WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     || 2 |
Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 6 Нулевые аномалии транспортных характеристик однобарьерных гетероструктур GaAs/AlAs/GaAs как проявление резонансного туннелирования между параллельными двумерными электронными газами и подавление резонансного туннелирования в магнитном поле как проявление кулоновской щели в туннельной плотности состояний ¶ © Ю.Н. Ханин, Ю.В. Дубровский, Е.Е. Вдовин Институт проблем технологии микроэлектроники и особо чистых материалов Российской академии наук, 142432 Черноголовка, Россия (Получена 9 октября 2002 г. Принята к печати 28 октября 2002 г.) В результате изучения туннельного транспорта электронов через однобарьерные гетероструктуры GaAs/AlAs/GaAs показано, что причиной „нулевых аномалий“ — экстремумов в дифференциальной проводимости вблизи нулевого напряжения — в исследованных структурах является резонансное туннелирование между параллельными двумерными электронными газами в обогащенных слоях, образовавшихся по обе стороны барьеров из-за наличия в барьерах донорных примесей Si. Обнаружено подавление резонансного туннелирования между параллельными двумерными электронными газами в узких интервалах вблизи нулевого напряжения (туннельная щель) в сильном магнитном поле, параллельном направлению тока, когда в каждом из двумерных электронных газов заполнен только один уровень Ландау. Подавление обусловлено кулоновской щелью на уровне Ферми в туннельной плотности состояний. Этот эксперимент впервые обнаружил проявление кулоновской щели при туннелировании между параллельными двумерными электронными газами с относительно низкими подвижностями, в которых влияние беспорядка или случайных флуктуаций потенциала на механизм формирования туннельной щели может оказаться заметным.

1. Введение ми электронными газами (ДЭГ, 2DEG). На настоящий момент существует значительное количество теоретичеПроблема „нулевых аномалий“ (zero bias anomaly) ских моделей, предсказывающих появление кулоновской является для туннельных структур своеобразной пробле- щели на уровне Ферми в электронной плотности сомой века. Практически во всех экспериментах с обычны- стояний для различных случаев туннелирования между ми (не сверхпроводящими) туннельными структурами параллельными ДЭГ, отличающихся друг от друга степенаблюдаются нулевые аномалии (пик сопротивления нью беспорядка [6–10]. В то же время опубликованные или пик проводимости вблизи нулевого напряжения), результаты экспериментов, в которых наблюдалось прочасто существенно искажающие транспортные характеявление кулоновской щели при туннелировании между ристики и затрудняющие, таким образом, решение экспараллельными ДЭГ в магнитном поле B I, немнопериментальных и прикладных задач. Подробный обзор гочисленны [8,11]. С этими результатами мы будем ранних экспериментов такого рода и их обсуждение далее производить сравнение наших экспериментальных можно найти, например, в монографии Вольфа [1], данных. Представленные в [8,11] результаты не опигде, как правило, для конкретных туннельных систем сываются в полной мере ни одной из существующих предложены различные модели для описания наблюдавтеорий (в случае [8] на описание частично претендушихся нулевых аномалий, хотя ряд экспериментов так ет работа [9]) и нашли себе на настоящий момент и остался до сих пор без объяснения [2,3]. Туннельные лишь качественное объяснение в рамках представлегетероструктуры, несмотря на значительно более конний о сильно коррелированной природе двумерных тролируемый, по сравнению с другими типами структур, электронных систем (ДЭС, 2DES) в больших полях состав, не являются в этом смысле исключением и B I, когда заполнен лишь нижний уровень Ландау [8].

традиционно демонстрируют наличие нулевых аномалий Упрощенно говоря, каждая ДЭС представляет собой (см., например, [4,5]), причины которых не всегда ясны.

в этом случае сильно коррелированную электронную В отдельный класс можно выделить нулевые аномажидкость (в ближнем порядке подобную вигнеровскому лии, проявляющиеся в дифференциальной проводимости кристаллу). Щель в туннельной плотности состояний туннельных структур в присутствии магнитного поля, при туннелировании между ними отражает дополнитакие как, например, туннельные щели, т. е. особенности, тельную энергию, необходимую для вырывания элекотражающие наличие кулоновской щели в плотности трона, который затем будет участвовать в туннельном состояний при туннелировании между двумя двумерныпереходе, из сильно коррелированной электронной жид¶ E-mail: khanin@ipmt-hpm.ac.ru кости. Такая же добавочная энергия требуется и для 718 Ю.Н. Ханин, Ю.В. Дубровский, Е.Е. Вдовин встраивания туннелирующего электрона в коррелиро- транспортных характеристик образцов с -легированием ванную электронную жидкость. В результате ширина и без него явилась дополнительным доказательством щели в туннельной плотности состояний определяется, интерпретации нулевых аномалий.

