WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

происходит в первые минуты контакта поверхности кри- В заключение хочется отметить, что полученные нами сталлов с раствором, причем различие глубины травле- первые результаты по пассивации поверхности многония полупроводников n- и p-типа проводимости оказыва- слойных фотодиодных меза-структур на основе n-GaSb– ется существенно меньшим, чем в случае разбавленных n-GaInAsSb–p-GaAlAsSb свидетельствуют о перспективрастворов Na2S.

ности использования данного метода. Первые опыты 2. В растворах (NH4)2S характер травления по- показали снижение обратных темновых токов почти в верхности антимонида галлия и его твердых растворов 10 раз. Однако проблема стабильности таких покрытий, существенно отличается от наблюдаемого в растворах их устойчивости и деградации характеристик пассивироNa2S. Травление n- и p-кристаллов идет равномерно, ванных приборов требует отдельного исследования.

без замедления, а сами величины скоростей травления Авторы благодарят доктора Т. Пиотровского примерно одинаковы.

(T. Piotrowski) из Института электронной технологии Обработка в натриевых и аммонийных сульфидных (Варшава, Польша) за интерес к работе и полезные растворах материалов на основе GaSb характеризуется обсуждения.

не только различной динамикой травления, но и, как было показано в [17] на примере GaAs, различным составом и структурой поверхности.

Список литературы В растворах (NH4)2S поверхность (100) кристаллов в стационарном режиме травления оформляется атомами [1] A.M. Green, W.F. Spicer. Vac. Sci. Technol. A, 11, Ga с адсорбированными на них группами SH, тогда как (1993).

при обработке в растворах Na2S на поверхность (100) [2] V.L. Berkovits, V.N. Bessolov, T.V. L’vova, E.B. Novikov, выходит преимущественно атомы As, первоначально V.I. Safarov, R.V. Khasieva, B.V. Tsarenkov. J. Appl. Phys., адсорбирующие группы SH. В дальнейшем происходит 70, 3707 (1991).

замещение SH на атомы серы вследствие протекания [3] T. Ohno, K. Shiraishi. Phys. Rev. B, 42, 11 194 (1990).

Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № Сульфидная пассивация фотодиодных гетероструктур GaSb/GaInAsSb/GaAlAsSb [4] C.J. Sandroff, R.N. Nottenburg, J.-C. Bischoff, R. Bhat. Appl.

Phys. Lett., 51, 33 (1987).

[5] A.G. Milnes, A.Y. Polyakov. Sol. St. Electron., 36, 803 (1993).

[6] T.K. Paul, D.M. Bose. J. Appl. Phys., 70, 7387 (1991).

[7] H. Oigawa, J.F. Fan, Y. Nannichi, H. Sugahara, M. Oshima.

Japan. Appl. Phys., 30, L322 (1991).

[8] Yu.A. Kudryavtsev, E.B. Novikov, N.M. Stus, E.A. Chaikina.

Sov. Phys. Semicond, 26, 975 (1992).

[9] Z.H. Lu, X.H. Feng, B.X. Yang. Appl. Phys. Lett., 62, (1993).

[10] A.Y. Polyakov, M. Stam, A.G. Milnes, A.E. Bochkarev, S.J. Peatron. J. Appl. Phys., 71, 4411 (1992).

[11] M.P. Mikhailova, A.N. Titkov. Semicond. Sci. Technol., 9, (1994).

[12] I.A. Andreev, M.A. Afrailov, A.N. Baranov, V.G. Danil’chenko, M.A. Mirsagatov, M.P. Mikhailova, Yu.P. Yakovlev. Sov. Techn.

Phys. Lett., 12, 542 (1986).

[13] I.A. Andreev, M.A. Afrailov, A.N. Baranov, M.A. Mirsagatov, M.P. Mikhailova, Yu.P. Yakovlev. Sov. Techn. Phys. Lett., 14, 435 (1988).

[14] I.A. Andreev, M.A. Afrailov, A.N. Baranov, S.G. Konnikov, M.A. Mirsagatov, M.P. Mikhailova, O.V. Salata, V.E. Umansky, G.M. Filaretova, Yu.P. Yakovlev. Sov. Techn. Phys. Lett., 15, 71 (1989).

[15] V.L. Berkovits, V.M. Lantratov, T.V. L’vova, G.A. Shakiashvili, V.P. Ulin, D. Paget. Semiconductors, 28, 260 (1994).

[16] J.-W. Seo, T. Koker, S. Agarwala, I. Adesida. Appl. Phys. Lett., 60, 1114 (1992).

[17] V.L. Berkovits, A.O. Gusev, V.M. Lantratov, T.V. L’vova, D. Paget, A.B. Pushnyi, V.P. Ulin. Phys. Low-Dim. Structur., 12, 293 (1995).

Редактор Л.В. Шаронова Sulfide passivation of GaSb/GaInAsSb/GaAlAsSb photodiode heterostructures I.A. Andreev, E.V. Kunitsina, V.M. Lantratov, T.V. L’vova, M.P. Mikhailova, Yu.P. Yakovlev A.F. Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, 194021 St.-Petersburg, Russia

Abstract

GaSb and its solid solutions are now widely used in optoelectronic devices for the spectral range 2 5 µm. Unfortunately, high speed growth of native oxide is a result of high chemical activity of the surface which leads to degradation of device characteristics. We have investigated passivation of GaSb and its quarternary GaInAsSb and GaAlAsSb alloys using Na2S and (NH4)2S water solutions. It has been found that these semiconductors are well etched in the used sulfide solutions.

We have studied the effect of passivation procedure (type and molarity of solutions, duration of the treatment) on the rate of the etching of these semiconductor materials. Basing our conclusions on the obtained results, we determined optimal technological conditions for the passivation of GaInAsSb/GaAlAsSb photoliode mesa-structures and achieved significant decrease (5–10 times) of dark current.

2 Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, №

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.