WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

флуктуации дает ближайшая пара с заданными параметС учетом того что ”период” ассистирующих прыжков рами. Заметим, что ассистирующие пары должны иметь предполагается много меньшим, чем характерное время энергию активации E по крайней мере не большую, чем токонесущего прыжка, мы можем усреднить вероятэнергия активации ”токонесущей” пары E (поскольку в ность W токонесущего прыжка по времени, и с учетом противном случае эффект ассистирования пропадет); пообращения в 0 соответствующей энергии активации в реэтому в нашем случае ограничение соответствует E E.

зультате ассистирующего прыжка, получаем в результате С учетом сказанного оценка минимального расстояния R усреднения от токонесущего узла ассистирующей пары имеет вид 2r E W exp - -, (9) R E a T d3R d3l dE f (E, l) =1. (8) где ”активационный” член описывает вероятность асси0 стирующего прыжка, а r — расстояние в соответствующей паре токонесущих узлов. С учетом того, что благодаВидно, что в интеграл по l в основном дают вклад минимально возможные значения l rC, соответству- ря ассистированию прыжки происходят в полосе энергий шириной |U|, мы имеем оценку r rC(C/E)1/3.

ющие тесным парам. Для таких пар, как легко видеть, R rC(C/E)1/3 и, соответственно, потенциал взаи- Используя в качестве условия связности перколяционмодействия пары с узлом U e2l/(R2) оценивается ного кластера — условие равенства ”туннельного” и как U E(C/E)1/3. Иными словами, флуктуация, активационного вкладов в показатель степени, и опреобусловленная ассистирующим прыжком действительно деляя таким образом характерную полосу энергий E может превышать саму энергию активации. Заметим, ассистирующих пар, окончательно получаем следующую Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № Экспериментальное проявление коррелированных прыжков в температурных зависимостях... оценку для сопротивления: [11] Н.В. Агринская, В.И. Козуб, Д.В. Шамшур. ЖЭТФ, 107, 2063 (1995); N.V. Agrinskaya, V.I. Kozub. Phys. St. Sol. (b), 205, №1 (1998).

log W (T1 /T )2/5, (10) [12] Н.В. Агринская, В.И. Козуб, Р. Ренч, П. Фозони, М.Д. Ли.

ЖЭТФ, 111, 1477 (1997).

где T1 T1,0(T0/T1,0)1/4 > T1,0, где T1,0 — значение, [13] T.G. Gastner. In: Hopping transport in solids, ed. by соответствующее закону Эфроса–Шкловского без учета M. Pollak and B. Shklovskii (Elsevier, 1992).

эффектов ассистирования.

[14] M.L. Knotek, M. Pollak. Phys. Rev. B, 9, 664 (1974).

Заметим, что изменение показателя степени свиде- [15] С.Д. Барановский, Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. ЖЭТФ, 78, 394 (1980).

тельствует о том, что вклад ассистирующих прыжков не сводится к перенормировке C (см. [5]), но приводит Редактор Т.А. Полянская и к изменению самой температурной зависимости. В этом отношении рассмотренная ситуация отличается Experimental manifestation of correlated от поляронного эффекта. В то же время отличие от hopping on temperature dependences of закона (1) очень невелико и вряд ли может быть с conductivity of doped CdTe достаточной убедительностью выявлено путем простого анализа температурной зависимости.

N.V. Agrinskaya, V.I. Kozub На рис. 1 показаны температурные зависимости сопроA.F. Ioffe Physicotechnical Institute, тивления, построенные в масштабе (T1 /T )2/5 и в станRussian Academy of Sciences, дартном масштабе (T1/T )1/2. Полученные из наклонов 194021 St.Petersburg, Russia значения T1 оказываются существенно больше значений T1 (см. табл. 2), что дает большие значения T1,0. Расчет

Abstract

A behaviour peculiar to hopping transport within диэлектрической проницаемости с помощью выражения temperature range near the crossover between the Mott and the = 1e2/(T1,0a) дает значения, согласующиеся с Efros–Shklovskii hopping regimes has been investigated in doped вычисленными при помощи выражения (5) величинами CdTe crystals. Irrelevance of some parameters (localization length, (табл. 2).

dielectric constant) evaluated by the temperature dependences at Таким образом, учет ассистирующих прыжков в рам- different sides of the crossower is found. This contradiction has been explained in the frame of a simplified model that takes into ках предложенной упрощенной модели приводит к более account ”assisting” hops.

адекватным параметрам образцов и улучшает согласие между оценками, сделанными по разные стороны кросE-mail: agrin@pk.pti.rssi.ru совера. Отметим, что, как следует из сопоставления экспериментальных данных с теорией, предсказываемое нашей моделью некоторое ослабление температурной зависимости по сравнению с законом (1) позволяет добиться лучшего согласия с экспериментом, чем простое изменение парметра T1.

Данная работа поддержана фондом РФФИ (грант 9702-18280) и фондом INTAS (грант 93-1555-ext).

Список литературы [1] J.G. Massey, M. Lea. Phys. Rev. Lett., 75, 4266 (1995).

[2] M. Pollak, M. Ortuno. In: Electron-electron interactions in disordered systems, 1985.

[3] A.L. Efros, B.I. Shklovskii. Electronic properties of doped semiconductors (Elsevier, 1985).

[4] A. Perez-Garrido et al. Phys. Rev. B, 55, R8630 (1997).

[5] А.Г. Забродский, А.Г. Андреев. Письма ЖЭТФ, 58, (1993).

[6] I. Shlimak, Y. Kraftmakher, R. Ussyshkin, K. Ziberg. Sol. St.

Commun., 93, 829 (1995).

[7] V.I. Kozub. Sol. St. Commun., 97, 843 (1996).

[8] V.I. Kozub, I. Shlimak. Proc. 14 Int. Conf. ”Noise in physical systems” (Leuwen, 1997).

[9] B.I. Shklovskii, B.Z. Spivak. In: Hopping transport in solids, ed. by M. Pollak and B. Shklovskii (Elsevier, 1992).

[10] Б.И. Шкловский. ФТП, 17, 2055 (1983).

5 Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, №

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.