WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

кий, В.Р. Бурячек, С.Н. Чупыра. Неорган. матер., 39 (11), Следует отметить, что в отличие от кристаллов 1306 (2003).

CdTe Sn, которые при комнатных температурах прак[3] О.Э. Панчук, Л.П. Щербак, П.И. Фейчук. Изв. РАН.

тически всегда обладают проводимостью n-типа, криНеорган. матер., 14 (11), 506 (1978).

сталлы CdTe Pb характеризуются дырочной проводимо[4] Л.П. Щербак, Е.С. Никонюк, О.Э. Панчук, А.В. Савицкий, стью. Как отмечалось ранее, это связано с тем, что конП.И. Фейчук, В.В. Матлак. Изв. АН СССР. Неорган.

центрация VCd в кристаллах CdTe Pb выше вследствие матер., 13 (3), 415 (1977).

Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. Электрические характеристики монокристаллов CdTe Pb при высоких температурах [5] E. Rzepka, Y. Marfaing, M. Cuniot, R. Triboulet. Mater. Sci.

Eng., B16, 262 (1993).

[6] W. Jantsch, G.J. Hendorfer. Cryst. Growth, 101, 404 (1990).

[7] R.M. Bilbe, J.E. Nicholls, J.J. Davies. Phys. Status Solidi, 121, 339 (1984).

[8] G. Brunthaller, W. Jantsch, U. Kaufman, J. Schneider. Phys.

Rev. B, 31, 1239 (1985).

[9] K. Shcherbin, S. Odoulov, F. Ramaz, B. Farid, B. Briat, H.J. von Bardeleben, I. Rarenko, Z. Zacharuk, O. Panchuk, P. Fochuk. Optics and Optoelectronics, 2, 924 (1998).

[10] K. Shcherbin, V. Volkov, V. Rudenko, S. Odoulov, A. Borshch, Z. Zakharuk, I. Rarenko. Phys. Status Solidi A, 183 (2), (2001).

[11] F.T. Smith. Metal. Trans., 1 (3), 617 (1970).

[12] S.S. Chern, H.R. Vydyanath, F.A. Kroger. Sol. St. Chem., 14 (1), 33 (1975).

[13] F. Kroger. Химия несовершенных кристаллов. (М., Мир, 1969) с. 654.

[14] А.В. Савицкий, О.А. Парфенюк, М.И. Илащук, П.А. Павлин. Изв. АН СССР. Неорган. матер., 25 (11), 1848 (1989).

[15] P. Fochuk, O. Panchuk. Phys. Chem. Sol. St., 5 (10), (2004).

[16] О.А. Парфенюк, А.В. Савицкий, П.А. Павлин, Л.А. Альбота. Изв. вузов. СССР. Физика, 4, 66 (1986).

Редактор Л.В. Шаронова Electrical properies of CdTe Pb single crystals at high temperatures P. Fochuk, O. Parfenyuk, O. Panchuk Chernovtsy National University, 58012 Chernovtsy, Ukraine

Abstract

For the first time electrical properties of CdTe Pb single crystals at high temperatures (400-900C) under a well defined Cd vapour pressure (0.001-3atm) have been investigated.

Temperature and pressure dependencies of specific conductivity and Hall coefficient were measured. Lower electron concentration comparatively that in undoped CdTe evidences about increase of Pb impurity point defect concentratuin. The results are explained using Kroger’s quasichemical defect formation theory assuming a possibility for Pb to exist as separate species (Pb+ ) and as Cd 2included in associates (Pb+ VCd )-.

Cd Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.