WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № Кинетика перераспределения примеси в квазипериодических структурах... Принято считать, что коэффициент диффузии атомов Kinetics of impurity redistribution in бора зависит от их концентрации в узлах кристаллиquasi-periodic structures induced in ческой решетки. Тогда полученное выше совпадение heavily boron-doped silicon due to boron величин коэффициентов диффузии свидетельствует, что ion implantation в областях образцов, где происходит формирование осA.M. Myasnikov, V.I. Obodnikov, V.G. Seryapin, циллирующей структуры, концентрация бора в позициях E.G. Tishkovsky, B.I. Fomin, E.I. Cherepov замещения понижена в сравнении с исходным уровнем легирования.

Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch of Russian Academy of Sciences, 630090 Novosibirsk, Russia Заключение

Abstract

In this paper an analysis of the kinetics of impurity 1. Установлено, что при прогревах при температуре redistribution between the parts of the quasi-periodic structure 900-1075C в областях кремния, содержащих квазипеof boron distributions was carried out. The spatial structure риодические структуры, при сохраняющемся интегральwas induced in a heavily boron-doped silicon after boron ion ном количестве бора происходит его миграция, сопровоimplantation and subsequent annealing at 900C. It was found that ждающаяся захватом примеси на участках с фиксированupon heating from 900C to 1075C there was a clearly seen boron ным положением пространстве.

migration with a following capture of impurities in evenly spaced 2. Показано, что во время отжига при фиксированной regions, the total amount of boron being conserved in the region температуре 900C в интервале 10–240 мин прирост where the boron redistribution had occurred. It has been shown концентрации бора в максимумах квазипериодической that kinetiks of the formation of quasi-periodic distribution in the структуры удовлетворительно описывается логарифмиcourse of 900C annealing (from 10 to 240 min) was similar to ческой зависимостью от времени, а убыль концентрации kinetics of precipitation from supersaturated solid solution at the в минимумах — экспоненциальной зависимостью. В coalescence stage.

главных чертах особенности в перераспределении примеси хорошо вписываются в рамки теории коалесценции пересыщенных твердых растворов.

В заключение авторы выражают благодарность А.И. Баранову за обсуждение результатов работы.

Список литературы [1] А.М. Мясников, В.И. Ободников, В.Г. Серяпин, Е.Г. Тишковский, Б.И.Фомин, Е.И. Черепов. Письма ЖЭТФ, 60, №2, 96 (1994).

[2] D.J. Eaglesham, P.A. Stolk. H.-J. Gossmann, J.M. Poate. Appl.

Phys. Lett., 65, 2305 (1994).

[3] P.A. Stolk, H.-J. Gossmann, D.J. Eagleham, D.C. Jacobson, J.M. Poate, H.S. Luftman. Appl. Phys. Lett., 66, 568 (1995).

[4] P.A. Stolk, D.J. Eaglesham, H.-J. Gossmann, J.M. Poate. Appl.

Phys. Lett., 66, 1370 (1995).

[5] H. Ryssel, K. Muller, K. Haberger, R. Henkelmann, F. Jahnel.

Appl. Phys., 22, 35 (1980).

[6] I.M. Lifshitz, V.V. Slyozov. J. Phys. Chem. Sol., 19, 35 (1961).

[7] T.R. Waite. Phys. Rev., 107, 463 (1957).

[8] Я.Б. Зельдович, А.Д. Мышкис. Элементы математической физики (М., Наука, 1973).

[9] M. Miyake. J. Appl. Phys., 57, 1861 (1985).

[10] R.N. Ghostagor. Phys. Rev. B, 3, 389 (1971).

[11] S. Wagner. J. Electrochem. Soc., 119, 1570 (1972).

[12] D.A. Antoniadis, A.G. Gonzalez, R.W. Dutton. J. Electrochem.

Soc., 125, 813 (1978).

[13] A.D. Kurtz, R. Yee. J. Appl. Phys., 31, 303 (1960).

Редактор Т.А. Полянская 5 Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, №

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.