WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     || 2 |
Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 6 Плазмохимическое напыление и эмиссионные свойства углеродных пленок, осаждаемых при низкой температуре © А.Я. Виноградов¶, А.Н. Андронов, А.И. Косарев, А.С. Абрамов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия Санкт-Петербургский государственный технический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия (Получена 9 ноября 2000 г. Принята к печати 15 ноября 2000 г.) Исследованы углеродные пленки, нанесенные из смеси водорода и паров гексана при температуре подложки 150-200C на кремниевые острийные эмиттеры и плоские подложки методом плазмохимического газофазного осаждения. Покрытия, повышающие эффективность эмиссии острийных эмиттеров, и пленки для плоских эмиттеров наносились при различных условиях травления растущей пленки водородной плазмой.

Пленки, нанесенные на плоские подложки, и покрытия острийных эмиттеров обладают высокой оптической прозрачностью, низкой электропроводностью, имеют полимероподобную структуру с высокой концентрацией sp2-связей между атомами углерода и различаются электронной структурой, окружением атомов углеродной решетки, микроплотностью и содержанием водорода в пленке.

Введение Структура пленок исследовалась методами инфракрасной (ИК), оже-электронной спектроскопии и спектроУглеродные пленочные покрытия, в том числе полу- скопии характеристических потерь энергии электронов чаемые при температурах, меньших 300C, могут быть (ХПЭЭ).

использованы для нанесения их на острийные полевые Эмиссионные свойства образцов характеризовались катоды [1]. В этом случае повышается эмиссионный интегральными вольт-амперными характеристиками ток и снижается пороговая напряженность электриче- (ВАХ), пересчитываемыми в зависимости плотности ского поля начала эмиссии. Кроме того, такие пленки эмиссионного тока J от напряженности электрического широко исследуются в качестве материала, потенци- поля F, и распределением эмиссионных центров, ально пригодного для изготовления плоских полевых измеренным в установках диодного типа. Эффективность эмиттеров [2]. Замечено, что покрытия, повышающие эмиссии оценивалась по величинам порогового поля эмиссионный ток и понижающие пороговое напряжение начала эмиссии, эмиссионного тока, плотности и начала эмиссии острийных эмиттеров, и пленки на плос- равномерности распределения эмиссионных центров по ких подложках, имеющие большое число эмиссионных поверхности эмиттера.

центров, требуют различных условий осаждения и, как следствие этого, по-видимому, различаются составом и Результаты структурой.

Настоящая работа посвящена исследованию особенПри изготовлении углеродных покрытий варьированостей процесса роста и травления углеродных пленок лись состав рабочей смеси, процедура предварительной при низких температурах подложки, а также изучению обработки подложки и технологические параметры проразличий состава и структуры материалов, наносимых цесса изготовления покрытия, наиболее существенными на острийные катоды и на плоские подложки.

из которых оказались высокочастотная (ВЧ) мощность и температура подложки. При этом было замечено, что параметры процесса нанесения углеродных покрытий, Эксперимент повышающих эмиссионный ток и понижающих пороговое напряжение начала эмиссии острийных эмиттеУглеродные пленки наносились при температуре ров [1], отличаются от параметров процесса осаждения 150-250C методом высокочастотного (56 MHz) плазна плоскую подложку углеродных пленок, показавших мохимического газофазного осаждения (ПХГФО) из смебольшое число эмиссионных центров.

си водорода (H2) с парами гексана (C6H14) на плоские Кроме того, было замечено, что скорость напыления подложки из кристаллического кремния p-типа провоуглеродной пленки растет с увеличением ВЧ мощности димости. Толщина пленки контролировалась во время и слабо зависит от температуры подложки, но выше ее роста или травления лазерным интерферометром.

некоторой критической температуры резко падает до На этой же установке проводились эксперименты, нануля. Такое поведение скорости осаждения пленки направленные на выявление закономерностей процесса при блюдалось при напылении углеродных пленок на кремнизкотемпературном осаждении углеродных пленок.

ниевые, керамические и металлические подложки при ¶ E-mail: vinogradov@aik.ioffe.rssi.ru частотах 13.56 и 56 MHz с использованием смеси метана Плазмохимическое напыление и эмиссионные свойства углеродных пленок, осаждаемых... ния пленки процессом ее травления водородом даже при напылении пленки из паров гексана, не разбавленных водородом. В последнем случае количество водорода, образовавшегося в результате диссоциации молекул гексана, оказывается достаточным для эффективного травления углеродной пленки.

Скорость травления углеродной пленки в водородной плазме пренебрежимо мала при комнатной температуре и растет с ростом температуры подложки. Поэтому можно предполагать, что углеродные пленки, напыляемые при высоких температурах (близких к критической), подвергаются во время роста травлению водородными радикалами сильнее, чем пленки, выращенные при более низких температурах. Пленки, напыляемые при ”комнатРис. 1. Зависимости скоростей напыления (Rd) и травной” и близких к ней температурах, не подвергаются ления (Re) углеродной пленки от температуры подложтравлению при их росте.

