Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

n- и p-Ge, обогащенных изотопами кислорода O и(или) O, обнаружены новые полосы при 669, 944 и Редактор Т.А. Полянская 990 см-1. Наиболее интенсивная из наблюдаемых полос при 669 см-1 приписана отрицательному состоянию Local vibrational modes комплекса кислород–вакансия (V O)-, а известная of an oxygen-vacancy complex полоса при 621 см-1 отождествлена с его нейтральным in germanium состоянием (V O)0. Малоинтенсивные полосы при и 990 см-1 отнесены к комбинации валентных V.V. Litvinov, L.I. Murin, J.L. Lindstrom†, антисимметричных мод при 621 и 669 см-1 с симV.P. Markevich, A.N. Petuch метричной модой при 320 cм-1. Частоты валентных антисимметричных мод для комплексов (V O)0 и (V O)- Belarusian State University, 220050 Minsk, Belarus при температурах 10 и 300 K в кристаллах Ge, обога Institute of Solid State and Semiconductor Physics, щенных различными изотопами кислорода, приведены 220072 Minsk, Belarus † Lund University, Division of Solid State Physics, Спектральное положение локальных колебательных мод S-22100 Lund, Sweden (в см-1) при температурах 10 и 300 K для комплексов кислород–вакансия в германии


The infrared absorption of n- and p-type Ge crystals 16 enriched with O and/or O isotopes has been studied after (V O)0 (V O)Изотоп irradiation of the crystals with fast electrons of 6 MeV energy.

кислорода 10 K 300 K 10 K 300 K Absorption spectra were measured at 10 K and 300 K. In addition to absorption bands peculiar to oxygen-related complexes observed O 621.4 611 669.1 in previous studies, new lines were discovered at 669, 944 and O 589.6 578 635.4 990 cm-1. Those lines were annealed out in the temperature range 120–140C and their annealing behavior coincided with that of a band at 621 cm-1 earlier ascribed to a vacancy-oxygen (V O) в таблице. При облучении кристаллов n-Ge с предваcomplex in Ge. The bands at 621 and 669 cm-1 showed identical рительно введенными термодонорами обнаружено эфtemperatures (10 K300 K) and oxygen isotope (16O 18O) фективное формирование комплексов с полосой при shifts. Is was found that the lines related to different charge states 716 см-1. Сделан вывод о принадлежности A-центру в Ge of a defect with the energy level around Ev + 0.25 eV. The V O энергии уровня при Ev + 0.25 ± 0.03 эВ. complex (A-center) is suggested to be such a defect. The weakly intense bands at 944 and 990 cm-1 are identified as combinations Авторы выражают благодарность фонду ИНТАС–Беthe asymmetric stretching modes at 621 and 669 cm-1 with a ларусь (проект № 97-0824) за финансовую поддержку ymmetric one at about 320 cm-1 for the A-center neutral and работы.

negativly charged states respectively.

Список литературы [1] G.D. Watkins, J.W. Corbett. Phys. Rev. 121(4), 1001 (1961).

[2] B. Pajot, S. McQuaid, R.C. Newmann, C. Song, R. Rahbi.

Mater. Sci. Forum, 143–147, 969 (1994).

Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып.

Pages:     | 1 ||

© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.