WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     || 2 |
Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 4 Применение наноалмазов Наноалмазы для полирования © А.С. Артёмов Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, 119991 Москва, Россия E-mail: artpol@mail1.lebedev.ru Приводятся результаты полирования поверхности 23 твердотельных материалов, отобранных по химическому составу, способам получения, структуре, электрическим свойствам, твердости, реакционной способности и применению, суспензиями нанодисперсных алмазов (НДА) детонационного синтеза различных производителей. Сравнение шероховатости рельефа полученных поверхностей методом атомносиловой микроскопии с поверхностями этих же материалов, полированных алмазными синтетическими микропорошками (АСМ 1/0, 0.25/0, 0.1/0) и химико-механическим полированием (ХМП) аморфным коллоидным кремнеземом, позволило выявить ряд особенностей воздействия стабильных суспензий НДА, а именно: эффект полирования, эффект царапания, эффект пластического течения поверхностных слоев, эффект ХМП и эффект влияния агрегатного состояния твердых частиц. Показано, что полирование НДА сопровождается наноцарапанием, т. е. является механическим и может быть нивелировано введением в суспензию соответствующих травителей. Но только использование нанометрических аморфных частиц не вносит деформаций в поверхностный слой материалов.

Применение ультра- и нанодисперсных алмазов (УДА метрическая и структурная однородность поверхности и НДА) в современной электронной технике актуально на площадях в десятки и сотни cm2 важна для полукак для развития теории и технологии полирований чения высококачественных диэлектрических и эпитакситвердотельных материалов, так и для развития различ- альных слоев, литографии, напыления, для стабилизации ных областей электроники. электрофизических свойств поверхности и т. п. Поэтому Первый аспект заключается в том, что попытки данная работа логически укладывается в последовательприменения алмазов детонационного синтеза для по- ность технологических процессов современной электролирования поверхности материалов [1–4], несмотря на ники: нанополирование-наноэпитаксия-наноструктуры.

кажущуюся очевидность, не привели к использова- Цель работы состоит в получении экспериментальных нию в промышленном масштабе по двум причинам:

результатов для ответов на четыре основных вопроса:

во-первых, при эмпирическом подходе не учитывались какие материалы могут явиться перспективными для физико-механические процессы, происходящие в эле- полирования УДА; каковы физико-химические особенментарных актах контакта нанокристаллических частиц ности и возможности применения УДА в процессах с поверхностью твердых тел; и во-вторых, эксперимен- полирования поверхности твердых тел; в каких областях тальные подходы опирались на принцип механическо- современной промышленности может быть востребого полирования (МП), когда более твердая частица вана высокопрецизионная поверхность, полученная с минимального размера воздействует на менее твердый помощью УДА; и каковы экономические преимущества материал без учета коллоидно-химических представлеиспользования УДА по сравнению с существующими ний, являющихся одной из основ химико-механического технологиями полирования.

полирования (ХМП). Поэтому остается неясным, какое из двух свойств твердых частиц — минимальный размер (коллоидный диапазон дисперсности) или агре- 1. Методика гатное состояние (аморфное или кристаллическое) — 1.1. У Д А. Применялись УДА и НДА различных проявляется ответственным за образование поверхности, совершенной в геометрическом (минимальная шеро- изводителей, изготовленные по оригинальным технологиям в виде порошков, суспензий и паст. В экспериховатость) и структурном (отсутствие микроцарапин) ментах использовались как фирменные продукты, так и отношении.

Второй аспект характерен тем, что переход от суб- суспензии, разработанные на их основе (табл. 1).

микронных к нанометрическим размерам топологиче- 1.2. М а т е р и а л ы. Они выбирались с учетом ских элементов в микро- и оптоэлектронике является ряда существенных критериев и областей применения необходимым этапом разработки новых приборов с (табл. 2 и 3), причем кроме полирования композициями применением поверхностных слоев толщиной 5-15 nm УДА материалы подвергались сравнительному механии минимальным геометрическим рельефом от долей до ческому полированию (МП) алмазными синтетическими нескольких единиц нанометра. Кроме этого, высокая гео- микропорошками (АСМ) 1/0, 0.25/0, 0.1/0 и ХМП Наноалмазы для полирования Таблица 1. Продукты УДА для полирования материалов № Фирма Название Содержание Размер агрегатов pH Устойчивость Характеристика п/п изготовитель продукта твердой фазы, % wt. или частиц, nm к оседанию, месяц суспензии 1 „Alit“ г. Киев pdd 1.8 500-1000 6 12 Суспензия из порошка 2 То же » » 1.0 » » » » » » То же 3 То же swp 1-3/12 1.8 1000-3000 12 12 Суспензия из компактированных агрегатов 4 То же » » 1.0 » » » » » » То же 5 „Синта “ Sn-1.4 1.4 4-6 7 3 Нейтральная водная г. Минск суспензия из 8% wt.

водной суспензии 6 То же Sbas-1.4 1.4 » » 12 » » Основная водная суспензия из 8% wt.

