WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

D 1500. Для тонких поликристаллических пленок SmS — D 200. Отсюда величины V равны 0.Редактор Т.А. Полянская и 0.17 соответственно. Справедливость такой оценки подтверждается тем фактом, что концентрация ионовThe influence of electromotive force дефектов самария, образующих уровни Ei в монокриgeneration on the electrical properties сталлах SmS, Ni (1-3) · 1020 см-3, близка к полученsulfide samarium thin films ной исходя из величины V. Если предположить, что величина Ni пропорциональна V, то V.V. Kaminski, M.M. Kazanin, S.M. Soloviev, N.V. Sharenkova, N.M. Volodin Ni = VN 3.6 · 1020 см-3, f Ioffe Physico-Technical Institute, где N = 1.8 · 1022 см-3 — концентрация ионов самария, f Russian Academy of Sciences, V = 0.02. Таким образом, концентрация ионов-дефектов 194021 St. Petersburg, Russia самария (с уровнями Ei) в монокристаллах SmS примерно на порядок меньше, чем в тонких поликристалличе

Abstract

The electrical properties of the polycrystalline films ских пленках.

of SmS with different lattice constant in the temperature interval Полученные результаты позволяют сделать следуюT = 300-580 K were investigated. Some behavior peculiaraties щие выводы.

of electroconductivity above 450 K were observed. An appearance 1. Особенности электрических свойств тонких полиof electromotive force, value up to 1.3 V, under spherical indentor кристаллических пленок SmS (температурные зависиpressing at 440-470 K was revealed. It is shown that the resistance мости сопротивления, генерация эдс, ВАХ, переход в of films increases more then 3 orders under applied electrical высокоомное состояние) при высоких температурах свяfield higher than 100 V/cm. The obtained results are discussed заны с поведением ионов-дефектов самария, образующих on the base process emf generation connected with Sm ions примесные донорные уровни с энергией Ei 0.07 эВ.

transformation.

Они объясняются с привлечением модели эффекта генерации эдс в SmS при равномерном нагреве образца и переменной валентности ионов-дефектов.

2. Пленки SmS с наиболее ярко выраженными полупроводниковыми свойствами, типа 1, могут обладать стабильными электрическими характеристиками лишь при T < 460 K и при приложении к ним электрических полей напряженностью до 100 В/см. Эти величины являются граничными при применении тонкопленочных структур в термоэлектрических преобразователях, а также тензорезисторах.

3 Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.