WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

коомными. По данным оже-электронной спектроскопии 4. Отличие пленок на плоских подложках с большим и спектроскопии ХПЭЭ, представленным на рис. 3, числом эмиссионных центров от пленок, повышающих пленки 2 и 3 обладали, как и пленки 1, полимероподоб- эффективность эмиссии острийных эмиттеров, обнаруной структурой с высокой концентрацией sp2-связей в живаемое в данных оже-электронной спектроскопии и Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 702 А.Я. Виноградов, А.Н. Андронов, А.И. Косарев, А.С. Абрамов спектроскопии ХПЭЭ, предположительно обусловлено различием в электронной структуре, окружении атомов углерода в решетке, микроплотности и содержании водорода в пленке.

5. Доказательный ответ на вопрос, какие именно структурно-химические изменения материала пленки приводят к изменению оже-электронных спектров и спектров ХПЭЭ, требует проведения дополнительных исследований.

Работа поддержана грантом INTAS 97-1754.

Список литературы [1] A.I. Kosarev, V.V. Zhirnov, A.J. Vinogradov, M.V. Shutov, L.V. Bormatova, E.I. Givargizov, T.E. Felter. MRS Proc., 509, 130 (1998).

[2] A.I. Kosarev, A.S. Abramov, A.N. Andronov, A.J. Vinogradov, M.V. Shutov, M.Z. Waqar, A.N. Titkov, I.V. Makarenko. Proc.

4th Int Symp. on Diamond Films and Related Materials (ISDF-4) (Kharkov, 1999) p. 209.

[3] D.A. Shirley. Adv. Chem. Phys., 23, 85 (1973).

[4] J. Schfer, J. Ristein, R. Graupner, L. Ley, U. Stephan, Th. Frauenheim, V.S. Veerasamy, G.A.J. Amaratunga, M. Weiler, H. Ehrhardt. Phys. Rev. B, 53, 7762 (1996).

Редактор Л.В. Шаронова Low temperature plasma enhanced chemical vapor deposition and emission properties of carbon films A.Y. Vinogradov, A.N. Andronov, A.I. Kosarev, A.S. Abramov Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, 194021 St. Petersburg, Russia State Technical University, 195251 St. Petersburg, Russia

Abstract

The carbon films obtained by plasma enhanced chemical vapor deposition from hexane vapor and hydrogen mixture at the substrate temperature 150-200C on silicon tip emitters and flat substrates were studied. The films improving emission of tip emitters and the films for flat emitters were deposited under different parameters of hydrogen plasma etching. The films deposited on flat substrates and tip emitters demonstrated high optical transparency and low electrical conductivity; they had a polymer-like structure with high concentration of C–C sp2 bonds and different characteristics of the electron structure, the carbon atoms surroundings in lattice, as well as different microdensity and hydrogen concentrations.

Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.