WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     || 2 |
Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 6 Рентгенодифракционные и электронно-микроскопические исследования влияния -излучения на многослойные гетероструктуры AlGaAs/InGaAs/GaAs © А.В. Бобыль¶, А.А. Гуткин, П.Н. Брунков, И.А. Заморянская, М.А. Яговкина, Ю.Г. Мусихин, Д.А. Саксеев, С.Г. Конников, Н.А. Малеев, В.М. Устинов, П.С. Копьёв, В.Т. Пунин, Р.И. Илькаев, Ж.И. Алфёров Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия Российский федеральный ядерный центр ВНИИЭФ, Саров, Россия (Получена 22 ноября 2005 г. Принята к печати 7 декабря 2005 г.) Исследовано влияние -излучения на структурные изменения в транзисторных многослойных гетероструктурах AlGaAs/InGaAs/GaAs. С помощью рентгенодифракционных измерений и просвечивающей электронной микроскопии установлено, что при -облучении с дозой выше 3 · 107 рад начинает происходить разрушение слоя GaAs, находящегося на поверхноcти таких структур. При дозе облучения 108 рад планарность поверхности значительно ухудшается и ее шероховатость достигает нескольких нанометров. Кроме того, в приповерхностном слое структуры под воздействием -облучения наблюдается образование дислокаций.

Причина такого поведения поверхностного слоя может быть связана с существованием слоя окисла на его свободной поверхности и с возможными, индуцируемыми -облучением, химическими реакциями между атомами слоя и свободными радикалами, образующимися в окисле и в окружающей атмосфере. Заметных изменений структуры и состава тонкого слоя канала InGaAs при дозах до 108 рад не происходит.

PACS: 61.80.Cb, 68.35.Ct, 68.37.Lp, 68.55.Jk, 81.40.Wx Многослойные гетероструктуры на основе полупро- основе соединений AlGaAs/InGaAs/GaAs, используемых водников AIIIBV используются для изготовления при- для изготовления малошумящих СВЧ транзисторов.

боров полупроводниковой микро- и оптоэлектроники, Структуры были выращены на подложке из GaAs (плоскоторые во многих случаях эксплуатируются в условиях кость (001)) и состояли из следующих слоев.

действия различных радиационных факторов. В связи с 1. Полуизолирующая подложка из GaAs толщиной этим при конструировании подобных приборов и прогно- 350 мкм.

2. Буферный слой GaAs толщиной 400 нм.

зировании их радиационной стойкости важной задачей 3. Сверхрешетка AlxGa1-xAs/GaAs, состоящая из является выяснение детальных причин изменения их 7 периодов шириной около 5 нм с равной толщиной свойств под влиянием ионизирующих излучений [1–4].

Этими причинами, кроме возникновения дефектов в объ- слоев каждого материала.

4. Слой Alx Ga1-xAs толщиной 133 нм.

еме полупроводника, в приборах, представляющих собой 5. Сглаживающий слой GaAs толщиной 1.5нм.

многослойные гетероструктуры, могут быть изменение 6. Канал Iny Ga1-yAs толщиной 15 нм.

состава и толщины слоев и модификация гетерограниц 7. Сглаживающий слой GaAs толщиной 0.5нм.

между ними [5–8]. Однако подавляющее большинство 8. Слой AlxGa1-xAs толщиной 53 нм и конценисследований воздействия радиации на СВЧ приборы трацией электронов, изменяющейся от 2.5 · 1018 до в настоящее время посвящено изучению изменений 5 · 1017 см-3.

электрических свойств этих приборов и определению 9. Контактный слой n-GaAs толщиной 8нм.

образующихся в них электрически активных дефекОблучение образцов производилось -квантами Co тов. Указанные выше структурные изменения, также при комнатной температуре. Доза облучения изменялась приводящие к изменению электрических характеристик от 106 до 108 рад, скорость облучения составляла 106 рад приборов, исследованы мало.

за 6.5 ч.

