WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

На рис. 4 приведены типичные для структур Таким образом, выполненные исследования показыIn / CdV2S4 и H2O/ CdV2S4 спектральные зависимости вают, что тройное соединение CdV2S4 может быть относительной квантовой эффективности фотопреобраотнесено к полупроводникам, которые перспективны зования ( ). Из этих зависимостей видно, что в обов разработках фотодетекторов естественного излучения их типах структур фоточувствительность наблюдается от инфракрасного до ультрафиолетового спектрального в широком спектральном диапазоне, причем спектральдиапазона.

ный контур ( ) для этих различных по природе Работа поддержана грантом ISTC-2008.

структур оказался весьма близким. Рост фоточувствительности во всех исследованных структурах начинается при энергиях фотонов 0.8 эВ, а максимальная Список литературы фоточувствительность достигается в диапазоне от 2.7 до 3.4 эВ, тогда как резкого коротковолново[1] Н.А. Горюнова. Сложные алмазоподобные полупроводго спада не обнаруживается. Поэтому для количеники (М., Сов. радио, 1968).

ственной характеризации широкополосности спектров [2] M. Eibshuts, H. Herman, S. Shtrikman. Sol. St. Commun., 5, фоточувствительности можно сделать оценку полной 529 (1967).

ширины спектров ( ) на их полувысоте 2эВ.

[3] T. Kanomatra, H. Ido, T. Kaneko. J. Phys. Soc. Jap., 34, Это позволяет высказать предположение о достаточно (1973).

Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 670 А.А. Вайполин, Ю.А. Николаев, И.К. Полушина, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, Е.И. Теруков, N. Fernelius [4] Р.Н. Бекимбетов, Н.Н. Константинова, Ю.В. Рудь, М.А. Таиров. Изв. АН СССР; Журн. неорган. матер., 24, (1988).

[5] В.Д. Прочухан, Ю.В. Рудь. ФТП, 12, 208 (1978).

[6] Н.А. Горюнова, Ф.П. Кесаманлы, Д.Н. Наследов, В.В. Негрескул, Ю.В. Рудь, С.В. Слободчиков. ДАН СССР, 160, 633 (1965).

[7] А.Н. Георгобиани, С.Н. Радауцан, И.М. Тигинягу. ФТП, 19, 193 (1985).

[8] Ф.Дж. Блат. Теория подвижности электронов в твердых телах (М., ИИЛ, 1963).

[9] H.Y. Fan, M.O. Becker. Proc. Conf. of Semiconducting Materials (Academic Press, N. Y., 1951) p. 132.

[10] Ю.А. Валсов, А.А. Лебедев, К. Овезов, В.Д. Прочухан, Ю.В. Рудь. Письма ЖТФ, 2 (22), 1042 (1976).

[11] А.Ю. Шилейка. В кн.: Многодолинные полупроводники, под ред. Ю.К. Пожела (Вильнюс, Мокслас, 1978) с. 143.

[12] С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1973).

[13] Ю.В. Рудь, М.А. Таиров. ФТП, 21, 615 (1987).

[14] Ж. Панков. Оптические процессы в полупроводниках (М., Мир, 1973).

[15] Ю.И. Уханов. Оптические свойства полупроводников (М., Наука, 1977).

Редактор Т.А. Полянская Photovoltaic effects on CdV2S4 single crystals and structures on its A.A. Vaipolin, Yu.A. Nikolaev, I.K. Polushina, V.Yu. Rud’, Yu.V. Rud’, E.I. Terukov, N. Fernelius† Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, 194021 St. Petersburg, Russia St. Petersburg State Polytechnical University, 195251 St. Petersburg, Russia † Air Force Wright Lab., Wright Patterson AFB, OH, USA

Abstract

The CdV2S4 single crystals were first grown and their lattice structure, electrical properties and optical absorbtion were studied. It has been shown, that substituting the III group element of Periodical table in AIIBIIICVI compounds to vanadium leads to 2 formation of an n-type crystal (n being 1018 cm-3) with the Hall mobility U 150 cm2/(V · s) at T = 300 K, which was limited by the lattice thermal scattering. The photosensitive structures on CdV2S4 single crystals were obtained and photoelectrical characteristics were investigated for the first time. The conclusion has been drawn that there are possibilities of practical applications for a wide-band photosensor of natural optical radiation.

Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.