WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

Следует отметить, что необходимым условием поВ [4] существенное изменение спектра локализованлучения любого твердого некристаллического материаных состояний в a-Si : H, обусловленное изменением ла является термодинамически неравновесный процесс соотношения между комплексами Si-H, Si-H2 и Si-H3, его изготовления. В соответствии с принципами теобыло получено благодаря обработке образцов ультрафирии самоорганизации (синергетики) следствием нераволетовым излучением.

новесности процесса формирования материала является Влияние слабых электрических и магнитных полей на появление в нем неоднородностей (или определенной квазимолекулярные дефекты и свойства стеклообразных морфологии). Таким образом, исходя из общих сообраселена, триселенида мышьяка и материалов системы жений следует предположить наличие макронеоднородселен–теллур было обнаружено в [25,26]. В [27] эти реностей во всех рассматриваемых некристаллических позультаты распространены на серу и трисульфид мышьяка.

лупроводниках. Вместе с тем, в то время как наличие Таким образом, 4-й уровень структурной модификации определенной морфологии в пленках тетраэдрических экспериментально наблюдается как в тетраэдрическом некристаллических полупроводников твердо установлематериале с жесткой ковалентной структурной сеткой но и многократно подтверждено (см. ссылки выше), в (a-Si : H), так и в стеклообразных материалах шестой случае стеклообразных материалов, как правило, наблюгруппы и халькогенидных стеклах AV- BVI (табл. 4).

дается ”бесструктурная” гладкая поверхность. Причина Из сказанного можно сделать заключение, что струкуказанного противоречия, вероятнее всего, заключается в неопределенности границы между ”макронеоднородно- турная модификация на уровне подсистемы дефектов, так же, как и структурная модификация на уровне ближнего стями” и ”микронеоднородностями”.

порядка, присуща всем рассматриваемым некристаллиПоскольку большинство экспериментальных данных ческим полупроводниковым материалам.

свидетельствует о наличии определенной морфологии в пленках тетраэдрических аморфных полупроводников и о возможности получения однородных ”бесструктурЗаключение ных” пленок стеклообразных полупроводников, можно сделать предположение (по крайней мере на сегодняшСуществуют по крайней мере 4 уровня структурной ний день), что 3-й уровень структурной модификации модификации свойств некристаллических полупроводниприменим для некристаллических материалов с жесткой ков, различающиеся изменениями структуры материала.

структурной сеткой, а линия, соответствующая порогу Управление свойствами некристаллических полупрожесткости (табл. 3), отделяет границу его применимоводников путем изменения структуры на уровне ближсти от границы применимости 2-го уровня структурной него порядка в расположении атомов принципиально модификации.

возможно для всех рассматриваемых материалов.

Также для всех рассматриваемых материалов примеИзменения структуры ним 4-й уровень структурной модификации — управление свойствами путем воздействия на подсистему на уровне подсистемы дефектов дефектов.

Четвертый уровень структурной модификации обусло- Управление свойствами путем изменения среднего влен изменениями в подсистеме дефектов под воздей- порядка в расположении атомов возможно для стеклоствием либо условий изготовления образцов, либо раз- образных полупроводников, обладающих большими зналичных внешних факторов и проявляется в изменении чениями CESM, а граница применимости данного уровспектра локализованных состояний в запрещенной зо- ня соответствует порогу жесткости структурной сетки, не, что в свою очередь ведет к изменению свойств рассчитанному с учетом ионности химических связей.

материала. По другую сторону от указанной границы (материалы с Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 670 А.И. Попов, В.А. Воронцов, И.А. Попов жесткой структурной сеткой) находится область приме- Levels and application possibilities нимости 3-го уровня структурной модификации — путем of the structural modification method изменения морфологии пленок полупроводника.

to non-crystalline semiconductors A.I. Popov, V.A. Vorontsov, I.A. Popov Список литературы Moscow Power Engeneering Institute (Thechnical University), [1] А.И. Попов. Тр. межд. конф. ”Аморфные полупровод111250 Moscow, Russia ники-80” (Кишинев, 1980) с. 150.

