WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

с Vg, поэтому существование объемной проводимости не [3] А.О. Орлов, М.Э. Райх, И.М. Рузин, А.К. Савченко. ЖТФ, приводит к дополнительным флуктуациям Vy. Между тем 96, 2172 (1989).

в случае, когда Gfb соизмерима с проводимостью квази[4] А.И. Якимов, Н.П. Степина, А.В. Двуреченский. ЖЭТФ, 2D канала Gc, она оказывает шунтирующее действие на 102, 1882 (1992).

флуктуации Vy. При учете этого обстоятельства норми[5] М.Э. Райх, И.М. Рузин, Письма ЖЭТФ, 43, 437 (1986).

рованное значение, отвечающее отсутствию объемной [6] S. Manzini, A. Modelli. J. Appl. Phys., 65, 2361 (1989).

проводимости, c = Gc/(Gc + Cfb), оказывается [7] A.S. Vedeneev, A.G. Gaivoronskii, A.G. Zhdan, V.V. Rylkov, Yu.Ya. Tkach, A. Modelly. Appl. Phys. Lett., 64, 2566 (1994).

линейной функцией G (рис. 4, кривая 2), в соответ[8] А.С. Веденеев, А.Г. Гайворонский, А.Г. Ждан, А. Моделли, ствии с предложенной картиной явления. Определенный В.В. Рыльков, Ю.Я. Ткач. Письма ЖЭТФ, 60, 457 (1994).

по наклону зависимости c(G) масштаб электрической [9] Н. Мотт, Э. Девис. Электронные процессы в некринеоднородности 390 согласуется с полученной выше сталлических веществах (М., МИР, 1982) [N.F. Mott, теоретической оценкой Lc 300.

= E.A. Davis. Electronic Processes in Non-Crystalline Примечательно также, что экспериментальные кривые Materials, 2-nd ed. (Clarendon, Oxford, 1979) v. 1].

рис. 2 обнаруживают отчетливо выраженный ”период” [10] W. Versnel. J. Appl. Phys., 52, 4659 (1981).

Vg 1 В флуктуирующей составляющей Vy(Vg), если = Редактор В.В. Чалдышев понимать его как среднее расстояние между максимумами данной функции. Расчеты показывают, что приращеMesoscopic effects in the range of ние Vg на величину Vg приводит к смещению положения квази-2D канала прыжковой проводимости в глубь слоя hopping conductivity of macroscopic p-Si на расстояние l =dVg/(4edNA) 40, т. е. на = quasi-2D objects величину порядка среднего межпримесного расстояния B.A. Aronzon,†, A.S. Vedeneev, V.V. Rylkov†, rd 60 ( — диэлектрическая проницаемость диэлек= трика, d — его толщина). Это смещение соответствует Russian Research Center ”The Kurchatov Institute”, существенному изменению пространственной конфигу123182 Moscow † рации путей протекания, образующих перколяционный Scientific Research Center of Applied квази-2D кластер (толщиной rd), поскольку распоElectrodynamics, 103498 Moscow ложение акцепторов в плоскостях, отстоящих больше Institute of Radio Engineering and Electronics, чем на rd, некоррелированно. Следовательно, именно Russian Academy of Sciences, контролируемое в условиях эксперимента изменение 141120 Fryazino, Russia положение квази-2D канала по отношению к поверхности Si, неизбежно сопровождающееся перестройкой

Abstract

Under conditions of the classic field effect, the mesoперколяционного кластера, приводит к возникновению scopic phenomenon was found out in conductivity of macroscopic квазипериодических флуктуаций поперечного межзондо(50150 µm) MOS systems based on p-Si:B layer with high boron вого напряжения.

content (up to 1018cm-3). When a voltage of the structure potential Таким образом, представленные данные являются electrode is varied, the phenomenon manifests itself as stationary прямым экспериментальным наблюдением характерного quasiperiodic fluctuations of transverse voltage between potential масштаба электрической неоднородности макроскопичеprobes situated at the lateral edges of samples. The fluctuations ских объектов, определяемого в случае прыжковой проwere observed at relatively high temperatures, < 30 K. They are водимости корреляционным радиусом перколяционного associated with reconstruction of the percolation cluster which кластера. Этим по сути открывается новая возможность controls quasi-2D hopping conductivity taking place at intersertion изучения мезоскопических эффектов в разупорядоченof the bulk impurity band with the Fermi level.

ных объектах, имеющих перколяционный характер проводимости.

Авторы признательны В.А. Волкову и М.С. Кагану за дискуссии.

Работа выполнена при поддержке Российского Фонда Фундаментальных Исследований (гранд 96-02-18429-а) и межотраслевой научно-технической программы ”Физика твердотельных наноструктур” (гранд 1-052).

Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, №

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.