водной суспензии 7 То же Sac-1 1 » » 2 » » Кислая водная суспензия из порошка 8 СКТБ „Технолог“ УДА-СТВ 2-4 300-500 7 1 Водная суспензия, С.-Петербург (UDD-CTB) обработанная в УЗ 9 То же УДА-ТАН 5-10 до 100 7 < 1 Расслаивающаяся (UDD-TAH) водная суспензия 10 То же УДА-СТП 7 < 1 Расслаивающаяся (UDD-CTP) водно-спиртовая суспензия 11 „САКИД“ 0.25/0 до 250 7 - Водная суспензия С.-Петербург (непрозрачная взвесь) из статических алмазов 12 То же 0.1/0 до 100 7 - То же Таблица 2. Материалы для полирования УДА по критериям и областям применения Химический элементарные: Si, Ge, W, Mo, Nb, Cu состав оксиды: -Al2O3, SiO2, ZrO2 : Y2O3(ZOY) кислородосодержащие: Gd3Ga5O12 (GGG), Y3Al5O12 (YAG), LiNbO3 (LNO), MgO : Al2O3 (MgAl2O4), SrTiOфториды: CaFкарбиды: SiC нитриды: AlN, Si3Nтвердые растворы: группы A2B6, A3BСпособ метод Чохральского: Si, Ge, Nb, LiNbO3, GGG, A3Bполучения метод Вернейля: MgAl2Oмодифицированный метод Киропулоса: -Al2Oнаправленная кристаллизация: YAG, CaFплавление в холодном контейнере: ZOY электронно-лучевая бестигельная зонная плавка: W, Mo сублимация из газовой фазы: CdS, ZnSe CVD : ZnSe (поликристалл) полусухое прессование с последующим спеканием: AlN Структура кристаллы кубической, гексагональной тригональной сингоний: W (100)(111), Mo (100)(101), Nb (100), Si (100), Ge (111); CdS (0001), ZnSe(100), GaAs (100), GaSb (100), GGG (111), YAG (111), LNO y + 127, SrTiO3 (100) и бикристаллы, -Al2O3 (0001), ZOY (100), SiC : 6H, CaF2 (111) поликристаллы: Si, Cu, ZnSe CVD аморфные: SiO2 (КУ-1), стекло К-композиты: керамика AlN Электрические проводники: W, Mo, Nb, Cu свойства полупроводники: Si, Ge, типа A2B6, A3B5, SiC диэлектрики: SiO2, Si3N4, CaF2, -Al2O3 и др.

Применение микроэлектроника оптоэлектроника акустоэлектроника ВТСП электроника оптика Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 672 А.С. Артёмов Таблица 3. Твердость материалов, подвергнутых полирова- так и для экспериментальных исследований; точность нию суспензиями наноалмазов кристаллографической ориентации была < 1.

1.3. Об о р у д о в а н и е. Использовались станки с различной кинематикой для индивидуальной и груп№ Твердость Микротвердость Материал п/п по Моосу H, kgf/mm2 повой обработки: В1М3, СПП-2М, ШП-350, 4ПД-200, СД-150, Malvern Multipol и др.

1 CaF2 4.0 1.4. П о л и р о в а л ь н и к и. Применялись полироваль2 LiNbO3 5.5 450-ники двух типов: тканные — на основе полиэфира (ПЭ), 3 Cd3Ga5O12 6.полипропилена (ПП), полиамида (ПА), смешанные 4 SiO2 7.0 (ПЭ + ПА) и ряд специфических; нетканные — типа 5 Si 7.0 6 ZrO2 : Y 8.0 1455, (111) politex, поливела, искусственной кожи и др. Они име1532, (110) ли различную механическую прочность, химическую 1694, (100) устойчивость, толщину, обработку поверхности и напол7 Y3Al5O12 8.5 1550, ХП (100) нители.

1770, МП, (100) 1.5. Методы исследования поверхности.

1720, ХП (111) Шероховатость рельефа изучалась методом оптической 1930, МП, (111) микроскопии (МИИ-4 и др.), а технологический кон8 -Al2O3 9.0 2200, C троль осуществлялся визуально и микроскопом МБС;

1940, C атомно-силовая микроскопия (AFM, Nanoscope-IIIa) 9 SiC : 6H 9.25-9.5 2350, (0001) применялась в режиме height и deflection для анализа сверхгладких поверхностей, критерием являлась величина yav — среднеквадратическое отклонение высот неровкомпозициями аморфного коллоидного кремнезема, яв- ностей на определенной длине профилографического ляющимися, как правило, двумя стадиями изученного сечения. Обычно изучалось от 3 до 12 участков каждого и широко апробированного в электронной технике и образца с особенными и типичными компонентами реоптике предфинишного и(или) финишного полирования. льефа в виде двумерных (или трехмерных) изображений Время полирования УДА (НДА) на каждой операции квадратных участков площадью s со сторонами от 0.подготовки образцов составляло от 3 до 12 h. Образцы до 13 µm. Обработка изображений производилась с поимели различную форму и геометрические размеры мощью программы ФемтоСкан (Центр перспективных как для дальнейшего непосредственного применения, технологий, Москва).

