WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

дить не удалось, поскольку из-за малого содержания Для Bi2Te2.88Se0.12 и Bi1.99Sn0.01Te2.88Se0.12 можно отмеэтих примесей наблюдаются широкие размытые пики тить аналогичные изменения, а именно — приблизительна уровне фона для Se, а в области энергии Sn 3d но равная интенсивность первого и второго пиков до лелишь незначительное увеличение фона. Это затрудняет гирования и меньшая интенсивность второго пика после надежную интерпретацию. легирования атомами олова; отношение интенсивностей Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия и рентгеновский микроанализ монокристаллов... первого и второго пиков согласуется со значением, [6] Б.М. Гольцман, В.А. Кудинов, И.А. Смирнов. Полупроопределенным для образцов с меньшим содержанием се- водниковые термоэлектрические материалы на основе Bi2Te3 (М., Наука, 1972).

лена, и равно 1.6. Дно валентной зоны рассматриваемых материалов образуют преимущественно 5s-состояния Te Редактор Л.В. Шаронова и 6s-состояния Bi, а также 4s-состояния Se, распределенные в энергетической области 9-11 эВ. При леX-ray photoelectron spectroscopy гировании оловом в распределение состояний атомов and X-ray microanalysis of bismuth вносят вклад и 5s-состояния Sn. Форма распределения telluride-based single crystals суммарной электронной плотности атомов по валентной зоне легированных оловом монокристаллов иллюстри I.V. Gasenkova, V.A. Chubarenko, руется разностным спектром, представленным на рис. E.A. Tyavlovskaya, T.E. Svechnikova+ (кривая 3). Увеличение плотности в прифермиевской Institute of Electronics, области наблюдается до энергий 2 эВ, затем в области Belarus National Academy of Sciences, расположения второго максимума и в серединной части 220090 Minsk, Republic of Belarus валентной зоны плотность состояний несколько ниже по сравнению с плотностью в не легированных Sn матери- A.V. Shubnikov Institute of Crystallography, Russian Academy of Sciences, алах. Наряду с этим большая интенсивность спектров в 117333 Moscow, Russia области локализации 5s-состояний Te и 4s-состояний Se + A.A. Baikov Institute ( 10-11 эВ) свидетельствует о большей плотности of Metallurgy and Material Science, этих состояний в кристаллах Bi1.99Sn0.01Te2.94Se0.06 и Bi1.99Sn0.01Te2.88Se0.12. Увеличение электронной плотно- Russian Academy of Sciences, 117911 Moscow, Russia сти вблизи уровня Ферми при легировании теллурида висмута атомами олова отмечалось в [1], в этой связи можно предположить существование резонансных состо-

Abstract

Experimental results are discussed concerning the яний Sn и в твердых растворах на основе Bi2Te3 и опре- distribution and atomic ratios of elements in single crysделяемых ими электрофизических свойств. Поведение tals of Bi2Te2.94Se0.06, Bi2Te2.88Se0.12, Bi1.99Sn0.01Te2.94Se0.06, кинетических коэффициентов в Bi1.99Sn0.01Te2.94Se0.06 и Bi1.99Sn0.01Te2.88Se0.12 obtained by X-ray microanalysis and X-ray Bi1.99Sn0.01Te2.88Se0.12 должно быть аналогичным их по- photoelectron spectroscopy methods. It is found that the doping ведению в Bi2Te3 : Sn. with Sn at x = 0.01 results in a higher uniformity of Bi and Te distribution in the solid solutions, while increasing the amount of Se concentration from y = 0.06 to 0.12 results in composition 4. Заключение fluctuations as high as those up to 0.5 at% in undoped Bi2Te3based solid solutions and up to 0.3 at% in Sn-doped solid solutions.

Введение атомов олова в концентрации до x = 0.01 в Binding energies of core levels in the single crystals have been твердые растворы на основе теллурида висмута улучdetermined. It is established that the total density of electron шает однородность распределения висмута и теллура, states in the valence band near the Fermi level changes as the что проявляется в уменьшении отклонения от среднего doping with Se takes place.

значения, и приводит к увеличению содержания висмута в твердом растворе. Установлено перераспределение электронной плотности 4d-уровней Te в валентной зоне.

Увеличение плотности состояний в прифермиевской области может быть обусловлено примесными состояниями олова.

Список литературы [1] И.В. Гасенкова, М.К. Житинская, С.А. Немов, Т.Е. Свечникова. ФТТ, 41, 1969 (1999).

[2] М.К. Житинская, С.А. Немов, Т.Е. Свечникова. ФТТ, 40, 1428 (1998).

[3] V.A. Kulbachinski, V. Inoue, V. Sasaki, H. Negishi, W.X. Gao, K. Takase, Y. Giman, J. Horak, P. Lostak. Phys. Rev. B, 50, 16 921 (1994).

[4] Г.Т. Алексеева, П.П. Константинов, В.А. Кутасов, Л.Н. Лукьянова, Ю.И. Равич. ФТТ, 38, 2998 (1996).

[5] Т.Е. Свечникова, С.Н. Чижевская, Н.М. Максимова, Н.В. Поликарпова, П.П. Константинов, Г.Т. Алексеева.

Неорг. матер., 30 (2), 168 (1994).

Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.