WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № Исследование квантовых ям в системе ZnCdSe/ZnSe... Найдена технология подготовки поверхности для эпи- Study of ZnCdSe/ZnSe quantum wells таксиального роста, включающая коллоидно-химическую grown by molecular–beam epitaxy on полировку с последующим отжигом в потоке атомарного ZnSe substrates водорода при 400 450C и защитой поверхности слоем V.I. Koslovsky, P.A. Trubenko, A.S. Artemov, селена.

E.M. Dianov, Yu.V. Korostelin, A.B. Krysa, В спектре катодолюминесценции структур излучение P.V. Shapkin, E.A. Shcherbakov квантовых ям существенно преобладает на излучением буферного и промежуточного слоев ZnSe, а их спекP.N. Lebedev Physical Institute, тральное положение изменяется с шириной ямы в соRussian Academy of Sciences, ответствии с квантово-размерным эффектом аналогично 117924 Moscow, Russia тому, как это имеет место в КЯ, выращенных на под- Fiber Optics Research Center, ложках GaAs. Однако интенсивность излучения КЯ на General Physics Institute, подложках ZnSe, особенно при комнатной температуре, Russian Academy of Sciences, остается недостаточно высокой, что связывается с боль117942 Moscow, Russia шим количеством точечных дефектов.

Работа выполнена при финансовой поддержке Рос-

Abstract

ZnCdSe/ZnSe quantum wells of different thickness were grown by molecular-beam epitaxy on ZnSe (001) substrates сийского фонда фундаментальных исследований (гранты which were sliced from a single crystal ingot grown by chemical № 95-02-05646 и № 96-02-17688).

transport method in hydrogen. A preparation of a substrate surface consisted of a colloid-chemical polishing followed by annealing Список литературы in atomic hydrogen and capping with a selenium film. Surface quality was controlled by RHEED during an epitaxy process.

[1] A.S. Nasibov, V.I. Kozlovsky, P.V. Reznikov, Ya.K. Skasyrsky, Surface topography of samples before and after epitaxy was Yu.M. Popov. J. Cryst. Growth, 117, 1040 (1992).

obtained by atomic force microscopy and cathodoluminescence of [2] V.I. Kozlovsky, A.S. Nasibov, Yu.M. Popov, P.V. Reznikov, quantum well structures at 40 and 300 K was investigated, as well.

Ya.K. Skasyrsky. IS&T/SPIE Symposium on Electronic Smooth enough surface morphology, contrast elongated reflexes Imaging: Science and Technology (Topic 2407: Projection in diffraction pattern and the dependence of spectral position Display) (San Jose, CA, 1995).

of quantum well emission lines on quantum well thichness give [3] Н.Г. Басов, Е.М. Дианов, В.И. Козловский, А.Б. Крыса.

А.С. Насибов, Ю.М. Попов, А.М. Прохоров, П.А. Трубен- evidence in favour of a good enough quality of the grown structures.

ко, Е.А. Щербаков. Квант. электрон., 22, 756 (1995).

[4] M. Ohishi, K. Ohmory, Y. Fujii, H. Saito. J. Cryst. Growth, 86, 324 (1988).

[5] T. Yodo, T. Koyama, K. Yamashita. J. Appl. Phys., 64, (1988).

[6] M.H. Jeon, L.C. Calhoun, R.M. Park. J. Electron Mater., 24, 177 (1995).

[7] D.B. Eason, Z. Yu, W.C. Hughes, C. Boney, J.W. Cook, Jr., J.F. Schetzina, D.R. Black, G. Cantwell, W.C. Harsch. J. Vac.

Sci. Technol. B, 13, 1566 (1995).

[8] Z. Yu, C. Boney, W.C. Hughers, W.H. Rowland, Jr., J.W. Cook, Jr., J.F. Schetzina, G. Cantwell, W.C. Harsch. Electron. Lett., 31, 1341 (1995).

[9] Yu.V. Korostelin, V.I. Kozlovsky, A.S. Nasibov, P.V. Shapkin.

J. Cryst. Growth, 161, 51 (1996).

[10] А.С. Артемов, В.П. Алехин, Н.А. Антохин, В.И. Кравченко, В.И. Лаптев. Тез. докл. II Всес. конф. ”Материалы халькогенидных и кислородосодержащих полупроводников” (1986) т. 1, с. 84.

[11] Е.М. Дианов, А.М. Прохоров, П.А. Трубенко, Е.А. Щербаков. ФТП, 28, 1278 (1994).

[12] V.I. Kozlovsky, E.A. Shcherbakov, E.M. Dianov, A.B. Krysa, A.S. Nasibov, P.A.Trubenko. J. Cryst. Growth, 159, (1996).

[13] C. Trager-Cowan, F. Yang, K.P. O’Donnell. Adv. Mater. Opt.

Electron. 3, 295 (1994).

Редактор Л.В. Шаронова Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, №

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.