WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 | 2 ||

Рис. 6. Зависимость энергии излучения We+p от времеАвторы глубоко признательны В.И. Перелю, Ю.Д. Кани задержки при фиксированной энергии фотона: 1 — лафати, Л.В. Левкину, Ю.К. Чмаровскому и Г.Н. Шкер s = 1.38671 эВ, 2 — s = 1.38765 эВ, Y = 0.15 мм. Кридину за подробное обсуждение результатов работы и вая 1 сдвинута по оси ординат относительно истинного полезные советы.

положения на величину, указанную справа от кривой. На вставке — фрагменты спектров (We+p - WB )/WB = f ( s ): 3 — Y = 0.29 мм, левая ось ординат; 4 — Y = 0.15 мм, правая ось Список литературы ординат. Стрелки указывают на спектральные точки, в которых были измерены кривые 1 и 2.

[1] Yu.D. Kalafati, V.A. Kokin, H.M. Van Driel, G.R. Allan. In:

Hot Carriers in Semiconductors, ed. by K. Hess (Plenum Press, N.Y., 1996) p. 587.

симумами на зависимости We+p = f ( ), представленной [2] L.W. Casperson. J. Appl. Phys., 48, 256 (1977).

кривой 1 на рис. 6, оказался равен 4-5 пс. А имен[3] E.O. Goebel, O. Hildebrandt, K. Lohnert. IEEE J. Quant.

но, интервал оказался приблизительно равным тем Electron. QE-13 (10), 848 (1977).

оценкам периода возможной модуляции излучения во [4] K.Y. Lau, A. Yariv. Appl. Phys. Lett., 40, 452 (1982).

времени, которые основывались на модуляции зависи[5] П.Г. Елисеев. Введение в физику инжекционных лазеров мости S = f (Y ) и на модуляции спектра:

(М., Наука, 1983) с. 294.

[6] К. Лау, А. Ярив. В сб.: Полупроводниковые инжекцион T. (3) ные лазеры под ред. У. Тсанга (М.: Радио и связь, 1990) с. 73.

Модуляция зависимости We+p = f ( ) позволяет пред[7] N.N. Ageeva, I.L. Bronevoi, E.G. Dyadyushkin, V.A. Mironov, полагать, что в условиях ее появления, т. е. когда S.E. Kumekov, V.I. Perel’, B.S. Yavich. Sol. St. Commun., спектр излучения модулирован, генерация излучения 72 (7), 625 (1989).

имеет пульсационный характер с интервалами между [8] Ю.Д. Калафати, В.А. Кокин. ЖЭТФ, 99, 1793 (1991).

пульсациями, равными.

[9] И.Л. Броневой, А.Н. Кривоносов. ФТП, 33, 13 (1999).

Таким образом, в работе была обнаружена модуляция [10] Н.Н. Агеева, И.Л. Броневой, А.Н. Кривоносов, С.Е. Кумехарактеристик интенсивного пикосекундного излучения ков, С.В. Стеганцов. ФТП, 36, 144 (2002).

из GaAs, возбуждаемого сверхкоротким световым им[11] D.T.F. Marple. J. Appl. Phys., 35 (4), 1241 (1964).

пульсом. Параметры модуляции оказались взаимосвяза[12] А. Ривлин. Динамика излучения полупроводниковых ны соотношением квантовых генераторов (М., Сов. радио, 1976) с. 175.

[13] Г.С. Алтыбаев, И.Л. Броневой, С.Е. Кумеков. ФТП, 38, 4 Y/cg 2/ s T. (4) (2004).

Это соотношение и качественные изменения модуля- [14] Д. Брэдли. В сб.: Сверхкороткие световые импульсы, под ции, описанные ранее, дают основания предполагать, ред. С. Шапиро (М., Мир, 1981) с. 35.

Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 688 Н.Н. Агеева, И.Л. Броневой, А.Н. Кривоносов, С.Е. Кумеков, Т.А. Налет, С.В. Стеганцов [15] K. Lau. J. Lightwave Technol., 7 (2), 400 (1989), [16] Н.Н. Агеева, И.Л. Броневой, А.Н. Кривоносов, С.Е. Кумеков, С.В. Стеганцов. ФТП, 37, 546 (2003).

Редактор Л.В. Беляков Modulation“of characteristics ” of intense picosecond stimulated emission from GaAs N.N. Ageeva, I.L. Bronevoi, A.N. Krivonosov, S.E. Kumekov, T.A. Nalet†, S.V. Stegantsov Institute of Radioengineering and Electronics, Russian Academy of Sciences, 125009 Moscow, Russia Kazakh National Technical University, 484013 Almaty, Kazakhstan † Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, 194021 St. Petersburg, Russia

Abstract

Intense picosecond stimulated emission from the butt-end of GaAs thin layer has been studied. The emission appeared during pumping GaAs by powerful picosecond light pulses. On the plots of emission energy as functions of (a) photon energy, (b) picosecond delay between two pumping pulses, (c) the distance between active area and butt-end, a modulation of the function curves was discovered. By modulation we mean an appearance of local protrusions or maximums on the curves.

Parameters of modulation of the afore-named emission characteristics appear to be interrelated, allowing to assume the following.

Modulation of the characteristics is a result of a single, general mechanism of automodulation of emission spectrum not fully determined so far. The mechanism is conditioned by an ultrafast nonlinear interaction of strongly photoexcited semiconductor with the pumping light and with the stimulated emission. According to indirect indications, the mechanism leads also to amplitude modulation of emission in the picosecond range.

Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып.

Pages:     | 1 | 2 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.