WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

ответствующие двум электронам, локализованным на Semicond. (Berlin, Germany, July 21–26, 1996) ed. by примеси, и пустому центру соответственно, отвечают M. Scheffer, R. Zimmermann [World Sci., 4, 2941 (1996)].

центрально-симметричному положению примесного ато[15] Б.А. Акимов, А.В. Никорич, Д.Р. Хохлов, С.Н. Чесноков.

ма, в то время как для метастабильного состояния A2+, ФТП, 23, 668 (1989).

соответствующего одному локализованному электрону, [16] B.A. Akimov, D.R. Khokhlov. Semicong. Sci. Technol., 8, Sатом примеси оказывается смещенным из центра инвер(1993).

сии. Следовательно, ионизация каждого из электронов из Редактор Л.В. Шаронова основного двухэлектронного примесного состояния приводит к смещению атома примеси сначала в межузельное Structure of the DX-like centers in the положение, а затем обратно в центр замещения. В результате формируются барьеры в конфигурационном narrow-gap IV–VI semiconductors doped пространстве между всеми состояниями системы с разwith the group III elements личным количеством локализованных электронов.

A.I. Belogorokhov, I.I. Ivanchik, Z. Popovi†, Для классических DX-центров в полупроводниках N. Romevi†, D.R. Khokhlov AIIIBV и AIIBVI, наоборот, основное двухэлектронное состояние примеси соответствует нецентральному поло- M.V. Lomonosov Moscow State University, жению атома, а в одноэлектронном и полностью ионизо- 119899 Moscow, Russia ванном состоянии атом примеси находится в центрально- Institute of Rare Metals, симметричном положении. Метастабильное одноэлек- Moscow, Russia тронное состояние является мелким и не отделено ба- †Institute of Physics, University of Belgrade, рьером от полностью ионизованного состояния примеси. Belgrade, Yugoslavia Указанное различие является принципиально важным.

Для DX-подобных центров в AIVBVI оно позволяет нерав-

Abstract

We nave investigated the structure of infrared reflection spectra in the sub-bandgap region for lead telluride doped with новесным носителям заряда накапливаться в примесном indium and gallium, and Raman spectra of PbTe(In). An additional метастабильном состоянии при низких температурах, structure appears in the infrared and Raman spectra of PbTe(In) приводят к появлению целого ряда сильных неравноat the frequency 0 120 cm-1. Its amplitude drastically grows весных эффектов: гигантского отрицательного магнитоwhen the temperature is lowered below Tc 25 K — the critical сопротивления [15], стимуляции квантовой эффективноtemperature for the appearance of the persistent photoconductivity сти [16] и других [2].

effect in PbTe(In). An analogous structure is observed in PbTe(Ga) reflection spectra at 0 155 cm-1.

Работа выполнена при частичной поддержке грантов РФФИ № 95-02-04658-a и № 96-02-16275-a и гранта Fax: +7–(095)–932–8876 (Dmitriy Khokhlov) РФФИ-ИНТАС № 95-1136.

E-mail: khokhlov@mig.phys.msu.su (Dmitriy Khokhlov) Список литературы [1] P.M. Mooney. J. Appl. Phys., 67, R1 (1990).

[2] B.A. Akimov, A.V. Dmitriev, D.R. Khokhlov, L.I. Ryabova.

Phys. St. Sol. (a), 137, 9 (1993).

[3] Б.А. Акимов, Н.Б. Брандт, К.Р. Курбанов, Л.И. Рябова, А.Т. Хасанов, Д.Р. Хохлов. ФТП, 17, 1604 (1983).

[4] Б.А. Акимов, Н.Б. Брандт, А.М. Гаськов, В.П. Зломанов, Л.И. Рябова, Д.Р. Хохлов. ФТП, 17, 87 (1983).

[5] A.S. Pine, G. Dresselhaus. Phys. Rev. B, 4, 356 (1971).

[6] J.A. Cape, L.G. Hale, W.E. Tennant. Surf. Sci., 62, 639 (1977).

[7] Б.М. Вул, И.Д. Воронова, Г.А. Калюжная, А.Т. Мамедов, Т.Ш. Рагимова. Письма ЖЭТФ, 29, 21 (1979).

Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, №

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.