по порядку величины, энергией кулоновского взаимодействия электронов в ДЭС EC = e2/ a, где a — 2. Магнитоосцилляции проводимости среднее расстояние между электронами, — диэлектрив однобарьерных гетероструктурах ческая проницаемость. Вследствие этого становится ясно, почему при обсуждении подавления туннелирования GaAs/AlAs/GaAs и особенности в магнитном поле часто говорят о кулоновском барьере транспорта электронов через эти для туннелирования. Наконец, отметим, что существуструктуры в области малых ющие на настоящий момент эксперименты, в которых напряжений смещения наблюдалось проявление кулоновской щели при туннелировании между параллельными ДЭС в поле B I, В данном разделе будут представлены результаты проводились с использованием образцов, ДЭС в которых исследования магнитоосцилляций проводимости в магобладали высокими подвижностями µ >2·105 см2/(B·c).

нитном поле B I в однобарьерных симметричных геПоэтому такой важный вопрос, как роль беспорядка тероструктурах, анализ которых показал, что причиной в формировании щели при туннелировании между ДЭС, нулевых аномалий транспортных характеристик этих остается открытым.

структур является РТ между параллельными ДЭГ в обоОснову содержания данной работы будут составлять гащенных слоях, образовавшихся по обе стороны барьеописания следующих проведенных нами исследований ров из-за наличия в барьерах донорных примесей Si.

туннелирования и магнитотуннелирования через одноКроме того, будут представлены результаты исследобарьерные гетероструктуры GaAs/AlAs/GaAs.

вания транспорта в поле B I, продемонстрировавшие 1. Проведены исследования магнитоосцилляций проподавление туннелирования между ДЭГ, обусловленное водимости в магнитном поле B I в однобарьерных проявлением кулоновской щели в туннельной плотности гетероструктурах с разными толщинами барьеров. Анасостояний.

лиз магнитоосцилляций показал, что причиной нулеИсследовавшиеся нами образцы представляли совых аномалий в дифференциальной проводимости этих бой однобарьерные гетеродиоды, выращенные методом структур является резонансное туннелирование (РТ) молекулярно-лучевой эпитаксии на высоколегированных между параллельными ДЭГ в обогащенных слоях, обподложках N+-GaAs с ориентацией (100) при темпераразовавшихся по обе стороны барьеров из-за наличия туре 570C. В качестве легирующей примеси испольв барьерах донорных примесей Si.

зовался кремний, концентрация которого в подложках 2. Проведены исследования транспорта через однобасоставляла 2 · 1018 см-3.

рьерные гетероструктуры с преднамеренно созданными Симметричные гетероструктуры состояли из следуюпо обе стороны барьера слоями ДЭГ с помощью -лещей последовательности слоев:

гирования прибарьерных областей Si донорами. Транс- слой N+-GaAs толщиной 0.4 мкм, N = 2 · 1018 см-3;

портные характеристики этих гетероструктур в области - спейсер N--GaAs толщиной 50 нм, N = 2 · 1016 cм-3;

малых напряжений оказались полностью аналогичны - нелегированный спейсер GaAs толщиной 10 нм;

характеристикам структур без -слоев Si, что подтвер- нелегированный барьер AlAs толщиной 2.5, 3.дило интерпретацию нулевых аномалий в структурах без или 5.0 нм;

-слоев как проявления РТ между параллельными ДЭГ.

- нелегированный спейсер GaAs толщиной 10 нм;

3. Проведены исследования транспорта в магнитном - спейсер N--GaAs толщиной 50 нм, N = 2 · 1016 см-3;

поле B I как через структуры с -легированием, так - контактный слой N+-GaAs толщиной 0.4 мкм, и без него. В обоих случаях полученные данные продеN = 2 · 1018 см-3.

монстрировали в сильных полях (когда в каждом из ДЭГ Омические контакты изготавливались путем послепо обе стороны барьера заполнен только один уровень довательного напыления слоев AuGe/Ni/Au и отжига Ландау) подавление РТ в узких интервалах вблизи при T = 400C. Для создания меза-структур диаметнулевого напряжения, обусловленное формированием ром 100 мкм была использована стандартная технолов условиях ультраквантового предела кулоновской щели гия химического травления. Дифференциальная провона уровне Ферми в туннельной плотности состояний.

Сравнение наших экспериментальных данных с резуль- димость G = dI/dV = f (V ) и G = dI/dV = f (B) изметатами предыдущих экспериментов, в которых исследо- рялась с использованием стандартной модуляционной валось туннелирование между ДЭГ с высокой подвиж- методики.

