WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

T = 77 K форма релаксации фототока в структурах на [6] П.Г. Кашерининов, А.В. Кичаев, И.Д. Ярошецкий. ЖТФ, чистых кристаллах (Nt < 1014 см-3) имеет вид, анало65, № 9, 193 (1995).

гичный рис. 2, b с tm = 10 мс. Через оптический затвор [7] А.А. Гуткин, В.Е. Седов. ФТП, 9, 1761 (1975).

производилось дозированное освещение структуры этим [8] П.Г. Кашерининов, А.В. Кичаев, И.Д. Ярошецкий. Письма ЖТФ, 19, № 17, 48 (1993).

световым потоком со стороны различных электродов [9] П.Г. Кашерининов, Д.Г. Матюхин, И.Д. Ярошецкий. Письма с временем экспозиции (te = 10-2-102 с). После выЖТФ, 21, №7, 44 (1995).

ключения освещения образец выдерживался в темноте [10] П.Г. Кашерининов, А.В. Кичаев, А.А. Томасов. ФТП, 29, в течение t = 1 мин., потом структура нагревалась со 2092 (1995).

скоростью S = 0.3K/с от T = 77 до 300 K, при этом [11] G. Cavalleri, E. Gatti, G. Fabri, V. Svelto. Nucl. Instr. a. Meth., регистрировалась температурная зависимость протекаю92, 137 (1971).

щего тока (ТСТ), из которой энергетическое положение [12] G. Fabri, V. Svelto. Nucl. Instr. a. Meth., 35, 33 (1965).

примесных уровней в кристалле (E) оценивалось из Редактор В.В. Чалдышев соотношения E = 23kTm [1], где Tm — температура, соответствующая пику проводимости, k — постоянная Больцмана.

Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 672 П.Г. Кашерининов, Д.Г. Матюхин Identification of the parameters of impurity levels in high-resistivity semiconductor crystals by means of thermally stimulated currents with dosed illumination of the samples P.G. Kasherininov, D.G. Matyukhin A.F. Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, 194021 St.Petersburg, Russia

Abstract

Suggested is the method of identification of the parameters of the impurity levels in high-resistivity crystals by means of thermally stimulated currents (TSC) with illumination of the sample by dosed radiant energy. In this way, it permits to determine not only the depth E of the impurity level in the band gap of the crystal but also to calculate the depth of the level from the edge of each of the band gaps an achievement that is not possible in the widely–used ordinary TSC–method.

Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, №

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.