WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     || 2 | 3 | 4 |
Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 6 Локальная туннельная спектроскопия кремниевых наноструктур + © Н.Т. Баграев, А.Д. Буравлев, Л.Е. Клячкин, А.М. Маляренко, В. Гельхофф, Ю.И. Романов, С.А. Рыков+ Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия Institut fr Festkrperphysik, Technische Universitt, D-10623 Berlin, Deutschland + Санкт-Петербургский государственный политехнический университет 195251 Санкт-Петербург, Россия (Получена 7 октября 2004 г. Принята к печати 26 октября 2004 г.) Процессы перезарядки многодырочных и малоэлектронных квантовых точек в условиях баллистического транспорта одиночных носителей тока внутри самоупорядоченных квантовых ям на поверхности кремния (100) изучаются с помощью методики локальной туннельной спектроскопии при высоких температурах вплоть до комнатной. На основании данных измерений туннельных вольт-амперных характеристик при прохождении одиночных носителей тока через заряженные квантовые точки идентифицируются режимы кулоновской блокады, кулоновских осцилляций проводимости и формирования электронных оболочек. Туннельные вольт-амперные характеристики демонстрируют влияние размерного квантования и электрон-электронного взаимодействия на характеристики транспорта одиночных носителей тока через кремниевые квантовые проволоки, содержащие слабо- и сильносвязанные квантовые точки.

1. Введние несколько свободных носителей тока, демонстрируя в процессах перезарядки эффекты как размерного кванИзготовление полупроводниковых структур с само- тования, так и электрон-электронного взаимодействия, упорядоченными квантовыми ямами и сверхрешетками относительный вклад которых определяется размерами является одной из наиболее важных проблем совре- точки и характеристиками ее границ [2,6].

менной физики полупроводников и наноэлектроники.

Аналогично квантовым ямам и квантовым проволокам Особенно актуальной она стала в последние годы в связи квантовые точки могут быть получены как в рамках с задачами создания принципиально новых приборов на- технологии молекулярно-лучевой эпитаксии при совноэлектроники и оптоэлектроники, таких как транзисто- местном использовании нанолитографии и селективного ры на одиночных электронах, одноэлектронные ячейки травления [1,2,6,7], так и электростатически, с помопамяти и лазеры на внутризонных переходах [1–4]. По- щью нанесенных металлических микроконтактов [2,8].

этому разработка новых технологий полупроводниковых В первом случае процесс формирования квантовых наноструктур ставит все большее число вопросов, каса- точек внутри гетероструктур, например AlGaAs–GaAs, ющихся микроскопической природы самоупорядоченных начинается с нанесения на поверхность широкозонноквантовых ям и разделяющих их двумерных барьеров, го полупроводника (AlGaAs) ряда масок, после этого которые составляют основу для получения квантовых производится глубокое травление, при котором удаляпроволок и точек в рамках электростатического огра- ется весь слой AlGaAs и частично слой GaAs. В реничения движения носителей тока.

зультате в образовавшихся нуль-мерных точках GaAs Квантовые точки представляют собой нуль-мерные сосредоточиваются электроны, возникающие вследствие системы, которые могут быть получены при полном ионизации мелких донорных центров в AlGaAs. Поограничении движения носителей тока как в квантовых этому количество носителей тока, локализованных в проволоках и ямах, так и в объемных кристаллах. квантовой точке, определяется концентрацией донорПоскольку движение носителей тока ограничено внутри ных центров и процессами их самокомпенсации изквантовой точки во всех направлениях, соответствую- за образования DX-центров [9], что создает целый щий энергетический спектр будет полностью дискрет- ряд проблем в исследовании транспорта баллистиным, как в одиночном атоме. Поэтому квантовые точки ческих носителей тока. Этот недостаток устраняется часто называют искусственными атомами, хотя каждая при использовании электростатического метода создатакая точка состоит из тысяч или даже сотен тысяч ния одномерных и нуль-мерных систем путем огранастоящих атомов. Естественно, речь в этом случае идет ничения движения носителей тока в квантовых ямах о заряженных квантовых точках, тогда как пустые кван- (рис. 1, a, b), преимуществом которого является возтовые точки не являются аналогами реальных атомов, можность увеличивать число электронов или дырок но представляют значительный интерес для изучения в квантовой точке вплоть до нескольких сотен, что процессов резонансного туннелирования носителей тока позволяет наблюдать такие интересные являения как через нуль-мерные системы [5]. В свою очередь, подоб- кулоновская блокада и кулоновские осцилляции, возно настоящему атому, заряженная квантовая точка — никающие вследствие усиления электрон-электронного „искусственный атом“ — может содержать один или взаимодействия [2,8].

