WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 |   ...   | 2 | 3 ||

Проявление этих режимов обусловлено кулоновским взаимодействием и эффектами размерного квантования.

Показано, что при туннелировании через многодырочные квантовые точки кулоновские осцилляции носят периодический характер, тогда как при транспорте через малоэлектронные точки их регулярность нарушается.

Локальные туннельные ВАХ высокосимметричных малоэлектронных кремниевых квантовых точек демонстрируют формирование „оболочек“, свойственное реальным атомам.

Рис. 14. Проводимость сильносвязанной малоэлектронной Данная работа выполнена при поддержке программ квантовой точки внутри СККЯ на поверхности Si(100) при T = 300 K. Спектры a и b получены при различном располо- Международного научно-технического центра (проект жении иглы СТМ вблизи квантовой точки и идентифицируют № 2136), гранта президента РФ по поддержке молодых подавление формирования электронных оболочек вследствие российских ученых (грант МК-4092.2004.2) и гранта близости иглы СТМ к квантовой точке.

для молодых кандидатов наук из вузов и академических институтов, расположенных на территории СанктПетербурга (грант № 11304).

Список литературы [1] C Weisbuch, B. Winter. Quantum semiconductor structures (Academic Press, N.Y., 1991).

[2] T.J. Thornton. Rep. Progr. Phys., 58, 311 (1994).

[3] C.G. Smith. Rep. Progr. Phys., 59, 235 (1996).

[4] N.N. Ledentsov. In: Proc. fo ICPS-23, ed. by M. Scheffler, R. Zimmermann (Berlin, Germany, 1996) p. 19.

[5] L. Eaves. In: Proc. of ICPS-23, ed. by M. Scheffler, R. Zimmermann (Berlin, Germany, 1996) p. 43.

[6] M.A. Kastner. Physics Today, 46, 24 (1993).

[7] R. Ntzel. Semicond. Sci. Technol., 11, 1365 (1996).

Рис. 15. Локальная туннельная вольт-амперная характери- [8] U. Meirav, E.B. Foxman. Semicond. Sci. Technol., 10, стика, демонстрирующая кулоновские осцилляции в условиях (1995).

снятия спинового вырождения уровней зарядового квантова- [9] S.L. Feng, J.C. Bourgoin. Sol. St. Phenomena, 10, 265 (1989).

ния при прохождении одиночных электронов через слабосвя- [10] Н.Т. Баграев, А.Д. Буравлев, Л.Е. Клячкин, А.М. Малярензанную малоэлектронную квантовую точку внутри СККЯ на ко, В. Гельхофф, В.К. Иванов, И.А. Шелых. ФТП, 36, поверхности Si(100). T = 4.2K. (2002).

Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 728 Н.Т. Баграев, А.Д. Буравлев, Л.Е. Клячкин, А.М. Маляренко, В. Гельхофф, Ю.И. Романов, С.А. Рыков [11] C.T. Liang, M.Y. Simmons, S.G. Smith, G.H. Kim, Local tunnelling spectroscopy of silicon D.A. Ritchie, M. Pepper. Phys. Rev. Lett., 81, 3507 (1998).

nanostructures [12] S. Tarucha, D.G. Austing, T. Honda. Phys. Rev. Lett., 77, N.T. Bagraev, A.D. Bouravleuv, L.E. Klyachkin, (1996).

+ [13] O. Millo, D. Katz, Y. Levi, Y.W. Cao, U. Banin. J. Low Temp. A.M. Malyarenko, W. Gehlhoff, Yu.I. Romanov, + Phys., 118, 365 (2000).

S.A. Rykov [14] D. Goldhaber-Gordon, Hadas Shtrikman, D. Mahalu, David A.F. Ioffe Physicotechnical Institute, Abush-Magder, U. Meirav, M.A. Kastner. Nature, 391, Russian Academy of Sciences, (1998).

194021 St. Petersburg, Russia [15] J. Gres, D. Goldhaber-Gordon, S. Heemeyer, M.A. Kastner, Hadas Shtrikman, D. Malahu, U. Meirav. Phys. Rev. B, 62, Institut fr Festkrperphysik, 2188 (2000).

Technische Universitt, [16] W. Frank, U. Gosele, H. Mehrer, A. Seeger. In: Diffusion D-10623 Berlin, Deutschland in Crystalline Solids, ed. by G.E. Murch, A.S. Nowick St. Petersburg State Polytechnical University, (Academic Press, N.Y., 1984) p. 63.