В данной работе для изучения структурных изменений Как показали исследования, облучение с дозами менее при воздействии -излучения на многослойные гетеро3 · 107 рад практически не изменяло рентгенодифракциструктуры AlGaAs/InGaAs/GaAs использовались рентонных кривых, что свидетельствовало об отсутствии генодифракционные измерения на двухкристальном дизаметных изменений строения и состава слоев исследуфрактометре в отражении 004-CuK-излучения, а также емых структур и гетерограниц между этими слоями. На просвечивающая электронная микроскопия (ПЭМ). Исрис. 1, a–c показаны примеры этих кривых для необлуследования проводились на выращенных молекулярноченного образца и образцов, подвергнутых облучению с лучевой эпитаксией многослойных гетероструктурах на дозой 3 · 107 и 108 рад. Там же приведены результаты ¶ E-mail: bobyl@theory.ioffe.ru модельных расчетов рентгенодифракционных кривых.

5 708 А.В. Бобыль, А.А. Гуткин, П.Н. Брунков, И.А. Заморянская, М.А. Яговкина, Ю.Г. Мусихин, Д.А. Саксеев...

что сигнал в минимуме этой кривой при 2 65.заметно ниже уровня шума, поэтому этот минимум в эксперименте не может наблюдаться). Параметры слоев структуры, отвечающие наилучшему соответствию расчета эксперименту (см. таблицу), в пределах точности определения их значений совпадают с величинами, задаваемыми при изготовлении структуры и измеренными с помощью просвечивающей электронной микроскопии (рис. 2, a). Поскольку модельный расчет не учитывает упругие напряжения в слоях гетероструктуры, такое согласие показывает, что эти напряжения невелики.

Для образца, облученного с дозой 108 рад, дифракционная кривая заметно изменяется (рис. 1, c). В частности, крылья широкого дифракционного максимума, лежащего при 2 =(64.5-65.5) и связанного с каналом из InGaAs [9], становятся более резкими. Кроме того, практически исчезают мелкие осцилляции вблизи вершины этого пика. Несколько модифицируется также вид дифракционной кривой и правее основного пика, связанного с подложкой (2 = 66). Как показали расчеты рентгенодифракционных кривых, эти изменения можно связать с появившимися после -облучения с дозой 108 рад нарушениями в контактном слое 9, в результате которых толщина этого слоя в различных местах становится разной. Такой слой должен давать на рентгенодифракционной кривой интерференционные осцилляции, сдвинутые друг относительно друга для областей различной толщины. Суммирование этих осцилляций по площади наблюдения (около 1 мм2) дает заметное уменьшение их интегральной амплитуды. Такое суммирование было проведено при моделировании экспериментальной рентгенодифракционной кривой для дозы облучения 108 рад (рис. 1, c). При этом предполагалось, что контактный слой 9 имеет области толщиной 1, 4 и 6 нм, распределенные по площади с одинаковой вероятностью. Как видно из рис. 1, c, полученная модельная кривая хорошо согласуется с экспериментом.

Рис. 1. Экспериментальные (1) и расчетные (2) рентгенодифракционные кривые для необлученного образца (a) и после облучения с дозой 3 · 107 рад (b) и 108 рад (c).

При расчетах граница между подложкой и выращенным на ней буферным слоем из GaAs не учитывалась, а толщина подложки вместе с буферным слоем полагалась бесконечной, поскольку она намного превышала длину экстинкции рентгеновского излучения [9]. Как видно из рис. 1, a, расчетная дифракционная кривая многослойной структуры до облучения удовлетворительно согласуется Рис. 2. ПЭМ изображения поперечного сечения исследуес экспериментальной зависимостью. (Для суждения о мых структур до облучения (a) и после облучения с дозой степени ее соответствия эксперименту следует учесть, 108 рад (b).

Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. Рентгенодифракционные и электронно-микроскопические исследования влияния -излучения... Параметры модели многослойной гетероструктуры, использованные при расчете рентгенодифракционных кривых После облучения дозой Исходная структура Номер 3 · 107 рад 108 рад слоя Состав Толщина, нм Состав Толщина, нм Состав Толщина, нм 3 Al0.24Ga0.76As/GaAs (2.5 + 2.5)7 Al0.24Ga0.76As/GaAs (2.5 + 2.5)7 Al0.24Ga0.76As/GaAs (2.5 + 2.5)4 Al0.24Ga0.76As 133 Al0.24Ga0.76As 133 Al0.24Ga0.76As 5 GaAs 1.5 GaAs 1.5 GaAs 1.6 In0.13Ga0.87As 1.5 In0.12Ga0.88As 1.5 In0.12Ga0.88As 1.7 GaAs 0.5 GaAs 0.5 GaAs 0.8 Al0.24Ga0.76As 53 Al0.24Ga0.76As 53 Al0.24Ga0.76As 9 GaAs 8 GaAs 6 GaAs 1-Примечание. Номера слоев в таблице соответствуют номерам, использованным при описании исследованных структур. Суммарная толщина подложки (слой 1) и буфера (слой 2) из GaAs считалась бесконечной.

Подобные нарушения приповерхностных слоев дей- толщины канала на 1 нм и (или) концентрации In в ствительно были обнаружены в исследуемых образцах твердом растворе Iny Ga1-yAs на y = 0.01 приводит к с помощью просвечивающей электронной микроско- заметному изменению этих кривых и ухудшает их сопии (ПЭМ). На рис. 2, a, b приведены ПЭМ изображения гласие с экспериментом. Это позволяет заключить, что поперечного сечения исследуемых структур до и после заметных изменений структуры и состава тонкого слоя облучения с дозой 108 рад соответственно. Как видно из канала при дозах до 108 рад не происходит. Последнее рис. 2, b, после облучения происходят сильные измене- подтверждается исследованиями эффекта Холла, провения в верхнем контактном слое 9 (GaAs) и на границе денными методом Ван-дер-Пау на контактах, вожженых раздела между ним и слоем Alx Ga1-xAs (слой 8).

через сильно легированные слои 8 (AlxGa1-x As) и В результате этих изменений планарность поверх- (GaAs). Результаты этих исследований показали, что при ности структуры значительно ухудшается, а толщина комнатной температуре средняя подвижность носителей поверхностного слоя уменьшается. Величина шерохова- заряда была на уровне 4500-5200 см2/(В · с) и при мактости поверхности достигает нескольких нм, так что в симальной дозе облучения уменьшалась не более чем отдельных местах толщина слоя 9 становится равной 0.

на 2-3%. Это вполне можно объяснить образованием Кроме того, на поверхности структуры из-за генерации под влиянием -облучения точечных дефектов.

большого количества точечных дефектов под воздейТаким образом, проведенные исследования показываствием -облучения наблюдается образование дислокают, что помимо введения дефектов, являющихся центций, которые достигают гетерограницы между слоями рами рекомбинации и рассеяния носителей в объеме и 8 и проникают в слой 8 (рис. 2, b). Указанные выше полупроводниковых слоев многослойной структуры, сунарушения контактного слоя появляются уже и при щественное влияние на ее деградацию при -облучении дозе облучения 3 · 107 рад, но в значительно меньшей с дозой порядка 108 рад может оказывать разрушение степени, чем при дозе облучения 108 рад. Они привоструктуры тонких поверхностных слоев такой системы дят к небольшому уменьшению эффективной толщины и гетерограницы между ними и последующим слоем.

контактного слоя 9. И действительно, как видно из Причина такого поведения поверхностного слоя может таблицы, для оптимального согласия между модельной и быть связана с существованием слоя окисла на его своэкспериментальной рентгенодифракционными кривыми бодной поверхности и с возможными, индуцируемыми при дозе 3 · 107 рад приходится принять в расчетах -облучением, химическими реакциями между атомами меньшую толщину слоя 9. Следует также отметить, слоя и свободными радикалами, образующимися в окисчто модельные кривые для обоих облученных образцов ле и окружающей атмосфере.

