WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

ветви этой зависимости в области 100-160 K соответствует снижение интенсивности свечения в полосе 3.6 eV (кривая 1 на рис. 2, b), а спадающей ветви в области выше 350 K — рост выхода F-центров окраски лосе 4.1 eV. В таком случае состояние ТАЛЭ, анни(кривая 3 на рис. 2, b). Причем это соответствие гилирующее при низких температурах с испусканием носит не только качественный, но и количественный люминесценции в полосе 3.7 eV и способное при теплохарактер: найденные по наклонам пересекающихся за- вом смещении ядра перейти в нецентральное состояние, висимостей в низко- и высокотемпературной областях логично считать имеющим несмещенное трехгалоидное значения энергии термической активации оказались рав- ядро с конфигурацией, близкой к центральной.

ными 50 meV и 0.22 eV соответственно. В совокупности с данными о свойствах люминесценТаким образом, в целом вид представленных на рис. 2 ции при температурах вблизи 4.2 K [2,4] выявленные семейств зависимостей свидетельствует о реализации по нами закономерности температурной эволюции центров мере увеличения температуры двух последовательных окраски и свечения в CsI могут быть описаны на основе конфигурационных преобразований АЛЭ. При этом высказанной в [23] идеи о том, что наинизшее состояние ответственное за испускание люминесценции при 4.3 eV АЛЭ и основное состояние F-центра в ЩГК связаны состояние АЛЭ следует, по-видимому, считать имеющее общей адиабатической потенциальной поверхностью.

некоторую промежуточную конфигурацию между той, Вид сечения этой поверхности, соответствующий, по которую имеет АЛЭ при 80 K, и решеточной конфигура- нашему мнению, ситуации в CsI, показан на рис. 4. По цией, соответствующей дефектной паре F- и H-центров. оси абсцисс отложена обобщенная конфигурационная По существующим теоретическим представлениям, координата R, характеризующая взаимное расположение смещение галоидного ядра АЛЭ в ходе их термоакти- электронного и дырочного компонентов АЛЭ. Сечение вированного преобразования из наинизшего релаксиро- содержит ряд минимумов, соответствующих релаксированного состояния в F, H-пары дефектов связано с обра- ванным состояниям системы ”АЛЭ + кристалл”, и раззованием некоторого квазиустойчивого состояния — деляющие их энергетические барьеры. Внизу на рис. ”промежуточной дефектной пары” [19]. Для кристаллов схематически показана геометрическая конфигурация кас двухгалоидными АЛЭ такое состояние представляют ждого из состояний.

обычно как пару расположенных в соседних узлах ре- Согласно данным [2], возникновение характеристичешетки F- и H-центров [20]. Если АЛЭ имеет трехга- ской полосы люминесценции при 3.6 eV является резульлоидное ядро, то структуру промежуточного дефектного татом термоактивированной (с Ea = 2meV) трансфорсостояния, непосредственно предшествующего распаду мации двухгалоидных центральных АЛЭ. С учетом излоТАЛЭ на изолированные друг от друга регулярным узлом женных выше представлений о природе люминесценции F- и H-центры, следует представить, очевидно, в виде в CsI данные этих работ могут быть интерпретированы F-центра и занимающего два соседних анионных узла как обусловленные переходы центрального АЛЭ из двухтрехгалоидного дырочного иона I- — аналога нецен- в трехгалоидную конфигурацию (на схеме это переход трального АЛЭ III типа [21,22]. между первым и вторым минимумами). Переходы2 В кристалле CsI, согласно полученным данным, та- и34 отражают преобразование ТАЛЭ из центральной кую нецентральную конфигурацию должны иметь ТАЛЭ, в нецентральную конфигурацию и последующую диссоответственные за высокотемпературное свечение в по- циацию ТАЛЭ на F, H-пары дефектов соответственно.

4 Физика твердого тела, 1998, том 40, № 644 Е.С. Гафиатулина, С.А. Чернов, В.Ю. Яковлев Таким образом, совокупность полученных нами и известных из литературы данных о термоактивированных явлениях люминесценции и дефектообразования в кристалле CsI может быть вполне адекватно описана в рамках единого подхода на основе достаточно простой схемы как следствие ряда конфигурационных преобразований АЛЭ, сопровождающихся последовательным увеличением с температурой степени пространственного разделения электронного и ядерного компонентов АЛЭ.

Список литературы [1] A.N. Belsky, A.N. Vasil’ev, V.V. Mikhalin, A.V. Gektin, P. Martin, C. Pedrini, D. Bouttet. Phys. Rev. B49, 18, 13 (1994).

[2] H. Nishimura, M. Sakata, T. Tsujimoto, M. Nakayama. Phys.

Rev. B51, 4, 2167 (1995).

[3] H. Lamatsch, J. Rossel, E. Saurer. Phys. Stat. Sol. (b) 41, 2, 605 (1970).

[4] T. Iida, Y. Nakaoka, von der J.P. Weid, M.A. Aegerter. J. Phys.

C131, 6, 983 (1980).

[5] L. Falco, von der J.P. Weid, M.A. Aegerter, T. Iida, Y. Nakaoka.

J. Phys. C131, 6, 993 (1980).

[6] В.А. Кравченко, В.М. Лисицын, В.Ю. Яковлев. ФТТ 27, 7, 2181 (1985).

[7] R.G. Fuller, R.T. Williams, M.N. Kabler. Phys. Rev. Lett. 25, 7, 446 (1970).

[8] R.T. Williams, M.N. Kabler. Phys. Rev. B9, 4, 1897 (1974).

[9] R.T. Williams, K.S. Song. J. Phys. Chem. Sol. 50, 7, 679 (1990).

[10] N. Itoh. Adv. Phys. 31, 5, 491 (1982).

[11] R.T. Williams, M.N. Kabler, W. Hayes, J.P. Stott. Phys. Rev.

B14, 2, 725 (1976).

[12] J. Konitzer, H. Hersh. J. Phys. Chem. Sol. 27, 771 (1966).

[13] И.А. Парфианович, Э.Э. Пензина. Электронные центры окраски в ионных кристаллах. Вост.-сиб. кн. изд-во. Иркутск (1977). 208 с.

[14] В.В. Колотилин, В.И. Штанько. ФТТ 26, 1, 236 (1984).

[15] В.Ю. Яковлев. ФТТ 26, 11, 3334 (1984).

[16] S. Iwai, T. Tokizaki, A. Nakamura, T. Shibata, K. Tanimura, A. Shluger, N. Itoh. J. Lumin. 60–61, 720 (1994).

[17] Ч. Киттель. Введение в физику твердого тела. М. (1963).

696 с.

[18] R.T. Williams, K.S. Song, W.L. Faust, C.H. Leung. Phys. Rev.

B33, 10, 7232 (1986).

[19] T. Toyozawa. J. Phys. Soc. Jap. 44, 2, 482 (1978).

[20] N. Itoh, T. Eshita, R.T. Williams. Phys. Rev. B34, 6, (1986).

[21] K. Kan’no, K. Tanaka, T. Hayashi. Rev. Sol. Stat. Sci. 4, (1990).

[22] T. Matsumoto, S. Kawata, A. Miyamoto, K. Kan’no. J. Phys.

Soc. Jap. 61, 11, 4229 (1992).

[23] R.T. Williams, B.B. Craig, W.L. Faust. Phys. Rev. Lett. 52, 19, 1709 (1984).

Физика твердого тела, 1998, том 40, №

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.