Рис. 1. Процесс полирования поверхности материалов суспензиями нанометрических алмазов.

Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. Наноалмазы для полирования 2. Результаты и их обсуждение характерны, чем для вторых; к тому же значения yav зависят от выбора направления сечения. Поэтому веМеханическая энергия в виде контактных импульсов личина yav не отражает реального состояния рельеабразивных частиц при трении вызывает на поверхности фа и особенностей формирования его шероховатости, твердых тел (ТТ) изменение морфологии рельефа, кри- для чего целесообразно также учитывать ширину (l) сталлической и электронной структуры, а также ее больших и малых царапин, шероховатость их стенок, а химического состава. При переходе от микро- к нанораз- также шероховатость коротких и сравнительно длинных мерным абразивным частицам возрастает локализация горизонтальных участков длиной от 0.3 до 14 µm.

контактов, в которых материал подвергается много- 2.2. Процесс царапания. Анализ изображекратной упругой и пластической деформации. Из трех ний AFM (рис. 2) с очевидностью показывает, что основных свойств поверхности материалов (геометри- полирование с помощью УДА (НДА) всех матерических, структурных и химических) в данной работе алов независимо от их твердости и других свойств внимание было сосредоточено только на шероховато- протекает с образованием наноцарапин, ширина котости рельефа, параметре y, как на одном из многих рых наряду с yav также уменьшается с уменьшением геометрических стандартизированных параметров, и на размера алмазных частиц: для W, 1/0, l = 1.7-3 µm, некоторых особенностях деформации поверхности при УДА-СТВ, l = 2.2 µm, Sn-1.4, l = 0.15 µm; для CaF2:

микро-абразивном воздействии. Обнаружены следующие 1/0, l = 1.8 µm, 0.25/0, l = 0.5 µm, Sn-1.4, l = 0.1 µm.

особенности взаимодействия УДА с поверхностью ТТ.

Округленность краев царапин и узких промежутков меж2.1. П р о ц е с с п о л и р о в а н и я. При соответству- ду ними (Ge (Sn-1.4), КУ-1, LNO, GGG и ZOY (pdd)) по ющем подборе режимов обработки и полировальников сравнению с их формой после полирования с помощью на большинстве станков на всех материалах наблюда- алмаза 1/0 свидетельствует о том, что их образование лось выравнивание рельефа с образованием зеркаль- происходит преимущественно с оттеснением материала ной ровной поверхности без макродефектов (сколов и вдоль поверхности (тангенциально). Тот факт, что l при трещин). Полирование протекает одновременно с про- полировании суспензиями Sn-1.4 и УДА-CTB значительцессом удаления (съема) материалов. Скорость съема но больше размера частиц, свидетельствует о формирозависит от типа станка и полировальника, от режимов, вании рельефа под воздействием как первичных частиц предварительной обработки и твердости материала; она (yav, hmax), так и их агрегатов. Причем соотношение изменяется в широких пределах и является одной из участия этих двух факторов несколько отличается для целей разработки технологии полирования.

разных материалов и составов композиций. Для обработПри полировании АСМ 1/0 на поверхности матери- ки Ge, CdS, STO и других материалов суспензиями 0.1/алов образуются сплошные прямолинейные царапины, значения l коррелируют со средними размерами частиц занимающие всю площадь образцов и пересекающие ее и их агрегатов, в то время как величины hmax не в различных направлениях. Особенностью полирования превышают 20 nm, а значения yav составляют единисуспензиями УДА является то, что характер царапин цы nm. В случае применения pdd, где размеры агрегатов резко меняется (рис. 1) (например, для W, Ge, -Al2O3, первичных наноразмерных частиц, полученные спеканиZOY и др.) и наблюдаются царапины различных видов:

ем, равны 1-3 µm, наблюдаются подобные особенности:

равной ширины, расширяющиеся в середине или сужаю- l изменяется от десятых долей до единиц µm при щиеся к одному из концов, штрихпунктирные или в виде yav в десятки и единицы nm. Следовательно, если точек (сполировывающиеся), короткие (много меньше полирование УДА наносит на поверхность царапины диаметра образца) и длинные (прямолинейные и дуго- микро- и наноразмеров, то их удаление и одновременное образные); обычно царапины не занимают всю площадь образование наношероховатости происходит преимущеи есть обширные области без оптически разрешаемых ственно за счет воздействия первичных частиц и распада мелких царапин. агрегатов на отдельные частицы. А в динамическом На всех поверхностях имеются участки с глубокими процессе разрушения такого масштаба наноразмерной царапинами (Ge — 0.68 nm (суспензия Sn-1.4), GGG — шероховатости должны соответствовать наноразмерные до 6.0 nm (суспензия pdd), AlN-3.2 — 0.8 nm (суспензия продукты износа [5].

УДА-СТВ) и др.) и большими перепадами выступ-впа- 2.3. П р о ц е с с п л а с т и ч е с к о г о т е ч е н и я.

Pages:     || 2 |



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.