соответствуют несколько меньшему содержанию In в При больших дозах облучения и недостаточной защиканале (слой 6), чем расчетная кривая для исходного те верхнего барьерного слоя в реальных полевых транобразца (y = 0.12 и y = 0.13 соответственно). Поскользисторах это явление может существенно уменьшить ку увеличение дозы облучения до 108 рад не приводит его толщину. Поскольку последняя составляет несколько к дальнейшему изменению величины y (см. таблицу), десятков нм, в результате облучения она может стать такое небольшое расхождение может быть связано с меньше критической (10-20 нм) [10], что приведет к панеоднородностью распределения In по площади пладению концентрации электронов в канале [10] и выходу стины или с релаксацией напряжений в канале после транзистора из строя.

первой дозы облучения. Кроме того, расчеты модельных рентгенодифракционных кривых для структур с Работа выполнена с использованием оборудования каналом Iny Ga1-yAs, параметры которого отличаются регионального ЦКП „Материаловедение и диагностика от приведенных в таблице, показали, что изменение в передовых технологиях“.

Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 710 А.В. Бобыль, А.А. Гуткин, П.Н. Брунков, И.А. Заморянская, М.А. Яговкина, Ю.Г. Мусихин, Д.А. Саксеев...

Список литературы [1] A. Simono, I. Debusschere, A. Alaerts, C. Claeys. IEEE Trans.

Nucl. Sci., 39, 1964 (1992).

[2] А.В. Бобыль, Р.В. Конакова, В.К. Кононов, В.Г. Малинин, М.М. Малышев, И.В. Прокопенко, М.И. Слуцкий, Ю.А. Тхорик. Электрон. техн. Сер. Управление качеством, №4(151)–5(152), 31 (1992).

[3] R.L. Pease. IEEE Trans. Nucl. Sci., 50, 539 (2003).

[4] Todd R. Weatherford. IEEE Trans. Nucl. Sci., 50, 704 (2003).

[5] M.J. O’Laughlin. IEEE Trans. Nucl. Sci., 35, 1808 (1987).

[6] A.A. Belyaev, A.E. Belyaev, R.V. Konakova, S.A. Vitusevich, V.V. Milenin, E.A. Soloviev, L.N. Kravchenko, T. Figelski, T. Wosinski, A. Makosa. Semicond. Phys., Quant. Electron.

Optoelectron., 2, 98 (1999).

[7] B.D. White, M. Bataiev, S.H. Goss, X. Hu, A. Karmarker, D.M. Fleetwood, R.D. Schrimpf, W.J. Schaff, L.J. Brillson.

IEEE Trans. Nucl. Sci., 50, 1934 (2003).

[8] О.Ю. Борковская, Н.Л. Дмитрук, И.Б. Ермолович, Р.В. Конакова, В.В. Миленин. ЖТФ, 74, 44 (2004).

[9] Д.К. Боуэн, Б.К. Таннер. Высокоразрешающая рентгеновская дифрактометрия и топография (СПб., Наука, 2002).

[10] А.В. Бобыль, П.С. Копьев, Н.Н. Леденцов, А.М. Минтаи ров, В.М. Устинов. Письма ЖТФ, 16, 90 (1990).

Редактор Т.А. Полянская The X-ray diffractometry and electron microscopy study of the -radiation influence on AlGaAs/InGaAs/GaAs multilayer heterostructures A.V. Bobyl, A.A. Gutkin, P.N. Brunkov, I.A. Zamoryanskaya, M.A. Yagovkina, Yu.G. Musikhin, D.A. Sakseev, S.G. Konnikov, N.A. Maleev, V.M. Ustinov, P.S. Kopjev, V.T. Punin, R.I. Ilkaev, Zh.I. Alferov Ioffe Physico-Technical Institute, Russian Academy of Sciences, 194021 St. Petersburg, Russia The Russian Federal Nuclear Center VNIIEF, Sarov, Russia

Abstract

Pages:     || 2 |



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.