WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

[1] F.A. Kroger, J. Vink. Phys. St. Sol., 3, 310 (1956).

Энергии абсолютных максимумов фоточувствительно[2] G. Mandel. Phys. Rev. A, 134, 1073 (1964).

сти очень близки к ширине запрещенной зоны CdTe [3] T.I. Milenov, M.M. Gospodinov. Nucl. Instrum. Meth. Phys.

при этой температуре. В спектрах обоих образцов четко Res., A 322, 368 (1992).

проявляется область примесной фотопроводимости при [4] P. Hoshl, P. Polivka, M. Vanecek, M. Skrivankova. Rev. Phys.

h < 1.3 эВ. Энергетическое положение ответственного Appl., 12, 229 (1977).

за нее центра можно определить по началу резкого роста [5] R. Triboulet. Progr. Cryst. Gr. Char. Mater., 85, 128 (1994).

[6] T. Shoji, H. Onabe, Y. Hiratate. Nucl. Instr. Meth. Phys. Res., фоточувствительности. Он размещен на 0.8 эВ ниже дна A 322, 324 (1992).

зоны проводимости.

[7] Н.А. Украинец. Автореф. канд. дис. (Львов, НУ „ЛьвовДля получения дополнительной информации о лоская политехника“, 2000).

кализации центров чувствительности на кристаллах с [8] M. Fiederle, T. Feltgen, M. Rogalla, J. Mejnhardt, J. Ludwig, NCl = 1018 и 1019 см-3 исследовалось оптическое гаK. Runge, K.W. Benz. Nucl. Instr. Meth. Phys. Res., A 434, шение фототока при постоянной собственной подсветке.

152 (1999).

Спектральное распределение оптического гашения при [9] А.Л. Грохольский. Измерители добротности — кумет80 K изображено на рис. 4. По длинноволновому краю ры (Новосибирск, Наука, 1966).

полосы гашения можно определить энергетическое по- [10] Ж.Р. Паносян. Тр. ФИАН, 68, 147 (М., 1973).

Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 678 В.Д. Попович, Г.М. Григорович, Р.М. Пелещак, П.Н. Ткачук [11] Н.В. Агринская, Н.Н. Зиновьев, О.А. Матвеев, И.Д. Ярошецкий. ФТП, 14, 172 (1980).

[12] Hage-Ali, P. Siffert. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res., A322, 313 (1992).

[13] Д.В. Корбутяк, С.В. Мельничук, Э.В. Корбут, М.М. Борисюк. Телурид кадмiю: домiшково-дефектнi стани та детекторнi властивостi (Киев, Изд-во „Iван Федоров“, 2000).

[14] B.K. Meyer, W. Stadler. J. Cryst. Growth, 161, 119 (1996).

[15] Н.В. Агринская, Е.Н. Аркадьева, О.А. Матвеев. ФТП, 5, 869 (1971).

[16] Н.В. Агринская, О.А. Матвеев, А.В. Никитин, В.А. Сладкова. ФТП, 21, 676 (1987).

[17] J. Saraie, H. Shinohara, H. Edanatzu, T. Tanaka. J. Luminesc., 21, 337 (1980).

[18] К.В. Шалимова. Физика полупроводников (М., Энергия, 1976).

[19] А.В. Любченко, Е.А. Сальков, Ф.Ф. Сизов. Физические основы полупроводниковой инфракрасной электроники (Киев, Наук. думка, 1984).

[20] Н.В. Агринская, Е.Н. Аркадьева, О.А. Матвеев, Ю.В. Рудь.

ФТП, 2, 932 (1968).

Редактор Л.В. Шаронова Physical properties of semiinsulating CdTe : Cl singlecrystals grown from vapour phase V.D. Popovych, G.M. Grygorovych, R.M. Peleschak, P.M. Tkachuk Ivan Franko State Pedagogical University, 82100 Drogobych, Ukraine Yuriy Fedkovych National University, 58102 Chernivtsi, Ukraine

Abstract

A vapour phase method of growth of high resistivity CdTe : Cl singlecrystals is described. Photoluminescence spectra are investigated as functions of the doping impurity. Electric and photoelectric studies have shown that the energy position of the level located in the band-gap is pesponsible for the electroconductivity of the crystals.

Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.