WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 | 2 ||

микронных включений размерами Rinc + d L и Подставляя полученные величины эффективных зас плотностью, достаточной для получения локального рядов в (4), получим при концентрации носителей электрического поля включения, близкого к EL. Переметока (2-10) · 1018 см-3 и длине свободного пробега щение и направленная миграция индуцированных дефекl = (1-10) · 10-7 см вполне разумные по порядку тов в решетке происходят в результате возникновения величины значения ac 10-12 см2.

в кристалле активированных состояний атомов и их Участием в процессах лазерно-стимулированной миувлечения свободными носителями тока в поле лазерной грации дефектов в двух зарядовых состояниях можно волны EL и при совместном действии EL и внешнего объяснить также зависимости (W, EL), представленные электрического поля Eex.

на рис. 2 (внешнее поле Eex отсутствует). Значения Wc и Ec для PbSnSe, PbSnTe и PbTe различаются, но незначительно, что отчетливо видно на рис. 2 и может Список литературы быть связано с отличием в энергии активации миграции дефектов в этих соединениях. Существенное увеличение [1] С.В. Пляцко, Ю.С. Громовой, Ф.Ф. Сизов. Квант. электрон.

в областях E > Ec, W > Wc предполагает также (Киев), 29, 93 (1985).

и различие в концентрации активированных центров в [2] С.В. Пляцко, В.П. Кладько. ФТП, 31 (10), 1206 (1997).

двух зарядовых состояниях, которое может достигать [3] С.В. Пляцко. ФТП, 34 (9), 1046 (2000).

1-2 порядков.

[4] Ю.С. Громовой, Л.А. Коровина, С.В. Пляцко, Ф.Ф. Сизов, И последнее, на что хотелось бы обратить внимание, С.Д. Дарчук, С.А. Белоконь. ФТП, 24 (2), 250 (1990).

[5] N.N. Grigor’ev, T.A. Kudykina, S.V. Plyatsko, F.F. Sizov.

это возможность обратной инверсии типа проводимости Semicond. Sci. Technol., 3, 951 (1988).

при изменении направления внешнего поля Eex. Если [6] N.N. Grigor’ev, T.A. Kudykina, S.V. Plyatsko, F.F. Sizov. Infr.

стоять на позиции, что к дефектам донорного типа Phys., 28, 307 (1988).

в соединениях AIVBVI относятся вакансии халькогена [7] Yu.S. Gromovoj, S.V. Plyatsko, F.F. Sizov. Mater. Lett., 8, и межузельный свинец, то получается, что ответствен(1989).

ным за инверсию типа проводимости является свинец [8] Yu.S. Gromovoj, S.V. Plyatsko, F.F. Sizov. J. Phys.: Condens.

в междоузлии, причем в активированном состоянии [3], Matter, 2, 10 391 (1990).

а вакансии свинца еще не все заполнены. Невозможность [9] S.D. Darchuk, G.N. Panin, S.V. Plyatsko, F.F. Sizov, инверсии типа проводимости в кристаллах после полуE.B. Yakimov. J. Phys. Chem. Sol. 51, 1333 (1990).

чения распределения, представленного на рис. 3, напро- [10] С.Д. Дарчук, Т. Дитл, Л.А. Коровина, С. Колесник, М. Сатив, свидетельствует в пользу того, что все вакансии вицкий, Ф.Ф. Сизов. ФТП, 32, 786 (1998).

Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. Миграция точечных дефектов в соединениях AIVBVI в поле лазерной волны [11] R. Breshi, A. Camanzi, V. Fano. J. Cryst. Growth, 58, (1982).

[12] A. Wocaun, J.G. Bergman, J.P. Heritage, A.M. Hass, P.F. Liao, D.H. Olson. Phys. Rev. B, 24 (2), 849 (1981).

[13] А.А. Бендицкий, Л.В. Видута, В.И. Конов, С.М. Пименов, А.М. Прохоров, П.М. Томчук, Р.Д. Федорович, Н.И. Чаплиев, В.А. Яковлев. Препринт 291, ИОФ АН СССР (М., 1987).

[14] В.Б. Фикс. Ионная проводимость в металлах и полупроводниках (М., Наука, 1969).

[15] Б.И. Болтакс. Диффузия в полупроводниках (М., Физматгиз, 1961).

[16] Дж.П. Старк. Диффузия в твердом теле (М., Энергия, 1980).

Редактор Т.А. Полянская Migration of point defects in AIVBVI compounds in the laser wave field S.V. Plyatsko Institute of Physics of Semiconductors, National Academy of Sciences of the Ukraine, 03028 Kiev, the Ukraine.

Abstract

Stimulated by laser irradiation (

3 Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып.

Pages:     | 1 | 2 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.