Локальная туннельная спектроскопия кремниевых наноструктур использования методики расщепленного затвора квантовую точку внутри квантовой проволоки. Транспортные характеристики квантовой точки контролируются с помощью „пальчиковых“ затворов, тогда как напряжение центрального затвора управляет количеством находящихся в ней носителей тока (рис. 1). Таким образом, электростатически сформированная заряженная квантовая точка представляет собой „искусственный атом“, в котором с помощью внешних электрических полей можно изменять число носителей тока.

Кроме того, характеристики квантовых точек внутри квантовых ям могут контролироваться с помощью методики локальной туннельной спектроскопии (рис. 2, a).

В этом случае напряжение, приложенное между зондом сканирующего туннельного микроскопа (СТМ) и контактом на границе планарной структуры (Utunn), которое представляет собой разность потенциалов на концах электростатически индуцированной квантовой проволоки, является суперпозицией напряжения исток–сток и напряжения на затворе:

Utunn = Uds + Ug.

В зависимости от количества носителей тока, находящихся на квантовой точке, следует различать так называемые многоэлектронные и малоэлектронные „искусственные атомы“. Следует отметить, что количество носителей тока определяет круг наблюдаемых явлений в процессах баллистического транспорта. Например, кулоновские осцилляции проводимости, возникающие при Рис. 1. a — схема образца планарной p+-n-структуры холловской геометрии. Образец предназначен для изучения кулоновской блокады, кулоновских осцилляций и кулоновской лестницы проводимости квантовых точек в процессе транспорта одиночных носителей тока. b — схема расщепленного затвора (Ug), используемая для получения модулированных квантовых проволок внутри квантовых ям. Напряжения Ugи Ug2 прикладываются к „пальчиковым“ затворам, предназначенным для реализации квантовых точек. c — трехмерное изображение расщепленного затвора, полученное методом сканирующей туннельной микроскопии, в окрестности квантовой ямы на поверхности Si(100).

Одной из нерешенных задач практической наноэлектроники является определение относительного вклада квантовой интерференции и электрон-электронного взаимодействия в баллистический транспорт в электростатически индуцированных квантовых проволоках в условиях упругого обратного рассеяния носителей тока на внутренних -образных барьерах. Подобная модуляция когерентного транспорта одиночных носителей тока может возникать из-за влияния остаточных примесных Рис. 2. a — планарная структура, содержащая p+-диффузионцентров, распределенных вдоль границ квантовой провоный профиль, в условиях подвода иглы туннельного микросколоки, а также вследствие неоднородного распределения па. b, c — трехмерные диаграммы зонной схемы продольной напряжения затвора вдоль квантовой проволоки [10,11].

квантовой ямы p-типа на поверхности n-Si, которая содержит Варьируя напряжение исток–сток (Uds) и напряжение заквантовую точку, представляющую собой мультитуннельный твора (Ug), можно не только усилить влияние случайных переход в условиях: b — Utunn = Uds, c — Utunn = Ug. Пунктирэлектростатических -барьеров, но и создать в рамках ным кружком показана область точечного контакта иглы.

Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 718 Н.Т. Баграев, А.Д. Буравлев, Л.Е. Клячкин, А.М. Маляренко, В. Гельхофф, Ю.И. Романов, С.А. Рыков изменении напряжения центрального затвора (рис. 1, a), имеют исключительно многоэлектронный характер [6,8].

Малоэлектронные квантовые точки, в свою очередь, проявляют целый ряд свойств, типичных для реальных атомов, таких как орбитальное вырождение и формирование оболочек [12,13]. Кроме того, обнаружение эффекта Кондо и резонансов Фано в низкоразмерных системах, содержащих малоэлектронные квантовые точки, является еще одним доказательством сходства между реальными и искусственными атомами [14,15].

В данной работе с помощью методики локальной туннельной спектроскопии будут изучены различные режимы баллистического транспорта одиночных дырок через многоэлектронные и малоэлектронные квантовые точки внутри самоупорядоченных квантовых ям на поверхности кремния (100). Основное внимание будет уделено регистрации процессов однодырочной перезарядки при высоких температурах вплоть до комнатной, что достигается благодаря использованию последовательного соединения нескольких квантовых точек емкостью 10-19 Ф.

