WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

случае наблюдается равенство: Nrd = p + Nrd, где Nrd — концентрация отожженных РД, p — прирост концентрации дырок, Nrd — концентрация образую3. Заключение щихся глубоких доноров в процессе ИО с учетом того, что p Nrd + Nrd при любой температуре ИО. ОбразоТаким образом, изучено изменение времени жизни вание и отжиг этих комплексов приводит к появлению неосновных носителей тока, удельного сопротивлеминимума на кривой зависимости p(Tann) при 500C.

ния, концентрации дырок p и холловской подвижности Концентрация дырок уменьшается до 3.5 · 1013 см-3 и µH основных носителей тока в облученных электронапри Tann = 600C достигает исходного значения, которое ми кристаллах p-Si в процессе изохронного отжига в было при Tann 450C. Из сопоставления кривых 8 и интервале Tann 80-600C. Анализ зависимостей,, на рис. 1 при T = 200 K можно определить концентраp и µH от температуры отжига Tann позволяет предцию этих дефектов. Она равняется 2.5 · 1013 см-3. При положить, что за изменение величины в результате Tann 500C кривые p(Tann) и µ(Tann) имеют минимумы отжига в интервале Tann 200-300C, наблюдаемое (рис. 3), что приводит к существованию максимума на при температуре T 300 K, ответственны межузелькривой (Tann) (рис. 2, кривая 2). Как видно из рис. ные атомы бора Bi и дивакансии V2, а в области (кривая 1), зависимость (Tann) при 500C проходит Tann 500C — многокомпонентные глубокие доноры через минимум, а при Tann = 600C достигает исходного с уровнем энергии Ei = E + 0.40 эВ типа V3 + O3 или значения. Судя по температурам образования и отжига, V3 + O2, которые являются также эффективными рассеобсуждаемые выше дефекты, видимо, являются многоивающими центрами. Дефекты Ci, V3 + O и V2 + O2 не компонентными комплексами типа V3 + O3 или V3 + O2 являются рекомбинационными центрами при T 300 K.

с Ei = E + 0.40 эВ [8,19], которые образуются после По кривым изохронного отжига определены энергии распада комплексов V3 + O, V2 + O2, K-центров и дефекактивации отжига K-центров, межузельного углерода Ci, тов с Ei = Ev + 0.36 эВ. Влияние этих комплексов при комплексов V + B, V2 + O2, дивакансий V2 и дефектов 300 K на величины p, µH и позволяет предположить, с уровнем энергии Ei = Ev + 0.20 эВ. Они оказались что они являются РЦ с глубокими уровнями, способныравными 0.9, 0.25. 1.6, 1.54 и 2.33 эВ соответственно.

ми эффективно рассеивать дырки.

Следует отметить, что значение Tann наблюдаемых нами комплексов смещено в сторону низких температур, Список литературы что, видимо, связано с наличием РО в объеме кристалла после облучения электронами с энергией 8 МэВ. РО [1] В.С. Вавилов, С.И. Винтовкин, А.С. Лютович и др. ФТТ, 7, являются эффективными стоками вакансий, продуктов 502 (1965).

распада вторичных РД и снижают величину Tann послед- [2] В.С. Вавилов. Действие излучений на полупроводники них. Как известно [10], изолированные РО в кристаллах (М., Атомиздат, 1963).

Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. Исследование рекомбинационных центров в облученных кристаллах p-Si [3] В.В. Болотов, В.А. Коротченко, А.П. Мамонтов и др. ФТП, 14, 2257 (1980).

[4] З.В. Башелейшвили, В.С. Гарнык, С.Н. Горин, Т.А. Пагава.

ФТП, 18, 1714 (1984).

[5] В.С. Гарнык, З.В. Башелейшвили. ФТП, 24, 1485 (1990).

[6] G. Tsintsadze, Z. Bashaleishvili, T. Pagava et al. Bull. Georgian Acad. Sci., 162 (1), 63 (2000).

[7] В.Н. Губская, П.В. Кучинский, В.М. Ломако. ФТП, 20, (1986).

[8] В.В. Емцев, Т.В. Машовец. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках (М., Радио и связь, 1981).

[9] И.Д. Конозенко, А.К. Семенюк, В.И. Хиврич. Радиационные эффекты в кремнии (Киев, Наук. думка, 1974).

[10] Физические процессы в облученных полупроводниках, под ред. Л.С. Смирнова (Новосибирск, Наука, 1977).

[11] Н.В. Колесников, С.Е. Мальханов, М.А. Погарский. ФТП, 12, 1836 (1978).

[12] В.В. Лукьяница. ФТП, 33, 921 (1999).

[13] М.Ю. Барабаненков и др. ФТП, 33, 897 (1999).

[14] Ж. Бургуэн, М. Ланно. Точечные дефекты в полупроводниках (Экспериментальные аспекты) (М., Мир, 1985).

[15] Y.H. Lee, J.W. Corbett, K.L. Brover. Phys. St. Sol. (a), 41, (1977).

[16] Л.С. Берман, Н.А. Витковский, В.Н. Ломасов, В.Н. Ткаченко. ФТП, 24, 2186 (1990).

[17] P.M. Mooney, L.J. Cheng, M. Suly, J.D. Gerson, J.W. Corbett.

Phys. Rev. B, 15, 3836 (1977).

[18] C.A. Londos. Jap. J. Appl. Phys., 27, 2089 (1988).

[19] Y.H. Lee, J.W. Corbett. Phys. Rev. B, 13, 2653 (1976).

[20] А. Дамаск, Дж. Динс. Точечные дефекты в металлах (М., Мир, 1966).

Редактор Т.А. Полянская A study of recombination centers in an irradiated p-Si T.A. Pagava Georgian Technical University, 380075 Tbilisi, Georgia Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.