195251 St. Petersburg, Russia [17] N.T. Bagraev, W. Gehlhoff, L.E. Klyachkin, A. Naeser, S.A. Rykov. Def. Diff. Forum, 143–147, 1003 (1997).

Abstract

Many-hole and few-electron quantum dot charging [18] N.T. Bagraev, A.D. Bouravleuv, W. Gehlhoff, L.E. Klyachkin, that is caused by the ballistic transport of single carriers has A.M. Malyarenko, S.A. Rykov. Def. Diff. Forum, 194–199, been studied in self-assembled silicon quantum wells on the 673 (2001).

Si(100) surface using the local tunneling spectroscopy technique [19] J. Robertson. Adv. Phys., 32, 361 (1983).

up to room temperature. Local tunneling current-voltage (LTC) [20] E.H. Poindexter, P.J. Caplan, B.E. Deal, G.J. Gerardy. In:

characteristics of charging quantum dots reveal the regimes of the The Physics and Chemistry of SiO2 and Si-SiO2 Interface Coulomb blockade, the Coulomb oscillations and the formation of (Plenum Press, N.Y., 1988) p. 299.

electron shells. The LTC characteristics demonstrate the effects [21] N.T. Bagraev, A.D. Bouravleuv, W. Gehlhoff, L.E. Klyachkin, of the low-dimensional quantization and the electron-electron A.M. Malyarenko, V.V. Romanov, S.A. Rykov. Abstracts of interaction on the single carrier transport through silicon quantum DIMAT2004 (Krakow, 2004) O-37.

wires with weakly and strongly coupled quantum dots.

[22] P.S. Zalm. Rep. Progr. Phys., 58, 1321 (1995).

[23] W. Gehlhoff, N.T. Bagraev, L.E. Klyachkin. Mater. Sci. Forum, 196–201, 467 (1995).

[24] W. Gehlhoff, N.T. Bagraev, L.E. Klyachkin. Mater. Sol. St.

Phenomena, 47–48, 589 (1995).

[25] N.T. Bagraev, W. Gehlhoff, L.E. Klyachkin, A.M. Malyarenko, A. Nser. Mater. Sci. Forum, 258, 1683 (1997).

[26] Н.Т. Баграев, Е.В. Владимирская, В.Э. Гасумянц, В.И. Кайданов, В.В. Кведер, Л.Е. Клячкин, А.М. Маляренко, А.И. Чайкина, А.И. Шалынин. ФТП, 29, 2133 (1995).

[27] N.T. Bagraev, V.A. Mashkov. Sol. St. Commun., 65, (1988).

[28] N.T. Bagraev. J. Phys. (France) I, 2, 1907 (1992).

[29] N.T. Bagraev, W. Gehlhoff, V.K. Ivanov, L.E. Klyachkin, A.M. Malyarenko, I.A. Shelykh. Phys. Low-Dim. Structur., 1/2, 37 (2000).

[30] D.V. Averin, A.N. Korotkov, K.K. Likharev. Phys. Rev. B, 44, 6199 (1991).

[31] H. van Houten, C.W.J. Beenakker. Phys. Rev. Lett., 63, (1989).

[32] S. Nagaraja, Ph. Matagne, V.-Y. Thean, J.-P. Leburton, Y.-H. Kim, R.M. Martin. Phys. Rev. B, 56, 15752 (1997).

[33] Л.И. Глазман, М.Э. Райх. Письма ЖТФ, 47, 378 (1988).

[34] Л.И. Глазман, К.А. Матвеев. ЖТФ, 98, 1834 (1990).

[35] M. Tewordt, V.J. Law, J.T. Nicholls, L. Martin-Moreno, D.A. Ritchie, M.J. Kelly, M. Pepper, J.E.F. Frost, R. Newbury, G.A.C. Jones. Sol. St. Electron., 37, 793 (1994).

[36] N.T. Bagraev, A.D. Bouravleuv, W. Gehlhoff, L.E. Klyachkin, A.M. Malyarenko. In: Proc. of ICPS-26, ed. by A.R. Long and J.H. Davies (Edinburgh, U.K., 2002). Inst. of Physics, Conference series, No 171, G3.3.

Редактор Т.А. Полянская Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып.

Pages:     | 1 |   ...   | 2 | 3 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.