ки (Ts). 1 — напыление из C6H14, 2 — напыление из Ранее в работе [1] нами показано следующее.

7% C6H14 + 93% H2, 3 — травление в H2.

1) Покрытия, повышающие эмиссионный ток и понижающие пороговое напряжение начала эмиссии острийных эмиттеров, требуют условий нанесения, обеспечивающих эффективное травление водородом пленки во время ее роста, т. е. наносятся при температурах подложки, близких к критической. Кроме того, необходима предварительная обработка острийного эмиттера — травление в плазме водорода с последующей обработкой плазмой гексана, сильно разбавленного водородом, при постоянном положительном смещении на ВЧ электроде.

2) Покрытия, обеспечивающие повышение эффективности острийного эмиттера, представляют собой не сплошное, а ”чешуеобразное” покрытие — тип 1 (см. фото в [1]).

3) Сплошное гладкое покрытие — тип 2 (см. фото Рис. 2. Вид интерферограммы при смене напыления пленки в [1]), наносимое в условиях, обеспечивающих умерен(слева от пунктирной линии) травлением (справа от пунктирное травление растущей пленки (температура подложки ной линии).

меньше критической, без предобработки подложек), не приводит к улучшению эмиссионных свойств острийного эмиттера.

с аргоном, паров гексана и их смесей с водородом. ОдПозже в работе [2] мы показали, что углеродные нако мы не встречали в литературе данных о существопокрытия типа 1, нанесенные на плоские кремниевых вании критической температуры осаждения углеродных подложки, проявляют наличие полевой эмиссии со слепленок, т. е. температуры, выше которой прекращается дующими параметрами: плотность эмиссионного тока осаждение пленок.

до 1 мA/cм2, пороговая напряженность электрического На рис. 1 приведены зависимости от температуры поля менее 1 B/мкм. Эмиссия носила ярко выраженподложки (Ts) скоростей напыления углеродной пленки ный активационный характер (появлялась и становилась (Rd) и ее травления водородной плазмой (Re) в усло- устойчивой после неоднократного приложения электривиях, близких к условиям осаждения пленки: частота ческого поля). При этом число центров эмиссии было f = 56 MHz, поток рабочей смеси Q = 25 sccm, давле- крайне мало (несколько отдельных точек). Пленкитипа ние в реакторе P = 30 мТоpр, ВЧ мощность W = 50 Вт.

имели оптическую прозрачность 93%, электропроводКак видно из рисунка, скорость травления расту- ность при 400C 10-12 - 10-14 Ом-1 · см-1, энергию щей пленки водородной плазмой начинает превышать активации электропроводности 1.2-1.6эВ.

скорость напыления при температуре Ts 200C в Исследование поверхности пленок с помощью ожеслучае осаждения пленки из паров гексана и при тем- электронной спектроскопии (рис. 3, a) выявило небольпературе Ts 150C в случае осаждения пленки из шое смещение пика оже-спектра материала пленки (крисмеси 7% C6H14 + 93% H2. Действительно, смена хода вая 1) в сторону высоких энергий от пика графита развертки интерферограммы на обратный (см. рис. 2) (кривая 3) при сходстве формы пиков. Спектроскопия доказывает, что при температурах подложки, превыша- ХПЭЭ показала наличие в спектрах материала пленок ющих критическую, происходит смена процесса напыле- пиков 284 и 291 эВ, смещенных по сравнению с пиками Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 700 А.Я. Виноградов, А.Н. Андронов, А.И. Косарев, А.С. Абрамов Рис. 3. Оже-электронные спектры (a) и спектры ХПЭЭ при энергии первичного пучка 125 эВ (b): 1 — пленка типа 1;

2–1 — пленка типа 2 в области максимальной концентрации эмиссионных центров; 2–2 — пленка типа 2 в области со средней концентрацией эмиссионных центров; 2–3 — пленка типа 2 в области, где отсутствуют эмиссионные центры;

3 —графит. E — энергия потерь электронов.

графита (283 и 289 эВ). Таким образом, спектр ХПЭЭ (в условиях умеренного травления водородом растууглеродных пленок, как и оже-спектр, оказался близким щей пленки, идентичных условиям нанесения сплошного по форме к спектру графита, но смещенным примерно гладкого углеродного покрытия на острийный эмиттер) на 1 эВ в сторону больших энергий. Подобный сдвиг привело к получению плоских эмиттеров типа 2, на энергии связи 1s-уровня углерода наблюдался, например, которых наблюдались большие плотности эмиссионного в молекулах C2H4 и C2H2 [3]. Мы предполагаем, что тока (до 10 мA/cм2) и значительно большее число эмиссдвиг пиков ХПЭЭ углеродных пленок обусловлен при- сионных центров (до 103 см-2) по сравнению с пленками типа 1. При этом появление области равномерного сутствием в них значительного количества химически связанного с сеткой водорода. По данным ИК спек- распределения центров эмиссии сопровождалось скачкообразным увеличением тока эмиссии на несколько троскопии, его концентрация в исследованных пленках порядков, что можно видеть по ходу кривой 1 на рис. 4, равна [H] 1 · 1023 см-3.

