см2 от Ar+-лазера. 0 —КТ|0, (5 нм и менее), приводит к улучшению однородности 1 —КТ|1.

Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 726 В.Г. Талалаев, J.W. Tomm, N.D. Zakharov, P. Werner, Б.В. Новиков, Г.Э. Цырлин, Ю.Б. Самсоненко...

волновых функций одного электрона e и одной дырки h между двумя идентичными КТ|0 и КТ|1 приводит к следующим четырем изоспиновым кофигурациям:

b1 =(|0 + |1 )(|0 + |1 )/2, e e h h b2 =(|0 -|1 )(|0 -|1 )/2, e e h h a1 =(|0 + |1 )(|0 -|1 )/2, e e h h a2 =(|0 -|1 )(|0 + |1 )/2.

e e h h Состояния b1 и b2 являются симметричными (связанными) и оптически активными, а состояния a1 и a2 — антисимметричными (несвязанными) и „темными“ в ФЛ.

Наличие состояний КТ с разным моментом импульса m = 0; ±1 приводит в данном базисе к смешиванию sи p-состояний в КМ. Однако разделение на состояния a и b сохраняется даже с учетом кулоновского взаимодействия. В результате этого каждый экситонный уровень (s и p) в КМ расщепляется на два состояния:

симметричное |+ и антисимметричное |- ; d-состояние может расщепляться на большее число уровней [16,17].

Симметричные s- и p-состояния являются по-прежнему оптически активными и могут участвовать в ФЛ. ОчевидРис. 4. Спектры стационарной ФЛ от структуры с КМ (B-тип) при температуре 10 K и разной плотности возбуждения P, но, эти состояния проявляются в спектре ФЛ структуры Вт/см2: 1 —0.2, 2 —2, 3 — 10, 4 — 13, 5 — 25, 6 — 50, B-типа в виде полос s+ и p+ (рис. 4). Последовательное 7 — 100, 8 — 130, 9 — 200, 10 — 300.

заполнение состояний при повышении интенсивности возбуждения приводит к появлению в спектре ФЛ более высоких состояний КМ (d+ и dx). В этой зависимости от плотности возбуждения (рис. 4) закономерным являуровнях возбуждения хорошо разрешались две полоется также коротковолновый сдвиг максимума полос p+ сы ФЛ: s+ (1.21 эВ) и p+ (1.25 эВ). Когда плотность возбуждения становилась больше 50 Вт/см2, полоса p+ и d+. Это связано с неоднородностью размеров КТ и заполнением экситонами все более мелких КМ. Незнаначинала доминировать в спектре ФЛ, а в высокоэнергечительное „красное“ смещение полосы s+ мы объясняем тической области появлялась новая полоса d+ (1.30 эВ).

Pages:     || 2 |



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.