[2] С.Н. Стукач. Автореф. канд. дис. (М., 1996).

[3] A.I. Popov, N.I. Michalev, V.K. Shemetova. Phil. Mag., B47,

Abstract

The structural modification is the method of controlling 73 (1983).

non-crystalline semiconductor properties by changing the material [4] И.А. Попов. ФТП, 30, 466 (1996).

structure without violating its chemical composition. It is shown [5] О.В. Лукша, Ю.Ю. Фирцак, П.А. Феннич, В.П. Иваницкий.

that there are at least four levels of the structural modification.

Вкн.: Сложные полупроводники (получение, свойства, These levels differ depending on the character of structural changes:

применение), под ред. Д.В. Чепура (Ужгород, 1981) с. 121.

the level of short range order; the level of medium range order;

[6] A.I. Popov, I.A. Domoryad, N.I. Michalev. Phys. St. Sol. (a), the level of the morphology and the level of a defect subsys106, 333 (1988).

tem. Each level mentioned above leads to changes of a specific [7] А.Ф. Хохлов, А.И. Машин, Д.А. Хохлов. Письма ЖЭТФ, group of material properties. Application possibilities of various 67, 646 (1998).

levels of the structural change to non-crystalline semiconductors [8] А.И. Машин, А.Ф. Хохлов. ФТП, 33, 1001 (1999).

[9] А.И. Машин. Автореф. докт. дис. (Нижний Новгород, of IV-VI groups of the periodic table and to some compounds 1999).

are being discussed. The application limits of the structural [10] В.А. Лигачев, Н.Н. Свиркова, В.А. Филиков, Н.Д. Васильеmodification levels are determined.

ва. ФТП, 30, 1591 (1996).

[11] В.А. Лигачев, А.И. Попов, С.Н. Стукач. ФТП, 28, (1994).

[12] А.М. Сладков, В.В. Коршак, Ю.П. Кудрявцев, В.И. Касаточкин. Диплом на открытие № 107 от 06.12.71 c приоритетом от 04.11.60. [Открытия СССР 1972 г. Бюлл. изобр., № 6, (1972).

[13] А.И. Андриевский, И.Д. Набитович, П.К.Кринякович. ДАН СССР, 124, 321 (1959).

[14] А.И. Андриевский, И.Д. Набитович. Кристаллография, 5, 465 (1960).

[15] Ю.Г. Полтавцев. Структура полупроводниковых расплавов (М., Металлургия, 1984).

[16] J.C. Phillips. Non-Cryst. Sol., 34, 153 (1979).

[17] J.C. Phillips. Inst. Phys. Conf. Ser., 3, ch. 21, 705 (1979).

[18] J.C. Phillips. Phys. St. Sol. (b), 101, 473 (1980).

[19] R.L. Capelleti, S.S. Yun, H. Li, R.N. Enzweiler, P. Boolchand.

Phys. Rev. B, 39, 8702 (1989).

[20] А.И. Попов. Физика и химия стекла, 20, 803 (1994).

[21] J.C. Knights, R.A. Lujan. Appl. Phys. Lett., 35, 214 (1979).

[22] В.А. Лигачев. Автореф. докт. дис. (М., 1998).

[23] О.А. Голикова, М.М. Казанин, В.Х. Кудоярова, М.М. Мездрогина, К.Л. Сорокина, У.С. Бабаходжаев. ФТП, 23, (1989).

[24] О.А. Голикова. ФТП, 25, 1517 (1991).

[25] С.А. Дембовский, С.А. Козюхин, Е.А. Чечеткина, С.П. Вихров, А.Л. Денисов, Ю.Н. Кобцева. Сб. докл. межд. конф.

”Аморфные полупроводники-84” (Габрово, 1984) т. 1, с. 88.

[26] С.А. Дембовский, Е.А. Чечеткина, С.А. Козюхин. Письма ЖЭТФ, 41, 74 (1985).

[27] С.А. Дембовский, А.С. Зюбин, Ф.В. Григорьев. ФТП, 32, 944 (1998).

Редактор Л.В. Шаронова Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.