В дальнейших разделах кратко анализируются характеристики кремниевых квантовых ям p-типа, которые формируются между самоупорядоченными слоями микродефектов, полученных в условиях предварительного окисления и последующей диффузии бора на поверхности Si(100). Далее представлены данные исследований эффектов кулоновских осцилляций и кулоновской блокады, возникающих в процессе однодырочной перезарядки квантовой точки, электростатически индуцированной внутри квантовой проволоки с помощью расщепленного затвора, встроенного в плоскость самоупорядоченной кремниевой квантовой ямы. В дальнейших разделах показаны локальные туннельные спектры, также демонстрирующие эффекты кулоновской блокады и кулоновских осцилляций при прохождении одиночных дырок Рис. 3. Схемы получения самоупорядоченных кремниевых через слабосвязанные многоэлектронные квантовые точквантовых ям (СККЯ) на поверхности Si(100) в условиях ки внутри самоупорядоченных кремниевых квантовых инжекции собственных межузельных атомов Si (белые кружки) ям. В заключение приведены соответствующие туннель- и вакансий (черные кружки) в процессе предварительного окисления (a, b) и последующей диффузии бора (c): a —схема ные вольт-амперные характеристики, полученные при избыточных потоков собственных межузельных атомов Si и изучении сильносвязанных малоэлектронных квантовых вакансий, которые генерируются в процессе предварительного точек, которые показывают различные версии формиокисления поверхности Si(100) и кристаллографически ориенрования электронных оболочек в зависимости от числа тированы соответственно вдоль осей [111] и [100]. b —схеэлектронов в квантовой точке и от ее формы.

ма продольных СККЯ, которые возникают между слоями микродефектов, формирующихся на стадии предварительного окисления поверхности Si(100) из собственных межузельных 2. Самоупорядоченные кремниевые атомов Si и вакансий. c — схема продольных СККЯ, формируквантовые ямы (СККЯ) ющихся в результате последующей пассивации микродефектов в условиях кратковременной диффузии бора по вакансионному Известно, что формирование слоев окисла на поверхмеханизму (темные области) в рамках планарной кремниевой ности монокристаллического Si способствует генерации технологии.

избыточных потоков собственных межузельных атомов и вакансий, которые имеют выделенное кристаллографическое направление соответственно вдоль осей и 100 [16–19]. На начальной стадии окисления об- как противоположно направленные потоки вакансий разование тонкого слоя окисла сопровождается гене- приводят к их аннигиляции (рис. 3, a). Так как истоки рацией избычтоных межузельных атомов Si, которые и стоки избыточных межузельных атомов и вакансий способны формировать небольшие микродефекты, тогда на окисляющейся поверхности Si(100) располагаются Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. Локальная туннельная спектроскопия кремниевых наноструктур дельных микродефектов, зародышами которых являются Pb-центры [20], увеличиваются со временем окисления [21]. Получение толстых слоев окисла приводит, однако, к преобладающей генерации вакансий окисленной поверхностью и, следовательно, к разрушению микродефектов, которое сопровождается самоорганизацией поперечных квантовых ям [10,21].

Несмотря на то что структуры как продольных, так и поперечных кремниевых квантовых ям, внедренные во фрактальную систему микродефектов, представляют большой интерес для использования в качестве основы для оптически и электрически активных микрорезонаторов в опто- и наноэлектронике, присутствие оборванных связей на их границах является негативным фактором для практической реализации подобных структур.

Поэтому для пассивации оборванных связей и других дефектов, созданных в процессе предварительного окисления подложек Si(100), целесообразно применить последующую кратковременную диффузию бора, которая может привести к трансформации слоев микродефектов в нейтральные -барьеры, ограничивающие СККЯ (рис. 3, c и 4, b, c).

В данной работе с этой целью использовались подложки n-Si(100) толщиной 0.35 мм с удельным сопротивлением 500 и 20 Ом · см, которые были предварительно окислены при температуре 1150C в атмосфере сухого кислорода, содержащей пары CCl4. Толщина слоев окисла зависит от длительности процесса окисления, который варьировался в пределах от 20 мин до 24 ч.

В дальнейшем для получения и исследования продольных СККЯ основное внимание уделялось образцам с тонким окислом (0.22 мкм), в котором с помощью фотолитографии вскрывались окна в холловской геометрии для проведения кратковременной диффузии бора из газовой фазы при Tdif = 900C. Известно, что при данной Рис. 4. Трехмерное изображение продольных СККЯ, сформи- температуре устанавливается паритет между раличными рованных между слоями микродефектов (a), которые транс- диффузионными механизмами [10,16–18], приводящий формируются в нейтральные -барьеры после пассивации в к резкому замедлению диффузии бора в кремнии, что условиях кратковременной диффузии бора по вакансионноспособствует оптимальной пассивации слоев микродему механизму (b, c). Белые стрелки показывают направление фектов, ограничивающих СККЯ (рис. 3, c и 4, b, c).

упорядочения примесных диполей бора внутри -барьеров в Следует отметить, что микродефекты в форме пирамид, условиях напряжения исток–сток Uds, приложенного вдоль состоящих из собственных межузельных атомов, котокристаллографических осей: b — [001], c — [011].

рые проявлялись на стадии химического травления [18], не исчезали и после кратковременной диффузии бора (рис. 1, c).

Pages:     || 2 | 3 | 4 |



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.