и кратковременным повышением давления в измериИз спектров ХПЭЭ в интервале энергий 5–50 эВ тельной камере. Распределение эмиссионных центров на (рис. 3, b) были определены энергия плазмона p, конпленке типа 2 приведено на рис. 5.

центрация валентных электронов n и микроплотность Уменьшение толщины пленки, осаждаемой в условиуглеродных пленок. Значения этих параметров для исях умеренного травления, позволило получить образцы следуемых пленок, а также для алмаза и графита приветипа 3, отличающиеся от описанных выше тем, что дены в таблице. На основании данных о микроплотности столь же равномерное распределение центров эмиссии и поверхностной концентрации углерода было оценено достигалось без скачка тока и давления при плотностях содержание водорода на поверхности пленок, которое тока 0.3мA/cм2.

составляло 65-70 ат%.

Сходство оже-спектров, спектров ХПЭЭ и характеристик материала, определенных из низкоэнергетичной Энергия плазмона p, концентрация валентных электронов n и микроплотность исследуемых углеродных пленок, алмаза части спектров ХПЭЭ, для исследуемых пленок и графии графита та, наряду с оптическими и электрическими свойствами пленок, мы объясняем тем, что пленки обладали поМатериал p, эВ n, 1023 см-3, г/смлимероподобной структурой с высокой концентрацией sp2-связей C–C. Углеродные пленки 28.5 5.8 2.Алмаз [4] 34.5 8.6 4.Нанесение углеродных пленок на плоские кремниеГрафит 26 5.3 2.вые подложки при температурах, меньших критической, Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. Плазмохимическое напыление и эмиссионные свойства углеродных пленок, осаждаемых... атомарной углеродной сетке. Однако вид оже-спектров и спектров ХПЭЭ этих пленок (кривые 2–1) значительно отличались от спектров пленок типа 1 (кривые 1).

Отличие оже-электронных спектров пленок типа от спектров пленок типа 1 заключается в наличии дополнительных пиков в области 200-250 эВ, что, как мы предполагаем, свидетельствует о различиях в электронной структуре и об изменении окружения атомов углеродной решетки, например, за счет увеличения количества водорода. Отличие спектров ХПЭЭ пленок типа 2 от спектров пленок типа 1 заключается в сильном сдвиге максимума кривой в область меньших энергий, что означает уменьшение микроплотности и, возможно, увеличение содержания водорода в пленке.

Заметно различаются оже-спектры и спектры ХПЭЭ пленки типа 2, снятые в области максимальной концентрации эмиссионных центров (кривые 2–1), в области со средней концентрацией эмиссионных центров (кривые 2–2) и в области, где отсутствуют эмиссионные Рис. 4. Эмиссионные характеристики углеродных пленок, центры (кривые 2–3). Оже-спектры и спектры ХПЭЭ, осажденных на плоские подложки в условиях умеренного снятые в области максимальной концентрации эмиссионтравления водородом: 1 — пленка типа 2 при увеличении ных центров, наиболее сильно отличаются от спектров электрического поля, 2 — пленка типа 2 при снижении элекграфита (кривые 3), а спектры, снятые в области, где трического поля, 3 — пленка типа 3.

отсутствуют эмиссионные центры, повторяют форму спектров графита.

На вопрос, какие именно структурно-химические изменения материала пленки приводят к подобным изменениям в оже-спектрах и спектрах ХПЭЭ, можно будет доказательно ответить лишь после проведения дополнительных исследований.

Заключение 1. Характер зависимости скорости роста углеродной пленки при низких температурах подложки свидетельствует о том, что плазменное водородное травление растущей углеродной пленки — существенный фактор, определяющий ход осаждения пленки при низкой температуре подложки.

2. Условия получения углеродных покрытий, повышающих эффективность эмиссии, различны для острийных Рис. 5. Распределение эмиссионных центров на пленках типа эмиттеров и плоских покрытий. Покрытия острийных при E = 2 кВ/200 мкм.

эмиттеров наносились в условиях, обеспечивающих эффективное травление водородом растущей пленки, а покрытия на плоские подложки наносились в условиях, Зависимости плотности эмиссионного тока от напря- обеспечивающих умеренное травление.

женности электрического поля углеродных пленок, оса- 3. Все полученные углеродные пленки обладали высожденных на плоские подложки в условиях умеренного кой оптической прозрачностью, низкой электропроводтравления водородом растущей пленки, (тип 2 и 3) ностью и имели оже-электронные спектры и спектры приведены на рис. 4.

ХПЭЭ, подобные спектрам графита. Это позволяет заПленки типа 2 и 3 были столь же оптически про- ключить, что материал пленок имеет полимероподобную зрачными, как и пленки типа 1, и еще более высо- структуру с высокой концентрацией sp2-связей C–C.

Pages:     || 2 |



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.