ностью электронов, дало нам основание полагать, что Зависимости dI/dV = f (V ) для образца с барьером в наших экспериментах впервые обнаружено проявление 5 нм, измеренные при T = 4.2 K в интервале поля B I кулоновской щели при туннелировании между парал- от 0 до 15 Тл, представлены на рис. 1. Как видно из лельными ДЭГ с низкой подвижностью в ультракван- рисунка, в области малых напряжений зависимости детовом пределе. Кроме того, аналогичность поведения монстрируют наличие нулевой аномалии типа „пик проФизика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. Нулевые аномалии транспортных характеристик однобарьерных гетероструктур GaAs/AlAs/GaAs... уровня Ферми в эмиттерном аккумуляционном слое [12].

Их обработка в соответствии со стандартной процедурой позволяет определить значения энергии Ферми и концентрации электронов в аккумуляционном слое при данном напряжении. Типичный вид полученной нами зависимости G(B) представлен на рис. 3. Все типы образцов показывали наличие ясно различимых осцилляций при больших напряжения, с той лишь разницей, что осцилляции в образцах с барьерами 2.5 нм были значительно более уширенными (чем в образцах с барьерами 5.0 и 3.5 нм). Это, очевидно, связано с меньшим временем жизни электронов в эмиттерном аккумуляционном слое, ограниченном барьером 2.5 нм. Полученная в результате обработки осцилляций в образце с барьером 5 нм зависимость энергии Ферми от напряжения EF(V ) представлена на рис. 4. Подобные зависимости наблюдались и на остальных образцах. Экстраполяция данной зависимости к нулевому напряжению указывает на наличие значительной концентрации электронов ( 2.5 · 1011 см-2) в слое ДЭГ в отсутствие напряжения, Рис. 1. Зависимости dI/dV = G(V ) для образца с барьером толщиной 5 нм, измеренные при T = 4.2 K, в параллельном току магнитном поле от 0 до 15 Tл.

водимости“, связанной, как будет видно из дальнейшего, с РТ между ДЭГ по разные стороны барьера. Детали поведения туннельных характеристик с ростом B также будут прояснены позже, однако уже здесь стоит указать на подавление проводимости магнитным полем вблизи нулевых напряжений, начиная с B = 12 Тл, которое является, предположительно, проявлением кулоновской щели.

Аналогичные характеристики продемонстрировали образцы и с другими толщинами барьеров, однако наиболее яркие результаты измерений (с точки зрения величины нулевой аномалии и проявления кулоновской щели в магнитном поле) показал образец с барьером 2.5 нм (рис. 2). Вероятно, причиной несколько большей амплитуды нулевого резонанса (аномалии) в этом образце является наименьшая толщина туннельного барьера. Как видно из рис. 2, на характеристиках образца с барьерами 2.5 нм ярко проявляется подавление проводимости при V 0 при B > 8Тл (туннельная щель). Зависимость параметра туннельной щели, выбранного как разность напряжений максимумов dI/dV = G = f (V ), от магнитного поля B оказывается в достаточной степени линейной (аналогично [8,11]) и описывается выражением 0.3c, где c — циклотронная частота.

Однако вернемся к проблеме нулевых аномалий. Для выяснения их природы были проведены измерения зависимостей G(B) для всех типов образцов при различРис. 2. Зависимости dI/dV = G(V ) для образца с барьером ных напряжениях V. Магнитоосцилляции проводимости толщиной 2.5 нм, измеренные при T = 4.2 K, в параллельном с ростом B при больших напряжениях V отражают фортоку магнитном поле от 0 до 15 Tл. Интервалы магнитного мирование и движение уровней Ландау относительно поля B, Тл: a —0–8, b —8–15.

Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 720 Ю.Н. Ханин, Ю.В. Дубровский, Е.Е. Вдовин ствуют в прибарьерных областях по обе стороны барьера. Однако реальные значения концентраций электронов в обогащенных слоях в отсутствие напряжения будут, вероятно, существенно меньше, нежели полученные из экстраполяции зависимостей EF(V ) к V = 0 при определенных величинах уширения уровней Ландау (которые были получены из обработки магнитоосцилляций при больших V ). Здесь следует учитывать неприменимость представлений о линейном изменении параметров эмиттерного аккумуляционного слоя в области малых положительных напряжений, когда происходит исчезновение обогащенного слоя коллектора.

Таким образом, проведенный анализ указывает на то, что в данных образцах при V = 0 могут существовать обогащенные электронные слои по разные стороны от барьера. Совпадение энергий двумерных подзон в этих слоях, происходящее при V 0, и приводит в соответствии с [11] к наличию локального максимума на зависимостях G(V ) (пика проводимости). Наиболее вероятной причиной формирования таких слоев может Рис. 3. Зависимость dI/dV = G(V ) для образца с барьером быть присутствие в барьере положительно заряженных толщиной 5 нм, при напряжении смещения V = 900 мВ и доноров Si, оказавшихся там вследствие остаточного T = 4.2K.

легирования и диффузии из контактного слоя.

Pages:     || 2 |



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.